Коллеги, наткнулся на интересную статью:
http://leoniv.diod.club/articles/linearmos/linearmos.html
посвященную теме использования ключевых MOSFET в линейном режиме.
В ней автор приводит зависимость Id(t) при Vgs-const для насыщенного IRF530
Попробовал промоделировать данный эксперимент: подал в модели на затвор напряжение (3.6...4.5В) и посмотрел токи стока в диапазоне температур (10...170 град).
В области малых токов (в районе 100мА) ток стока на краях температурно