[Lmx2315 2]

Такой вопрос уважаемые : а когда микросхемы испытывают на сабдж, испытанию подвергается и оснастка на которой микросхема стоит - там , питание , схемы ресета , вспомогательные буферные элементы, испытания же должны происходить в рабочем режиме?Или как-то обходят этот вопрос стороной? Просто даже подать питание и такты на микросхему это же целая проблема должна быть?

з.ы.

мы сами один раз проходили сабдж но у нас был блок-законченное изделие и как бы не было таких проблем, кроме самих испытаний.

[alexunder 4]

Если испытывают конкретный чип, то только его и "облучают". Зачем при этом облучать питающую или тактирующую электронику?

[Pengozoid 0]

А почему бы не задать этот вопрос напрямую в спэлс, ниип или даже 22, если вы уже работали в этом направлении?

[MegaVolt 25]

Облучают то что закажите. Т.е. направленным пучком конкретную микросхему. Диаметр пучка нужно узнавать отдельно.
 

[Lmx2315 2]

1 час назад, Pengozoid сказал:

А почему бы не задать этот вопрос напрямую в спэлс, ниип или даже 22, если вы уже работали в этом направлении?

Да мне просто любопытно, я рядовой исполнитель - кто мне будет отвечать? Да ещё про радстойкость и испытания.

Когда я там был один раз нам рассказывали что в сектор облучения (около 60 градусов) попадает много чего, а не только сам образец но и оснастка на которой он находится. Это на гамма когда. А на нейтроны - там вообще целая область подвергается воздействию.

49 минут назад, MegaVolt сказал:

Облучают то что закажите. Т.е. направленным пучком конкретную микросхему. Диаметр пучка нужно узнавать отдельно.
 

А вот ещё такой вопрос - когда на гамму испытывают , там же по сути рентгеновская трубка и здоровый по напряжению разряд происходит, чтобы эффект нужный был.

Это же должно наводки электромагнитные давать сильные или нет?

[alexunder 4]

1 hour ago, Lmx2315 said:

Когда я там был один раз нам рассказывали что в сектор облучения (около 60 градусов) попадает много чего, а не только сам образец но и оснастка на которой он находится. Это на гамма когда. А на нейтроны - там вообще целая область подвергается воздействию.

В зависимости от типа теста порой приходится создавать отдельные системы, переходники и платки с тестируемым чипом.

Вот, например, камера для облучения тяжелыми ионами. Чип, разваренный на плату находится внутри, к "морде" камеры крепится плата-переходник, от которой kapton-шлейф идет к основной (управляющей) плате.

 

А вот вариант тестирования TID того же чипа, но установка иная. Источник обведен красным кружком, красной стрелкой - плата с тестируемым объектом, желтым - плата управления, которая, как видно, спрятана за толстым слоем свинца.

 

 

 

[Lmx2315 2]

очень интересно, спасибо!

[yes 5]

для ТЗЧ вроде бы должны расковыривать пластик, чтобы прямо в кристалл попадало - в керамике вроде как должны быть протестированы производителем "из коропки"

много картинок у Микрочипа (бывшего Актела) во всяких бумагах про их радстойкость,

в gpl nasa gov (давно там не был, гугль говорит вот оно - https://radhome.gsfc.nasa.gov) много тестов есть и каталогов с результатами тестов комплектухи

 

[yes 5]

как это делают в Лос-Аламосе

если кому интересно, из микросемисовской доки про тест нейтронами (поэтому в параллель платы)

TR0020_Neutron.pdf

[Lmx2315 2]

Интересно, спасибо.