Jump to content

    

Гетероструктурные транзисторы CoolGaN™ – преимущества и особенности управления

Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники.
 

Хотя возможности кремниевых полупроводниковых приборов еще до конца не исчерпаны, и производители электронных компонентов ежегодно сообщают о появлении новых линеек транзисторов и диодов с улучшенными характеристиками, давно очевидно, что для следующего витка развития силовой электроники необходима новая элементная база. Неполная управляемость, высокие потери при коммутации, наличие паразитных компонентов и прочие недостатки кремниевых полупроводниковых приборов серьезно ограничивают количество доступных схемотехнических решений и максимальную частоту переключений преобразователей, без чего КПД этих узлов станет недопустимо малым для практического использования.

Читать статью

 

geterostr_infin.jpg.42c6c3674954ded8308e1262c00b22ae.jpg

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this