Перейти к содержанию
    

GaN-транзисторы. Преимущества использования GaN-устройств в POL-преобразователях

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. GaN-транзисторы предоставляют целый ряд важных преимуществ при построении низковольтных и сильноточных POL-преобразователей для телекоммуникационных и серверных приложений.  Однако, чтобы максимально использовать эти преимущества, необходимо обратить внимание на некоторые ключевые аспекты, касающиеся выбора топологии и трассировки печатной платы.

 

Подробнее>>

 

GAN4_3.png.7e59537645c8e89192578b4033c24651.png

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...