[Plain 166]

8 минут назад, oleg-n сказал:

Ну давайте возьмем ну например CFH40006S

До этого момента в теме был лишь один пример от Вас — TGA2576, именно они у Вас мёрли, как мухи, и я говорил сугубо про их паспорт.

Изменено 4 декабря, 2019 пользователем Plain

[oleg-n 5]

Так и у TGA2576   так же   Gate Voltage (VG)  −8 to 0 V 

про предел в -5в  не слова.

Я вообще не слышал не об одном компоненте с таким пределом по затвору .

Ткните носом, узнаю что то новое..

К тому же уверен что с запасом параметры указаны..

 

Изменено 4 декабря, 2019 пользователем oleg-n

[Plain 166]

http://www.mouser.com/ds/2/412/TriQuint_TGA2576-FS-492078.pdf

[oleg-n 5]

7 minutes ago, Plain said:

http://www.mouser.com/ds/2/412/TriQuint_TGA2576-FS-492078.pdf

А вот от меня   file:///C:/Users/user/Downloads/TGA2576-2-FL Data Sheet.pdf

Разница только в том что добавлены ноги к корпусу

Скажу более... Думаю в первой версии даташита на кристал без ног  об ограничении в -5в   -ОПЕЧАТКА...

Изменено 4 декабря, 2019 пользователем oleg-n

[Plain 166]

Не, от Вас было лишь вот это:

В 04.09.2019 в 13:44, oleg-n сказал:

например вот TGA2576-FS

 

В тот же момент я сразу погуглил именно "-FS", и вылезла официальная бумажка, в которой 5 В и абсолютный предел, и рабочий номинал одновременно.

[oleg-n 5]

15 minutes ago, Plain said:

Не, от Вас было лишь вот это:

 

 

В тот же момент я сразу погуглил именно "-FS", и вылезла официальная бумажка, в которой 5 В и абсолютный предел, и рабочий номинал одновременно.

Думаю вы в глубине души понимаете что врядли производитель будет производить кристаллы с одной стороны с КРИТИЧНЫМ режимом и в то же время с рабочим..  - не логично .. особенно для серьезных контор. 

Уверен и при -10 вольтах на затворе - проблем не будет..

Да и что спорить..

Я этот топик создал лишь для того что возможно в ходе споров кто то поделится своими идеями и выложит свои решения и можно почерпнуть самое лучшее .. 

Множество раз убеждался в этом что даже если уверен в своих знаниях - в конце находишь более лучшее решение.

Не хочется делать вещи которые через определенный не продолжительный интервал времени выкинешь на помойку. 

 

 

Изменено 4 декабря, 2019 пользователем oleg-n

[Plain 166]

В глубине я понимаю, что никаких отдельных схем смещения не бывает, а исключительно контроллеры последовательности рабочих напряжений и токов, но в теме Вы об этом не говорите.

[oleg-n 5]

Ну почему же не говорил.. ?  Я не раз подчеркивал о последовательности подачи отрицательного напряжения -5в>-2,4в    >+28в. 

Да и не говорил о том что этот алгоритм нужно разделять на несколько собранных  источников питания.. Смысл ?

Мне хотелось бы всего лишь услышать идеи по реализации этого алгоритма .. и желательно схемотехнически..

[khach 32]

-5V это уровень гарантированного запирания транзистора. А вот уровень рабочей точки -2.4v это чистая абстракция. Из за миграции примесей в полупроводниковой струкутре в области затвора. И если в начале эксплуатации рабочая точка была -2.4v то через некоторое время она может стать и -2.2v и -2.8v для заданного экземпляра. Поэтому ее надо переопределять при каждом включении или через интервал времени. Грубо говоря измерять Drain current versus gate voltage характеристику в рабочем экземпляре усилителя. В принципе с этим справляется любой мелкий STM32 c АЦП-ЦАП на борту. Просто пока не привычно ставить в усилитель микроконтроллер для биаса.

[Plain 166]

6 минут назад, oleg-n сказал:

не говорил о том что этот алгоритм нужно разделять на несколько собранных  источников питания

 

А это что:

 

В 04.09.2019 в 17:54, oleg-n сказал:

выполнил данный узел на MAX881  - результат сгоревший модуль. Срабатывала защита в БП

В 09.09.2019 в 12:31, oleg-n сказал:

блок питания в защиту уходил.. т.е.  клацал как то

 

[__Sergey_ 0]

2 hours ago, oleg-n said:

 

 

15 hours ago, oleg-n said:

Не уверен что все так просто. Я так же собрал с десяток усилителей на ганах , подавал сразу примерно -2,4 вольта а потом на СТОК +28в, небыло проблем.

Ощутил проблеммы когда начал усилительными модулями с ганами на борту пользоваться, схема была достаточно грамотно сделана, аттенюаторы по входу и выходу драйверов.. как положено вообщем..

Происходили странные вещи в момент включения.. связанные со стартовым током.. Такого я не видел с транзисторами-одиночками..

Но я убежден что ЖЕЛАТЕЛЬНО подавать сначала -5 вольт а потом те же -2,5 в   , к тому же не просто так производители рекомендуют.

Да и Вы уверены в том что ваши усилители долго проживут с игнорированием вначале включения -5 вольта ?

А вот я не уверен..

 

Действительно, мы использовали только дискретные транзисторы. А такое требование у трикюинта вижу впервые.

На дискретных транзисторах я не видел кого-либо скачка тока в момент подачи напряжения стока.

Вижу физику этого процесса таковой: в момент подачи напряжения стока заряжается "миллерова" емкость сток-затвор и возрастает напряжение затвора что вызывает заброс тока. На дискретных транзисторах затвор висит на низком сопротивлении и заряд утекает быстро не вызывая увеличения напряжения затвора. Предположу что трикюинты в своих микросхемах развели затворы через какую-то жопу так что заряду сток-затвор некуда стекать быстро и это стало проблемой.

Советую попробовать пойти совсем другим путем: застабилизировать напряжение затвора раз и навсегда, а импульсы питания стока сделать с затянутыми фронтами на столько на сколько позволяет совесть - до микросекунд. Сделать это можно очень просто: добавить емкость между стоком и затвором питающего ключа и резистор в ему затвор. Такое решение будет куда более эффективным по сравнению с навороченным "сиквенсером".

[oleg-n 5]

1 hour ago, Plain said:

 

А это что:

 

 

 

И что ? Я не понимаю к чему вы копируете ранее опубликованное ?  В статье что то не так ?

[Plain 166]

Не знаю, что за статья, но контроллера последовательности в Ваших сообщениях не видно.

[oleg-n 5]

20 minutes ago, Plain said:

Не знаю, что за статья, но контроллера последовательности в Ваших сообщениях не видно.

MAX881 - это и есть контроллер последовательности , точнее он реализован в данной микре.. помимо конвертера..  

Единственное что там нет 3 ступени..  вот я и затеял этот топик .. возможно появится инфа о анологичных микрах или сторонних решениях..

45 minutes ago, __Sergey_ said:

 

Действительно, мы использовали только дискретные транзисторы. А такое требование у трикюинта вижу впервые.

На дискретных транзисторах я не видел кого-либо скачка тока в момент подачи напряжения стока.

Вижу физику этого процесса таковой: в момент подачи напряжения стока заряжается "миллерова" емкость сток-затвор и возрастает напряжение затвора что вызывает заброс тока. На дискретных транзисторах затвор висит на низком сопротивлении и заряд утекает быстро не вызывая увеличения напряжения затвора. Предположу что трикюинты в своих микросхемах развели затворы через какую-то жопу так что заряду сток-затвор некуда стекать быстро и это стало проблемой.

Советую попробовать пойти совсем другим путем: застабилизировать напряжение затвора раз и навсегда, а импульсы питания стока сделать с затянутыми фронтами на столько на сколько позволяет совесть - до микросекунд. Сделать это можно очень просто: добавить емкость между стоком и затвором питающего ключа и резистор в ему затвор. Такое решение будет куда более эффективным по сравнению с навороченным "сиквенсером".

 прошерстив интернет ..Я начал потихоньку накидывать схему аналогового биаса   с первоначальной подачей -5в и с током в запасе на пару сотню МА  ( не помешает) .. 

Можно конечно на контроллере все это дело реализовать, но не  хорошо применять микроконтроллер в одном корпусе с усилителем, особенно если он достаточно мощный, изолировать все это дело нужно будет хорошо..

Ищу решения реализации именно тупой аналоговой схемы без опорного генератора

  Хочу добавить причину..почему именно хочу реализовать БИАС с запасом по току..  Как узнать когда откроется ЗАТВОРНЫЙ ДИОД у гана и повлечет  за собою повышенный ток затвора ? 

Немного добавили мощности у драйвера и начались танцы с бубном.. и ток может стать не 10 ма а все 50ма  и транзистор ушел в утиль...!

 

Изменено 4 декабря, 2019 пользователем oleg-n

[Mishuroff 0]

10 hours ago, khach said:

-5V это уровень гарантированного запирания транзистора.

По постоянному току скорее всего да. То есть начальный ток Idq течь не будет. Но что же будет с транзистором по переменному току? Он может оказаться запертым не до конца.

Несколько лет назад задавал вопрос по транзистору Microsemi

Gate voltage, shown in datasheet, is -8V…0V. But noise is sufficiently rising at gate voltages between Vgate ON and Vgate OFF. Noise is low at Vgate=-12V…-14V.

Is gate voltage -14V allowable? Does reliability of transistor decrease at such voltage? Can you change datasheet information about gate voltages?

А вот ответ инженеров из Microsemi.

Using Vgs=-14V is allowable/acceptable without affecting reliability. In the figure supplied in the attached and below, we are not sure why the signal is not turning off at -9V and lower Vgs. Some customers are using -5V or -6V to turn off the transistor but are accomplishing modulation upstream in an earlier stage and do not use gate or drain modulation. If the modulation is accomplished upstream in a previous stage or with a mixer, the gate can still be coherently turned on and off to improve efficiency (see the attached white paper).

 

Так что важно знать каким образом и где происходит модуляция.

Если модуляция происходит при помощи управления затвором, то при недостаточном отрицательном напряжении затвор-исток есть шанс получить недостаточную глубину модуляции и иметь в сигнале "пьедестал".

Если модуляция происходит при фиксированном напряжении на затворе, но изменяющемся на стоке от 0 до 50, то есть опасность возбуждения транзистора, особенно если время нарастания и спада сигнала достаточно большие.

Если мы имеем дело с импульсными сигналами, и рабочая точка транзистора выбрана так, что через него протекает существенный начальный ток, то нельзя игнорировать тот факт что транзистор, питающийся, 50В будет выделять достаточно большое количество тепла, что катастрофически снизит КПД всей системы. Таким образом перед разработчиком встанет вопрос как повысить КПД. Собственно большинство производителей для этих целей рекомендует в паузах между импульсами держать транзистор запертым, чтобы ток Idq не протекал , а к моменту прихода рабочего импульса подготавливать транзистор и заранее устанавливать рабочую точку. 

 

Quote

 И если в начале эксплуатации рабочая точка была -2.4v то через некоторое время она может стать и -2.2v и -2.8v для заданного экземпляра. Поэтому ее надо переопределять при каждом включении или через интервал времени

Вы совершенно правы! По этому поводу, да и вообще у TriQuint есть полезная статья "Biasing GaN on SiC HEMT Devices"

 

Quote

Сделали пару-тройку схем с ГАН-нами и вообще не заморачивались с этой последовательностью - подавали сразу -2,4 вольта и дальше дергали +28 когда хотели и как хотели. Все работало и не горело, вернее горело совсем по другим причинам.

Ну так это "ошибка выжившего": сегодня сработало - завтра нет.

Quote

Тонкость с формированием затворного биаса, по моему только одна - там должен быть резистивный импеданс 30-100 ом по частотам ниже рабочей и до нуля, и никаких фильтров с индукивностями и ферритами

Тонкостей здесь несколько больше чем одна)

Импеданс схемы смещения должен выбираться с умом, для минимизации эффектов памяти и нелинейных искажений.

triquint_biasing_gan_on_sic_hemt_devices.pdf

10 hours ago, oleg-n said:

Как узнать когда откроется ЗАТВОРНЫЙ ДИОД у гана и повлечет  за собою повышенный ток затвора ? 

 

Снять амплитудную характеристику вашего транзистора, и понять где вы работаете: на линейном участке или в глубочайшей компресии.