Jump to content

    

AWR Проект усилителя на GAN транзисторе

56 minutes ago, oleg-n said:

Интересное решение..

А можно узнать параметры вашего модуля ??  s21 ?  s11 ? s22?

 

Это не мое, это https://ieeexplore.ieee.org/document/7935577

А я  пока с fish-bone структурой электродов HEMT секас имею, чтобы этих проблем с широкополосностью не было. Т.е просто транзистор надо делать по-другому.

 

 

 

Layout-of-a-fishbone-structure.png

Share this post


Link to post
Share on other sites
On 8/7/2019 at 4:05 PM, Halo_Gen said:

На Ваш взгляд данный экземпляр к чему отнести https://www.wolfspeed.com/rf/products/satellite-communications/cghv50200f? к усилителю или все же к транзистору? 

Мы говорим только о транзисторах (три ноги всегда). Усилители не интересны (цена и пр....). Что есть согласованный транзистор во всей рабочей полосе по даташитт проще понять оторвав крышку корпуса. Большинство смотрит завороженно на грубую железку-корпус и боится взглянуть внутрь. А внутри просто пассивное согласование и выглядит ужасно. Следующий уровень раздербанить кристалл. Микроскоп, спец ковырялки и простор для фантазий. Можно транзистор подпилить, полосочки и индуктивности подправить, развлекаловка интересная и можно получить удивительные параметры от этого транзистора (японцы тоже не боги и допиливать нет времени или желания)

Edited by MW_Юрий

Share this post


Link to post
Share on other sites

Отрывать крышку не обязательно- если согласование узкополосное, то это и так ясно из даташита. А вот как оно сделано- тут крышку отрывать прийдется или рентгеном светить. А там много интересных штук бывает- и распеределенный усилитель с линиями на отдельных подложках керамических и несколько кристаллов транзистора на общей подложке, и трансформатор импедансов на проволочках wire bonding и еще много инересных вариантов.  Т е о ситуации голый кристалл как то бондированный к выводам корпуса надо забывать- не работает это.

Share this post


Link to post
Share on other sites
On 8/21/2019 at 9:09 PM, khach said:

Это не мое, это https://ieeexplore.ieee.org/document/7935577

А я  пока с fish-bone структурой электродов HEMT секас имею, чтобы этих проблем с широкополосностью не было. Т.е просто транзистор надо делать по-другому.

 

 

 

Layout-of-a-fishbone-structure.png

А в чём принципиальные особенности таких транзисторов? Кто-нибудь с ними ковырялся? В некоторых статьях их позиционируют как транзисторы, имеющие большую выходную мощность с единицы площади, за счёт такой геометрии. Но где там эта экономия места?)) Те же стоки, те же истоки как и у более-менее стандартного СВЧ-транзистора. Да, чуть больше рассеиваемая мощность возможно за счёт дополнительного отвода тепла через стоки-истоки. Да и истоки в "обычных" транзиках тоже можно делать чуть шире и прямо под ними травить сквозные отверстия на обратную сторону. И до скольки Гиг применяют эти транзисторы? По-моему вверх по частоте там уже будут сильнее сказываться фазовые разности между затворами, расположенными ближе и дальше к затворному паду. Опять же в сравнении с классической топологией.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now