Перейти к содержанию
    

Здравствуйте, господа.

Пришел на ремонт силовой модуль от российского UPS СИП380А.
Часть схемы IGBT Gate драйверов приведена ниже:

ups.thumb.JPG.5b4a5f14744b13ce0f20cc023547990b.JPG


IGBT Gate драйвера для модуля PFC и инверторов выполнены в виде вертикально устанавливаемых платок.
Они абсолютно идентичны за исключением вырабатываемого DC/DC преобразователем выходного напряжения.


1_.jpg.965825495f90b34342179ba1ed79e78d.jpg   2_.jpg.a83e6b049f47d95d1e27fc4b2779e4bf.jpg


В случае с драйвером для инверторов все более-менее понятно. Вопрос только к номиналу сопротивления R4 - 4,75К.
На нем падает 24,8V - 16V = 8,8V. Соответственно, ток через стабилитрон ZD3 получается равным (24,8 - 16) / 4,75 = 1,85 mA - маловато будет.
И непонятно назначение цепочки R3, ZD1, ZD2. Могу предположить, что она участвует в "стабилизации" выходного напряжения DC/DC преобразователя для создания дополнительной нагрузки в 4 mA. Почему бы вместо этого не увеличить ток через ZD3?

А для драйвера PFC вторичная обмотка трансформатора TX1 содержит 9 витков провода, вместо 19 (при таком же количестве витков на первичной обмотке). Поэтому выходное напряжение ее DC/DC преобразователя составляет 16,2V.
Цепочка R3, ZD1, ZD2 не функционирует, а ток через ZD3 получается равным (16,2 - 13,8) / 4,75 = 0,5 mA. Стабилитрон ZD3 в этом драйвере установлен на 15V, но из-за такого маленького тока напряжение на нем достигает только 13,8V.
Возможно, для существующего режима работы PFC эти напряжения удовлетворительны (+13,8V и -2,4V), но ток через стабилитрон в 0,5 mA как-то не укладывается в картину мира.

 

Изменено пользователем beketata

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

К точке "Е" получается подключён конденсатор, зашунтированный 10 кОм, и подключённый к Кзап, поэтому да, схема плохая, начиная с разъёмного соединения.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Вполне рабочая схема. Непонятно другое. Зачем они форсируют открывание IGBT (диоды D1, D5)?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

11 часов назад, sergey.ka сказал:

Вполне рабочая схема. Непонятно другое. Зачем они форсируют открывание IGBT (диоды D1, D5)?

А как там форсирование открытия IGBT происходит если сопротивления затворных резисторов R9, R12, R3, R1 одинаково по 10 Ом каждый?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Да никак. Диоды нужно перевернуть, R1,R12 увеличить раза в два. Поставить снабберные емкости.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

1 час назад, Nicolai326 сказал:

А как там форсирование открытия IGBT происходит если сопротивления затворных резисторов R9, R12, R3, R1 одинаково по 10 Ом каждый?

Включают(заряжают затвор) через 5 Ом, выключают(разряжают затвор) через 10 Ом.

Только я бы не рекомендовал там что-то менять, возможно они так траекторию IGBT формируют с какой-то целью.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

2 hours ago, Nicolai326 said:

А как там форсирование открытия IGBT происходит если сопротивления затворных резисторов R9, R12, R3, R1 одинаково по 10 Ом каждый?

Очень просто. На переднем фронте импульса ток затвора в 2 раза больше. Работая на индуктивность разумнее делать наоборот, чтобы уменьшить амплитуду выброса.

Изменено пользователем sergey.ka

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Накидал схемку в симуляторе. Разница в разрядном и зарядном токе получается небольшая. Не в два раза. Пробовал и с транзистором и с емкостью имитирующей затвор транзистора. Что то делаю не так, а что?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

1 minute ago, Nicolai326 said:

Накидал схемку в симуляторе. Разница в разрядном и зарядном токе получается небольшая. Не в два раза. Пробовал и с транзистором и с емкостью имитирующей затвор транзистора. Что то делаю не так, а что?

Всё так вы делаете. Надо учитывать динамическое сопротивление диода.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Вы имеете в виду что симулятор не учитывает динамическое сопротивление диода?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

2 minutes ago, Nicolai326 said:

Вы имеете в виду что симулятор не учитывает динамическое сопротивление диода?

Учитывает. Значение тока в расчётах отличается не в 2 раза. 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Получается тогда предположение о существенной разнице токов заряд разряд при равных сопротивлениях затворных резисторов неверно?

Изменено пользователем Nicolai326

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Уважаемые участники обсуждают здесь вопрос открывания и закрывания IGBT транзисторов для модуля инверторов (цепочка R1, D1, R3).
Но никого почему-то не смущает способ формирования открывающего и закрывающего напряжений для схемы PFC на основе недооткрытого стабилитрона с током через него в 0,5 mA.
Вот, например, рекомендация по расчету данного узла из документа "IGBT Gate Driver Reference Design for Parallel IGBTs" от TI. 15 mA - это понятно, а вот 0,5 mA - нет.
Недооткрытость стабилитрона скорее всего спасают емкости C10 и C12, но выглядит это как-то кривовато. Такое ощущение, будто схему откуда-то слизывали, но "недолизали".

 

ti.thumb.jpg.e55d90fb7725cb2b7e7e2375123ae457.jpg

 

Изменено пользователем beketata

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

24 минуты назад, beketata сказал:

15 mA - это понятно, а вот 0,5 mA - нет

Смотря какой стабилитрон. Для серии MMSZ46xx 0,5 мА - вполне нормальный ток.

25 минут назад, beketata сказал:

Такое ощущение, будто схему откуда-то слизывали, но "недолизали"

Это типичная китайская поделка. "Российского" здесь только название.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

5 minutes ago, wim said:

Смотря какой стабилитрон. Для серии MMSZ46xx 0,5 мА - вполне нормальный ток.

Если бы ток был "нормальный", то и напряжение на нем было бы 15V, вместо 13,8V. Ток я пробовал поднимать - где-то с 2 mA и выше напряжение устаканивается возле 15V.
Судя по MARKING CODE - "H5" похоже, что это MMSZ5245B-F, корпус SOD123F.

Насколько я понимаю, дело ведь не только в "голом" напряжении на стабилитроне. Так как силовой модуль сейчас находится в нерабочем состоянии - измеренные напряжения статические, т.е. на драйвер было просто подано питающее напряжение 15V без подключения его к IGBT транзисторам и без подачи на вход управляющего сигнала. А в реальной работе для переключения IGBT будет необходим определенны ток (при определенном напряжении), который в данном случае и определяется параметрами цепочки из стабилитрона и сопротивления.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...