Jump to content

    

NSBT - Not Saturable Bipolar Transistor

On 5/8/2019 at 1:51 PM, wim said:

 

thickman, скажите, мой недонасыщенный транзистор и ваш вывод транзистора в активную область перед выключением, это случайно не одно и тоже?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Если у Вас транзистор тоже крепко насыщен на всем этапе проводящего состояния, но выходит из насыщения лишь перед тем моментом, когда начинается этап активного запирания - значит мы с Вами придерживаемся одного правила. Но этот метод не мой, он давно известен.   

Share this post


Link to post
Share on other sites

У меня он в активной области всё время работы схемы.

Share this post


Link to post
Share on other sites

 Таки в активной? Иногда считают, что раз напряжение на коллекторном переходе больше Вольта, значит всё, нет насыщения. Это ошибка, у высоковольтного транзистора довольно большое сопротивление коллекторной области даже при прямом смещении перехода. Приводил же картинки. Вы же не можете в своей схеме контролировать напряжение чиста перехода, а падение напряжения на коллекторной области при токах уже в несколько Ампер сводит на нет все потуги, независимо от того, сколько у Вас там в схеме скоростных операционников. Не верите, - попробуйте в железе. При фиксированном напряжении на коллекторе (типа ненасыщен транзистор, целый же Вольт на нём, ага) -  всё равно с ростом тока коллектора будет вдруг появляться и разрастаться этап  рассасывания, соответственно, и время спада Ik при выключении тоже будет затягиваться с ростом тока.

Edited by thickman

Share this post


Link to post
Share on other sites

Но, вы же не будете отрицать того, что выведение транзистора из насыщения, даже частичное, уменьшает заряд в базе?

Share this post


Link to post
Share on other sites

 Не буду отрицать. Если увеличение статических потерь раза в два-три не актуально, тогда нет проблем. Например, для маломощных преобразователей. Но я лично без особого энтузиазма представляю себе горсть скоростных операционников с ТОС в, например, зарядном для смартфона.

 

Edited by thickman

Share this post


Link to post
Share on other sites

Дело в том, что речь идёт об уменьшении, а не об увеличении статических потерь. Если для IGBT падение напряжения составляет 2-3В, то для BJT в моей схеме это 0,3-0,5В

Share this post


Link to post
Share on other sites

Оставьте эти виртуальные фантазии. Было дело, я проверял в железе самолично на хороших и довольно дорогих транзисторах, BUX348 например. Остаточное напряжение на высоковольтном биполяре в пределах 0.3-0.5V  - это на серьёзном токе (несерьёзное зарядное для смартафона или планшета оставим в  покое) -  глубоко насыщенный режим, со всеми вытекающими. При сколь-нибудь приличных токах, когда уже применение IGBT становится актуальным, такой метод "как бы недонасыщения" признан неэффективным, уже много лет назад.

Share this post


Link to post
Share on other sites
26 minutes ago, thickman said:

BUX348 например

Как насчёт FJL6920?

Share this post


Link to post
Share on other sites
3 hours ago, SAVC said:

Как насчёт FJL6920?

А вместо какого именно IGBT?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Ну, например, четыре таких транзистора, вместо IKW40N120. Или лучше APT40GP90, IGBT на сравнимое напряжение - 900В.

Share this post


Link to post
Share on other sites
В 06.05.2019 в 13:51, alexunder сказал:

должен проигрывать кремниевым биполярам по цене

Может знаете, почему не делают IGBT со структурой NPN и комплементарной парой NMOS-PMOS, т.е. замыкающей КБ и ЭБ соответственно? В один техпроцесс вроде всё влезает.

Share this post


Link to post
Share on other sites
3 hours ago, Plain said:

Может знаете, почему не делают IGBT со структурой NPN и комплементарной парой NMOS-PMOS, т.е. замыкающей КБ и ЭБ соответственно? В один техпроцесс вроде всё влезает.

А что будет с переходом ЭБ при замыкании КБ?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Затворы соединены, истоки соединены и подключены к базе, стоки к коллектору и эмиттеру — следовательно, одним двуполярным сигналом база переключается между коллектором и эмиттером.

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 hour ago, Herz said:

А что будет с переходом ЭБ при замыкании КБ?

https://www.power-e.ru/2010_5_24.php - именно так и работал "побистор", поле-биполярный ключ с автоматическим ограничением насыщения. Не понятно, почему структура IGBT развивается исключительно в том направлении, которое было предложено айаровцами в 1985 году, спустя семь лет после появления побистора.

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now