SAVC 0 4 мая, 2019 Опубликовано 4 мая, 2019 (изменено) · Жалоба Предлагаю вашему вниманию идею схемы управления мощным высоковольтным высокачастотным транзистором, которая держит его на границе насыщения, что обеспечивает быстрое закрытие, сравнимое со скоростью работы аналогичного полевого транзистора. circuit4-switching-LM318-BC807.cir BUL45D2-D.PDF биполярный транзистор с антинасыщением FJL6920-D.pdf мощный высоковольтный биполярный транзистор, 10A при 0.3V AD817.pdf дофига высокоскоростной операционник 350V/us isl28190-290-1528863.pdf 50V/us PBSS4021NZ.pdf Low V_ce(sat) bipolar transistor 20V 8A NPN NSS12201L-D.PDF 12V 4A NPN 2SC3307.pdf 2SA1329.pdf применённые в модели транзисторы NC7SB3257.pdf мультиплексор http://savvc.000webhostapp.com/nsbt/ страница поддержки проекта здесь я буду дальше вести тему, можно будет скачать все материалы Изменено 4 мая, 2019 пользователем SAVC Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
HardEgor 56 4 мая, 2019 Опубликовано 4 мая, 2019 · Жалоба Занимались этим 20 лет назад, самым лучшим решением для минимизации насыщения был признан диод между базой и коллектором. Для быстрого выключения также подавали отрицательное напряжения. Естественным образом получилось что базой надо управлять через трансформатор. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Егоров 0 4 мая, 2019 Опубликовано 4 мая, 2019 · Жалоба Все это пройдено еще при царе Горохе. Диод меж базой и коллектором - лучшее, что удалось придумать. Да, и запирание другой полярностью тоже. А все эти дополнительные операционники - от идеализации теоретических представлений . Работать оно не будет. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SAVC 0 5 мая, 2019 Опубликовано 5 мая, 2019 · Жалоба Не, диод - не лучшее решение. Схемы с диодом для высоковольтных транзисторов - это соревнование двух pn-переходов. Какой победит. Не надёжно. У более сложных схем, например, как моя, есть свои недостатки, которые, впрочем, можно победить. Зато, стабилизация напряжения в открытом состоянии происходит всегда на заданном уровне. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
тау 20 5 мая, 2019 Опубликовано 5 мая, 2019 · Жалоба 4 часа назад, SAVC сказал: Зато, стабилизация напряжения в открытом состоянии происходит всегда на заданном уровне. Это утверждение основано не на опыте практического применения в разработках, прошедших более-менее полные испытания, а, вероятно, после некоторых попыток что-то там просимулировать. Уверяю Вас, всё на самом деле не так, как выглядит в симуляторной "действительности". По одной простой причине - спайс симуляторы очень криво и недостоверно отражают процессы рассасывания в диодах и биполярных транзисторах. Это данность, с которой приходится смириться, и Вам тоже. Сколько вёдер мощных биполяров Вы уже имеете в копилке личного опыта ? ни одного ? Это я вангую, глядя на Вашу схему :))) Случаи, когда нагрузка представляет собой чисто резистивный импеданс, настолько редки, что можно даже не заморачиваться с этим (схема1). Реальные нагрузки имеют сложный импеданс (особенно это касается слов "высокочастотная схема, "высоковольтный высокачастотный транзистор"). С реальными нагрузками, во время "открытого состояния" транзистора, ток коллектора не постоянен. Ваша схема это учитывает ? Виден какой-то мутный полевичок в базе во второй схеме. Он что , базу выходного биполярного транзистора закорачивает ? Это неудовлетворительное решение для мощного высоковольтного б/п транзистора. Прошу усвоить ( или хотя бы прислушаться) к следующей мысли: Оптимальное использование ключевого биполяра состоит в том, чтобы минимизировать статические и динамические потери в целом, комплексно. Для этого транзистор во включенном режиме выводят в выключенное состояние подбирая траекторию тока базы перед тем как транзистор начнет переходить в закрытое состояние с тем, чтобы минимизировать время спада тока коллектора. Именно траектория тока базы с ненулевым временем, а с определенной скоростью падения тока в базе это обеспечивает. В высоковольтных схемах это непреложный закон жизни, с которым Вы еще не сталкивались в реальности, очевидно. Обычно для npn-ключа это какая-то индуктивность , коммутируемая к источнику с отрицательным потенциалом. В некоторых случаях её роль играет индуктивность рассеяния трансформатора управления, например. Значение этой индуктивности и запирающего потенциала- не с потолка. Либо более сложная схема, рассеивающая лишние ватты, если пытаться обходиться без индуктивности. Так вот, полевичок тупо "закорачивает" базу на потенциал эмиттера в схеме2. Траектория тока базы тут - говно, время спада тока коллектора будет далеко от оптимума. Ну а в первой схеме Вы просто обрываете ток базы, оставляя её в подвешенном состоянии. За это надо отрывать руки и запрещать доступ к компу. Учитывайте еще пожалуйста инерционность всяких там петель ОС по режиму, они же могут служить источником причин отказов: пока выйдет на режим, транзистор 100500 раз успеет побывать за пределами области безопасной работы. Вам предстоит набраться опыта из практики, перед тем как публиковать малополезные схемы и результаты их симуляций. Крепитесь и не обижайтесь, пожалуйста. Вот, из ведра достал, 17 лет уж прошло, а руки помнят: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Егоров 0 5 мая, 2019 Опубликовано 5 мая, 2019 · Жалоба 2 часа назад, тау сказал: пока выйдет на режим, транзистор 100500 раз успеет побывать за пределами области безопасной работы. Вам предстоит набраться опыта из практики, перед тем как публиковать малополезные схемы и результаты их симуляций. Крепитесь и не обижайтесь, пожалуйста. Да уж, домашняя дума в дорогу не годится. Спаяйте и увидите. Критерий истины - практика. Ну и полведра сожженных корпусов - тоже продвигают к истине :) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SAVC 0 5 мая, 2019 Опубликовано 5 мая, 2019 · Жалоба Имеется вот такой макет, который, вроде бы, работает. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Herz 4 5 мая, 2019 Опубликовано 5 мая, 2019 · Жалоба Порадовали. Когда человек переходит к практике, дело всегда идёт веселее. Макеты напомнили мне собственную юность. Эх, ностальгия... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
крупный радиолюбитель 1 5 мая, 2019 Опубликовано 5 мая, 2019 (изменено) · Жалоба On 5/4/2019 at 12:27 PM, SAVC said: держит его на границе насыщения Граница насыщения для высоковольтного мезапланарного биполяра с толстой высокоомной коллекторной областью - на картинке (рис 3), она Вас несколько расстроит. Это отец отечественного биполяростороения Е.З. Мазель вырисовывал, а кому следует доверять - Мазелю или микрокапу, Вам однозначно покажут несложные лабораторные работы с настоящими (не виртуальными!) транзисторами :) Изменено 6 мая, 2019 пользователем thickman Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SAVC 0 6 мая, 2019 Опубликовано 6 мая, 2019 · Жалоба Ну, что тут скажешь. ОК, я не прав. Я не вывожу транзистор на границу насыщения, я только слегка вывожу его из насыщения. Но, поверьте, это уже много. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
крупный радиолюбитель 1 6 мая, 2019 Опубликовано 6 мая, 2019 (изменено) · Жалоба Много чего? Быстрое рассасывание, быстрый спад коллекторного тока, или много горелых транзисторов? На картинке выключение транзистора 13005 в запредельных режимах. Напряжение питания 800V(!) (желтый луч - напряжение на коллекторе, 200В/дел) ток коллектора - более четырёх Ампер (синий луч, 2А/дел). Глубокое насыщение транзистора в открытом состоянии, однако спад тока коллектора около 50 наносекунд. И ни одного ОУ в базовых цепях. 13005.bmp Изменено 6 мая, 2019 пользователем thickman Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 151 6 мая, 2019 Опубликовано 6 мая, 2019 · Жалоба 19 часов назад, тау сказал: а в первой схеме Вы просто обрываете ток базы, оставляя её в подвешенном состоянии. За это надо отрывать руки и запрещать доступ Следовательно, это проклятие равноприменимо и в отношении изобретателей, производителей и пользователей БТИЗ. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SAVC 0 6 мая, 2019 Опубликовано 6 мая, 2019 · Жалоба thickman, здорово. А можете показать сигнал управления на графике тока? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
крупный радиолюбитель 1 6 мая, 2019 Опубликовано 6 мая, 2019 (изменено) · Жалоба У меня эмиттерная коммутация, она необходима для получения максимально широкой ОБР. В Вашей схеме на таких режимах ключи умерли бы на первой миллисекунде. В принципе, для получения быстрого спада ЭК не нужна, она не так уж сильно помогает. Обязательное условие – вывод транзистора из насыщения до момента активного запирания, а до этого момента он может быть глубоко насыщен. На картинах транзисторы помощнее – MJE13009. Выключение на токах 6-7 ампер. Изменено 6 мая, 2019 пользователем thickman Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Baza 21 6 мая, 2019 Опубликовано 6 мая, 2019 · Жалоба Красиво! Это чем то похоже на старые IR аппноты по каскодному включению пары мосфет-биполяр Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться