terraelectronica 0 21 апреля, 2019 Опубликовано 21 апреля, 2019 (изменено) · Жалоба Использование нитрид-галлиевых полевых транзисторов, например, в обратноходовых преобразователях, позволяет добиваться значительного повышения эффективности источников питания. В данной статье раскрывается, за счет чего это происходит. Ни для кого не секрет, что эффективность современных импульсных источников питания практически всегда превышает 90%. Дальнейшее, даже незначительно увеличение КПД, становится все более сложной задачей. Внедрение новых силовых компонентов, изготовленных из полупроводниковых материалов с широкой запрещенной зоной, таких как нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), дает разработчикам некоторые важные преимущества. Переход от кремниевых силовых ключей к силовым GaN-транзисторам позволяет значительно уменьшить габариты магнитных компонентов в источниках питания, в частности трансформаторов. Читать далее>> Изменено 21 апреля, 2019 пользователем terraelectronica Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
