Jump to content

    

TPS562200. Покритикуйте топологию.

12 минут назад, x893 сказал:

Да этот хорошо во всех смыслах, кроме где взять под серию. В свое время заложили в проект, потом из-за отсутствия на рынке и длительных L/T полгода ждали.

Share this post


Link to post
Share on other sites
2 hours ago, x893 said:

Думал, и даже купил пяток на пробу.

Но оно оказалось на столько микроскопическо-малюсенько-нежное что отказался,

да и где-то в соседних ветках форума отсоветовали из-за не дружественного корпуса и большей температурной нагрузки.

 TPS562200 VS TPS82140SILT

И доступность и цена оного не радует.

2 hours ago, Aner said:

Незачет. Ссылку на доку или упоминание о выгорании от TI please.

я такой инфы ещё не нагуглил пока :biggrin:

2 hours ago, Aner said:

но вот с подбором производителя катушки пришлось выбрать из десятка одного.

и кого выбрали?

Я пробовал несколько разных от SUMIDA (CDRH8D38NP)(CDRH6D38NP) и от TDK (CLF7045) с любыми работает нормально.

Но особо не тестировал. Просто подал питание и посмотрел выход при постоянном потреблении примерно 0.5 А

Заметил только что пульсации на выходе сильно зависят от величины входного напряжения.

До 12В всё хорошо, а если подать больше появляются пульсации на выходе.

Причём чем выше входное тем больше размах пульсаций.

С дросселем от TDK порог появления пульсаций на выходе выше.

Но меня это мало беспокоит поскольку после дц-дц стоит обычный линейный на 3.3В и после него никаких пульсаций нет при любом входном.

 

Заказал еще дроссель от Vishay (IHLP-2525CZ) жду пока. Хотя и не думаю что с ним картина изменится радикально.

Share this post


Link to post
Share on other sites
5 часов назад, zombi сказал:

А насколько принципиально 5В (VOUT) подключать к делителю (R1) именно от конденсатора С5?

Для преобразователей с большим выходным током есть микросхемы с дифференциальным входом FB(обратной связи), тогда есть возможность протянуть два провода от нагрузки, чтобы измерять напряжение непосредственно на ней и компенсировать падение на дорожках и проводах.

А у вас дешевый преобразователь с небольшим током, поэтому не смысла пытаться компенсировать падение напряжения 0.01 В на 1А :)

Share this post


Link to post
Share on other sites
3 часа назад, Aner сказал:

И вообще можно избавится от этих двух переходников, пробросив под U1 от пина 2 на C7(2) под чипом. 

GND переходники требуется распределить по (к) пинам компонентов а не сосредотачивать в одном месте.

Вот как раз если проводник на С7 будет под чипом, то через емкостную связь с чипом может наводить на FB и всю схему помеху от выбросов напряжения на L1.

И GND на R2 нежелательно шить переходными, потому что напряжение измеряется относительно GND вывода чипа, а если по этому куску трассы (чип-R2) потекут другие токи, то можно получить помеху. Это проблема одного вывода GND - все цепи должны сходиться на нём звездой.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Еще вариант расстановки компонентов (силовые цепи условно проведены тонкими проводниками, а не полигонами):

image.png.e0297b6fe14f584ccce2c0b3d39476e4.png

Да, GND входных конденсаторов не у вывода микросхемы.

Нет одного керамического конденсатора на выходе (можно поставить вместо тантала).

Осталась перемычка на нижнем слое (сигнал разрешения работы).

Но зато уменьшилась цепь между индуктивностью и микросхемой.

И под микросхемой ничего, кроме GND.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Итак, попробую подвести итог. Поправляйте если что.

Оставляю свою первоначальную топологию с небольшими изменениями:

1. передвину резисторный делитель ближе к ноге VFB преобразователя.

2. разрежу полигон VOUT (5V) дабы нагрузка была подключена к C5 и уже затем к C4,C3 и дросселю.

SW оставлю на нижнем слое.

Количество ПО между верхним и нижним полигонами земли уменьшу вдвое (оставлю по два на каждый конденсатор).

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Проредите via, на ширину их диаметра. Вам не нужна лишняя индуктивность для возвратных токов.

 

Спойлер

Картинки:

Screen Shot 2019-04-08 at 12.46.30 AM.png

Screen Shot 2019-04-08 at 12.48.52 AM.png

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
В 06.04.2019 в 14:05, Aner сказал:

Как скажите, наверное так и есть. Но молиться на их ANы не стоит. Я сам не раз ругался с их делателами в TI.

imp_00041.png

Да, так будет лучше. Ещё убрать лишний кусок 12V над U1. И как показано на этих скринах.

Share this post


Link to post
Share on other sites
On 4/5/2019 at 8:39 PM, HardEgor said:

И зачем столько переходных? Достаточно переходных в равноудаленной точке от С1, С3, U1.

Вот попалась картинка с кучей переходных. Чем обусловлена необходимость такого количества по?

1.jpg

Share this post


Link to post
Share on other sites
5 минут назад, zombi сказал:

Вот попалась картинка с кучей переходных. Чем обусловлена необходимость такого количества по?

Видимо теплоотводом на другие слои.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Написано в п.5. Именно, теплоотводом.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now