[zombi 0]

1 hour ago, x893 said:

http://www.ti.com/lit/ug/slvu985/slvu985.pdf

page 12

И?

[zombi 0]

У меня вот вопрос возник :

А насколько принципиально 5В (VOUT) подключать к делителю (R1) именно от конденсатора С5?

Может лучше вообще протащить дорожку через всю плату непосредственно от точки подключения нагрузки?

И землю на R2 не вести от центрального земляного полигона, а просто поставить рядом переходное на нижний слой?

[Aner 0]

12 часов назад, zombi сказал:

Ух ты ж сколько нюансов!

Т.е. если я разрежу нижний полигон 5В, то будет лучше? и пульсаций будет меньше на нагрузку поступать?

Зачем тут ( внизу) такой изгиб делаете? Вреден он. Как в песне той ... нужно прямо идти по прямой. Сшивка замель переходными по периметру импульсника, не столь частыми, оч желательна.

Нужно всегда смотреть через призму топологической звезды всех источников и вспоминать правила Кирхофа.

 

[zombi 0]

1 hour ago, Aner said:

Зачем тут ( внизу) такой изгиб делаете?

Дабы проводник SW никоим образом не попал непосредственно под чип преобразователя

 

Цитата из DS :

"10.1 Layout Guidelines

5. Do not allow switching current to flow under the device."

[Aner 0]

Ну и где тут комутируемый ток?

И вообще можно избавится от этих двух переходников, пробросив под U1 от пина 2 на C7(2) под чипом. 

Катушку нужно двигать еще ближе к чипу, так как верхний проводник от L1, будет излучать и образовывать нежелательные связи.

Нижний разрез нижнего пина L1 не имеет никакого смысла.

GND переходники требуется распределить по (к) пинам компонентов а не сосредотачивать в одном месте.

 

[zombi 0]

1 hour ago, Aner said:

Ну и где тут комутируемый ток?

Понятия не имею есть тама ток аль нет его.

TI  во всех DS-тах и рекомендациях не проводят этот проводник под чипом.

Дурни наверное безграмотные ?

[Aner 0]

Как скажите, наверное так и есть. Но молиться на их ANы не стоит. Я сам не раз ругался с их делателами в TI.

[zombi 0]

1 hour ago, Aner said:

Как скажите, наверное так и есть. Но молиться на их ANы не стоит. Я сам не раз ругался с их делателами в TI.

Предлагаете наплевать на рекомендации TI и поверить Вам?

[Aner 0]

AN делаются для других целей. Это только рекомендации ничего более. Нужно все же в своем проекте использовать знания, опыт, профи требования. Не хотите мне верить возмите симулятор и погоняйте, убедитесь. Я так делаю во многих проектах за многие годы проблем не было.   

Потом, может кто из опытных, тут еще выскажется по моей рекомендации. Ждите.

[zombi 0]

1 hour ago, Aner said:

Я так делаю во многих проектах за многие годы проблем не было.   

Вы в своих проектах применяете именно TPS562200/TPS563200?

Можете показать свой вариант трассировки?

1 hour ago, Aner said:

Ждите.

Да, конечно, буду рад полезным советам

[Aner 0]

Не только эти, десятки других от TI, LT, STM, ON + China_s DC/DC. У всех принцип и теория одна, мелких н'юансов не так и много. В этом чипе их нет.

[zombi 0]

Вот  еще такое утверждение нагуглил :

"При этом не допускается располагать дорожку от этого вывода до дросселя под корпусом микросжемы (в документации, Do not allow switching current to flow under the device). Нарушение этого требования приводит к физическому выгоранию микросхемы из-за наводок на ее внутренние цепи и одновременного открытия верхнего и нижнего ключевых транзисторов. Поэтому дорожка от вывода ключей до дросселя должна проходить по второй стороне платы. Причем так, что бы не оказаться под корпусом микросхемы."

Что то уже становится страшно 

еще :

"

Сначала плюсы:

• Маленькие размеры
• Высокий КПД
• Высокая точность поддержания выходного напряжения
• Малые пульсации выходного напряжения в рабочих режимах работы
• Наличие встроенной защиты от перегрева, превышения выходного напряжения, пониженного входного напряжения, короткого замыкания в нагрузке, перегрузки по току нагрузки.
• Даже в случае выхода микросхемы из строя в нагрузку не поступит высокое входное напряжение
• Минимум внешних деталей
• Есть вход включения/выключения преобразователя
• Малый собственный ток потребления

Минусов тоже хватает:

• Неудачная цоколевка. Выход ключа расположен таким образом, что не получается обойтись односторонней печатной платой.
• Повышенные пульсации выходного напряжения при малом токе нагрузки (режим прерывистых токов дросселя).
• Максимальный рекомендуемый коэффициент заполненния (скважность) 65%. То есть, минимальное входное напряжение определяется как V_in(min)=V_o/0.65. Например, для получения на выходе 5В на вход нужно подать не менее 7.7В
• Токовая защита построена на отслеживании среднего тока нагрузки (тока выходных ключей). Это не позволяет защитить ключевой каскад, например, от пиков тока при насыщении дросселя.
• Очень большая критичность к топологии печатной платы.
• Склонность микросхем к "сгоранию" в прямом сысле слова.

"

[zombi 0]

Ссылка на сайт

[Aner 0]

Незачет. Ссылку на доку или упоминание о выгорании от TI please.

То что этот чип капризный, неудобный как и большинство DC/DC от TI против LT это так. Но что бы причиной было выгорание из-за такой не/разводки это уж слишком жесткое объяснение того чела. В моих проектах с этим чипом такого "выгорания" не было, но вот с подбором производителя катушки пришлось выбрать из десятка одного.

[x893 0]

Может проще взять

http://www.ti.com/product/TPS82130?keyMatch=integrated inductor&tisearch=Search-EN-Products