Перейти к содержанию

    

Чудеса с драйвером SI8233

32 минуты назад, sanya221 сказал:

вообще не понял

https://www.st.com/resource/en/application_note/dm00101009.pdf

Изменено пользователем Plain

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Это или эффект Миллера, или драйвер. Чтобы разобраться, надо:

1. Включаете транзистор через 4.7 Ом. Выключаете на короткую. Это плохо для всего - сопротивление на вкл/выкл не должно быть ниже, чем рекомендует производитель, а у вас оно ниже некуда. Уберите диод вообще. Управление скоростью отключения актуально только при возникновении короткого замыкания. В вашем решении нет защиты от к.з., следовательно плавно выключать его не требуется. 

2. Параллельно затворам 2кОм. Это общая рекомендация. Когда схема обесточена(вообще обесточена) на затворе копится заряд. Если он дойдет до 20В, вы поменяете транзистор. Чтобы не произошло, нужно пассивно разряжать через 2кОм, в более мощных задачах ставится еще и стабилитрон для защиты от влияния Миллера при КЗ.  Ну или перемычку ставить при транспортировке и хранении

3. Параллельно затворам 20нФ. Это тоже общая рекомендация. Я не гарантирую, что емкость поможет, но если это вызвано эффектом Миллера, то емкость съест скачок

4. Даже при 4.7 Ом на включение и отключении dU/dt=40кВ/мкс в вашем решении. Выбранный вами драйвер гарантирует помехоустойчивость при dU/dt от 20 до 40кВ/мкс. Ну т.е. если это не эффект Миллера, вы работаете на пределе возможностей драйвера.

Если пункты 1,2,3 не помогут - меняйте драйвер. Запас по dU/dt должен быть двухкратным

5. Если 1,2,3 не помогают, поставьте 10 Ом..20Ом на затворы. В этом случае надо разбираться кто дает импульсы или транзистор или драйвер. Нужно измерить амплитуду импульсов до и после резистора в затворе (п.1.выполните в любом случае). Если амплитуда больше со стороны транзистора - значит транзистор, если со стороны драйвера- значит драйвер

Изменено пользователем somebody111

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

somebody111, к чему тут околовысокие материи, когда у автора два одиноко стоящих в степи транзистора, полное отсутствие силового питания, как понятия, а царствующие компоненты на плате — радиаторы.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты
22 часа назад, sanya221 сказал:

Самое обидное, что ранее делал инвертор с той же схемотехникой и c практически той же разводкой в районе драйвера, только с менее мощными транзисторами, и проблем не возникало. Кто нибудь сталкивался с подобным?

Емкости затворов "менее мощных транзисторов" во сколько раз меньше чем у IPW60R080P7?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Может быть попробовать поставить временно эти "менее мощные транзисторы " (или просто другие)? Часто эта околопролемная суета указывает правильную дорогу. 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

plain, спасибо конечно за участие в теме, но где вы на плате увидели "царствующие компоненты на плате-радиаторы", так же как и остальные моменты-ХЗ.
somebody111
Пока эффект миллера я исключаю хотя бы потому, что указанное выше безобразие проявляется даже при крайне низком питании ключей (24в) и он никак не должен еще проявляться при таких напряжениях.
 По dU/dt: в понедельник проверю. Вы в своих расчетах учитывали внутреннее сопротивление цепи затвора транзистора (если не изменяет память, тоже в р-не 4.7ом), и то что у меня полумост, т.е. при штатной работе напряжение на ключе 200в? Опять же см выше про работу на низком напряжении. Диод ставлю не сколько для ускорения закрытия транзистора, а сколько для более эффективного отвода энергии с затвора транзистора при заряде емкости исток-затвор в момент открытия верхнего ключа.При высоких значениях dU/dt и мощных транзисторах, у которых эта емкость большая бывает полезно. Вроде бы достаточно распространенная практика. В большое спасибо за развернутый ответ!

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Соберите (или задайте параметрами/компонентами) простую молотилку. С регулируемым рабочим циклом. Определите, при каком D начинает проявляться проблема.

Если это проявляется при подходе к максимальному заполнению, то проблема в ёмкости обмоток, и виновата конструкция трансформатора. Может помочь перевод на разрывный ток, если сейчас CCM.

Надо врезать в исток нижнего транзистора мелкий резистор 0,1Ом и глянуть на ток. Приличные отрицательные выбросы будут свидетельствовать о влиянии паразитной ёмкости.

Вторичная у вас не высоковольтная ли случаем?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Уберите обратный диод. Его не должно быть в схеме.В даташите на транзистор приводится внутреннее сопротивление и минимальное внешнее. Делать внешнее сопротивление ниже, чем рекомендует производитель транзисторов, не рекомендуется.Диод в схеме нарушает эти условия.Давайте сначало выполним требования производителей, общие рекомендации к построению подобных схем, а потом будем разбираться почему только у вас типовое решение работает не так. Может там банально производственный косяк платы и где-нибудь переходное отверстие разрушено

Изменено пользователем somebody111

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Cпасибо всем ответившим, проблема если не решена, то локализована.
Опишу, возможно кому-то пригодится. В микросхеме есть функция "Programmable Dead Time and Overlap Protection". время dt задается установкой внешнего резистора между выводом 6 и GND У меня в схеме стоял 100к, dt по формуле из DS должно получиться 1мкс. DT, обеспечиваемый  схемой формирования ШИМ более 2 мкс. После того, как отключил схему контроля DT (6 вывод ИМС соединил с VDDI) проблема исчезла. Почему такое происходит нужно разбираться отдельно. Но мне контроль dt не особо нужен, а сроки по изделию поджимают, поэтому на этом изыскания закончил.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Может у вас сигналы управления инвертированы/перепутаны местами?

Изменено пользователем somebody111

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

нет. Возможно, что это связано как-то с помехами. У меня цепь GND низковольтная неудачно разведена, от микросхемы до полигона GND около 5 см и переходное только одно поставил с дорожки на полигон. Хотя конденсатор стоит непосредственно у ИМС. Но это ничем  не подтвержденное предположение.

TEK0013.jpg.acb57b8de3a10eb67a0a506588972074.jpg

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты
6 часов назад, sanya221 сказал:

нет. Возможно, что это связано как-то с помехами. У меня цепь GND низковольтная неудачно разведена, от микросхемы до полигона GND около 5 см и переходное только одно поставил с дорожки на полигон. Хотя конденсатор стоит непосредственно у ИМС. Но это ничем  не подтвержденное предположение.

Так подтвердите,  можно запаять медную ленту между, а можно насверлить в плате дырок и напаять побольше проводников. Делов-то на час.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь

Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий

Создать учетную запись

Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!

Регистрация нового пользователя

Войти

Уже есть аккаунт? Войти в систему.

Войти
Авторизация