[Vlad_G 6]

STM32F030xxxx, наверное, и другие мк STM32. Использую флеш как eeprom. И вот возник такой затруднений. Циклы флеша расходуются только при стирании страницы или и при записи каждого байта? 

Чтоб понятней. Вначале я стираю всю страницу, потом записываю байты по разным адресам уже не стирая всей страницы. Раньше флеш не использовал в таком виде, как-то не задумывался.

 

[_4afc_ 24]

Грубо, из того что знаю:

На 99.9 циклы расходуются при стирании.

на 0.05 при записи

но также информация портится и при чтении, и при магнитном, и при температурном воздействии...

 

PS: проценты с потолка...

[xvr 12]

Грубо говоря ресурс флэша считается отдельно для каждой ячейки. Так что при последовательной записи в страницу будет израсходован 1 цикл (когда допишете флэш до конца)

 

[Vlad_G 6]

Мнения расходятся и тырнет, тоже в этом вопросе не помогает.

Собственно из-за чего весь сырбор. В DS на F030 (таблица 40) указано, что стойкость флеша 1килоцикл (может опечатка, поскольку на F031, в той же табл. 40, фигурирует уже 10K). Немного. Но пришла мысля заполнять флеш последовательно - ищем первую свободную ячейку и пишем туда, в следующую запись берем следующую ячейку и т.д. При чтении ищем последнюю ячейку не равную FFFFFFFF и это будут актуальные данные. Забили весь флеш - стерли страницу и заново.

В одну страницу (1 килобайт), не стирая ее, можем записать 256 раз и в итоге имеем в резерве 256 тысяч записей. Уже что-то. 

Вопрос весь в том, если при записи одной ячейки флеш расходуется так же как и при стирании страницы, то на фиг нужно заморачиваться с алгоритмом. Тогда спокойно можно работать с выбранной ячейкой и не париться.

 

ЗЫ. Поставить EEPROMку не могу, монтаж и так уже с двух сторон.

[Segment 3]

8 минут назад, Vlad_G сказал:

Собственно из-за чего весь сырбор. В DS на F030 (таблица 40) указано, что стойкость флеша 1килоцикл (может опечатка, поскольку на F031, в той же табл. 40, фигурирует уже 10K). Немного. Но пришла мысля заполнять флеш последовательно - ищем первую свободную ячейку и пишем туда, в следующую запись берем следующую ячейку и т.д. При чтении ищем последнюю ячейку не равную FFFFFFFF и это будут актуальные данные. Забили весь флеш - стерли страницу и заново.

В одну страницу (1 килобайт), не стирая ее, можем записать 256 раз и в итоге имеем в резерве 256 тысяч записей. Уже что-то. 

Вы почти изобрели Wear Leveling =)

[jcxz 184]

5 часов назад, Vlad_G сказал:

Циклы флеша расходуются только при стирании страницы или и при записи каждого байта?

Имхо - только при стирании.

43 минуты назад, Vlad_G сказал:

ЗЫ. Поставить EEPROMку не могу, монтаж и так уже с двух сторон.

Так поставьте МК со встроенной FRAM и вообще забудьте о таких проблемах как выравнивание износа и т.п.  

[Obam 30]

Его бы сделать было бы не хило ;-)
У кого "ARM, 32 bit" (тема, да?) c FRAM на борту есть?

[Flood 12]

Со стойкостью в 1000 циклов надежнее провести практический эксперимент. Скорее всего реальная стойкость окажется в 10-100 раз лучше, но все равно получается обозримое время. Микросхемы не слишком дорогие, можно извести несколько штук ради науки.

[Arlleex 131]

Некоторые STM8 имеют ресурс Program NVM 100 циклов. Именно 100. Не 100 тысяч, а 100. И, судя по отзывам, некоторые микросхемы дохли после ~80-го цикла прошивки, а некоторые жили дольше 200 циклов. Так что тут не угадаешь.

ИМХО, отлаживаться нужно на жирном железе (в плане ресурса по износу Flash), а в серию пихать малоресурсные.

[mantech 34]

1 час назад, Flood сказал:

Со стойкостью в 1000 циклов надежнее провести практический эксперимент. Скорее всего реальная стойкость окажется в 10-100 раз лучше, но все равно получается обозримое время.

Все правильно в даташите написано "не менее..." может быть и 100К раз, но в конкретной партии, след. партия выдержит на 10 циклов больше, чем указано, поэтому толку от этого эксперимента ноль.

[Flood 12]

1 час назад, mantech сказал:

Все правильно в даташите написано "не менее..." может быть и 100К раз, но в конкретной партии, след. партия выдержит на 10 циклов больше, чем указано, поэтому толку от этого эксперимента ноль.

Эксперимент для сравнения стирания с частичной записью страницы, а не для измерения абстрактной стойкости к износу.

[jcxz 184]

В 28.01.2019 в 21:26, Obam сказал:

У кого "ARM, 32 bit" (тема, да?) c FRAM на борту есть?

И что что у ТС ARM? 99% вероятность что он там по причине наличия Куба. И для решения задачи вполне возможно подойдёт MSP430 с FRAM.

[Vlad_G 6]

13 hours ago, jcxz said:

99% вероятность

Не угадали. Куб вторичен (грех не пользоваться если есть, но, все есть лекарство и все есть яд, все дело в дозировке).  Контроллеров много с EEPROM, а наследство одно. Вот и приходится осваивать по ходу пьесы. Лично я поставил б микрочип, хватило бы заглаза.

За мнения спасибо! Реально, да, остается экспериментальная проверка. Придут чипы - попробую, сейчас кошки закончились :о)

[Obam 30]

И что что у ТС ARM?

то, что не MSP... давайте хохмы ради спросим у ТСа - на какой частоте у него ядро "молотит": если до 25МГц, то - да, 430й с FRAMом (и заметьте - ни у кого, кроме TI, процов с такой памятью нет) - альтернатива.

[Vlad_G 6]

20 hours ago, Obam said:

хохмы ради спросим у ТСа - на какой частоте у него ядро "молотит"

По частоте - 48 мег, ради 11 битного шима на частоте 23 кгц.

Изменено 2 февраля, 2019 пользователем Vlad_G