Jump to content

    

via on pad

Есть разъем, который будет паяться на smd контактные площадки, к который подключается высокоскоростная дифпара(скажем - 10Г). Как лучше подвести дифпару к этим КП из внутреннего слоя:

1) подвести и рядом перейти на наружный и уже потом подсоединить к КП посадочного места разъема;

2) поставить ПО прямо на КП с металлизацией поверхности КП под пайку разъема?

Как бы хотелось попробовать вариант 2), скорее всего там с путями для возвратных токов ситуация получше будет, но хотелось бы понять - нет ли каких влияний в этом случае на высокоскоростные сигналы? Ведь, такое ПО будет заливаться неким наполнителем и потом закрываться медью?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Наполнитель там смола, считай изолятор для СВЧ толерантный, решение прямо в переходное идеальное для высокоскоростных линий. Если это будет 10G то лучше вести на максимально противоположном

от разъема слое, чтобы "хвост" переходного был минимальный  по длине, т.н. стаб.

Share this post


Link to post
Share on other sites
10 hours ago, keln said:

Есть разъем, который будет паяться на smd контактные площадки, к который подключается высокоскоростная дифпара(скажем - 10Г).

Вы можете показать футпринт разъема и диффпару свою? С какого на какой слой переход идет?

Про VIP и стабы правильно написали, но это еще не все.

Share this post


Link to post
Share on other sites

А кто умеет 10G по диффпаре? И на какое расстояние? Правда очень интересно.

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 hour ago, one_eight_seven said:

А кто умеет 10G по диффпаре? И на какое расстояние? Правда очень интересно.

В принципе все топовые FPGA(1,2) могут сильно в 10G+ например, разные отдельные трансиверы(1,2)- и next-gen интерконнекты подвезли. Просто 10G и чуть больше есть весьма давно. С расстоянием все сложнее:biggrin:, но с оглядкой на то что это все под датацентры в первую очередь и всякие HPC приблуды могут быть разные варианты, бакплейны люди тоже пилят
1.png

Share this post


Link to post
Share on other sites
53 minutes ago, EvilWrecker said:

В принципе все топовые FPGA(1,2) могут сильно в 10G+ например, разные отдельные трансиверы(1,2)- и next-gen интерконнекты подвезли. Просто 10G и чуть больше есть весьма давно. С расстоянием все сложнее:biggrin:, но с оглядкой на то что это все под датацентры в первую очередь и всякие HPC приблуды могут быть разные варианты, бакплейны люди тоже пилят

Нет. Никто из перечисленных вами не умеет это делать по диффпаре. Да я и не представляю какой там будет звон на подложке с низкими потерями. Ну а, собственно, на подложке с высокими потерями - далеко не уйдёт. Какие уж тут разъёмы.

Подозреваю (знаю, вообще-то), что передаются эти дела не по одной диффпаре.

Edited by one_eight_seven

Share this post


Link to post
Share on other sites
3 minutes ago, one_eight_seven said:

Нет. Никто из перечисленных вами не умеет это делать по диффпаре. Да я и не представляю какой там будет звон на подложке с низкими потерями. Ну а, собственно, на подложке с высокими потерями - далеко не уйдёт. Какие уж тут разъёмы.

Подозреваю (знаю, вообще-то), что передаются эти дела не по одной диффпаре.

Это шутка что ли?:biggrin: Я может вопрос не понял но

Quote

PAM4 technology enables future scaling of core/metro router and hyperscale data centers by more than doubling link throughput to 56 Gbps from 25 Gbps, in full duplex per differential pair.

Никакого звона на подложке нету:biggrin:, ну а что касается именно самого коннекта- ясное дело это не ради одной диффпары/одного лейна задумывалось.

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 minute ago, one_eight_seven said:

Каюсь, был неправ. Сам же с год назад рассматривал ultrascale.

С кем не бывает:drinks:  Сам давным давно когда только в первый раз про скорость услышал скорость(но не разницу между NRZ и PAM выше четверки:biggrin:) никак не мог взять в толк, как это все вообще может быть, а там между собственно и идут по пути уменьшения частоты Найквиста:
1.png
Опять же в трансиверах в пределах одиночного лейна все неплохо:
2.png

Share this post


Link to post
Share on other sites

Я думаю использовать 3 или 5 слои(или иные) для прокладки дифпар. И ставить глухие ПО (топ-сигнальный слой для дифпар) прямо на КП. Соотвественно, соседние КП использовать как земляные для возвратных токов с такими же глухими переходами. И не надо заморачиваться на переходах на противоположный слой или делать высверливание. И стабов не будет.

Надо ли подрезать землю под глухими ПО и вокруг связки ПО для дифпар и возвратных токов? Или это определяется только моделяцией платы? Навскидку есть какие-то решения-рекомендации?

Share this post


Link to post
Share on other sites
В 26.12.2018 в 11:24, EvilWrecker сказал:

С кем не бывает:drinks:  Сам давным давно когда только в первый раз про скорость услышал скорость(но не разницу между NRZ и PAM выше четверки:biggrin:) никак не мог взять в толк, как это все вообще может быть, а там между собственно и идут по пути уменьшения частоты Найквиста:

Опять же в трансиверах в пределах одиночного лейна все неплохо:
 

Корректнее высказаться:

идут по пути понижения частоты (зоны) Найквиста: ...

~ ( Частота Найквиста — в цифровой обработке сигналов частота, равная половине частоты дискретизации. )

поскольку частота Найквиста жестко привязана к частоте дискретизации.

Share this post


Link to post
Share on other sites
8 hours ago, Aner said:

Корректнее высказаться:

идут по пути понижения частоты (зоны) Найквиста: ...

~ ( Частота Найквиста — в цифровой обработке сигналов частота, равная половине частоты дискретизации. )

поскольку частота Найквиста жестко привязана к частоте дискретизации.

Я конечно на электрониксе никогда не претендовал на академичность(нахрен надо:biggrin:) , но тут стало интересно- в чем некорректность? Надо было дописать "понижение" вместо "уменьшение" и в скобках добавить "(зона)"? За ссылку тоже спасибо, но тоже польза сомнительная от нее.

8 hours ago, keln said:

Я думаю использовать 3 или 5 слои(или иные) для прокладки дифпар.

Если переход идет с первого на 3й или 5й, то

Quote

И ставить глухие ПО

то это вполне рабочее решение, разве что 5 микровиа подряд может оказаться дорогим удовольствием- в тоже самое время если у вас они будут то это позитивно скажется на разводке всего остального, в частности питания с землей. Конечно, при условии что вы будете использовать это преимущество.

Quote

Соотвественно, соседние КП использовать как земляные для возвратных токов с такими же глухими переходами.

Да нет, под землю как раз имеет смысл поставить сквозные:biggrin: С падами тоже не все так просто, повторю вопрос: у вас есть скриншот с геометрией трассы и футпринтом разъема?

Quote

Надо ли подрезать землю под глухими ПО и вокруг связки ПО для дифпар и возвратных токов? Или это определяется только моделяцией платы?

В вашем случае нужно делать антипад для перехода(вырез) который захватит все используемые сигнальные слои плюс минимум один под нижним, т.е. если переход с 1 до 5, вырез будет с 1 до 6 минимум. Моделирование нужно для точного определения геометрии и количество/положения виа под возвратный ток.

Quote

Навскидку есть какие-то решения-рекомендации?

В общем случае тут достаточно простой подход: посчитайте high speed via structure со своим стеком, далее промоделируйте все соединение(можно сделать тестовый лэайут отдельный)- ну а если есть желание и возможность то можно и вместе с разъемом. 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Я думаю делать примерно, как на скриншоте. Посадочное место под разъем - матрица круглых КП. планирую взять внешний ряд, выделить пару и по ним поставить ПО, как сказал выше. Пара подходит по 3-му слою и сразу на ПО на КП. Земля - желтый цвет. Ее пока не резал, но думаю сделать овал вокруг сигнальных линий+ПО под возвратные токи. Пока думаю над геометрией-размерами. Соседний ряд либо не подключать никуда, либо землей пройтись(как на скриншоте). Я конечно почитаю информацию по ссылкам и могу ошибаться, но отчего-то мне кажется, что по ПО для земли для возвратных токов неплохо бы тоже глухие поставить, остальные думаю сквозные.

s1.JPG

Share this post


Link to post
Share on other sites

Насколько можно понять со скриншота пад микровиа примерно или полностью совпадает по размеру с падом разъема, что весьма хорошо. Если вы будете использовать микровиа на слои 1-3 для 10G диффпары то вам надо:
- сделать нормальный антипад(т.е. расчет в EM симуляторе) включая виа для возвратных токов
- если нет каких то проблем с подводом других трасс к этому разъему и все 10G идут на внешний ряд то нет никаких проблем в размещении земляных отверстий, однако имеет смысл ставить сквозные максимально близко к антипаду, например так(примерно)
1.png
Итого у вас будет простая HDI формула, притом с одной стороны(3x stacked uvia) и никаких заморочек с землей. Из-за того что длина виа будет малой антипад выйдет поменьше чем в случае сквозных- вы главное антипад продолжите минимум на 4й слой еще:biggrin:
 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this