[keln 0]

Есть разъем, который будет паяться на smd контактные площадки, к который подключается высокоскоростная дифпара(скажем - 10Г). Как лучше подвести дифпару к этим КП из внутреннего слоя:

1) подвести и рядом перейти на наружный и уже потом подсоединить к КП посадочного места разъема;

2) поставить ПО прямо на КП с металлизацией поверхности КП под пайку разъема?

Как бы хотелось попробовать вариант 2), скорее всего там с путями для возвратных токов ситуация получше будет, но хотелось бы понять - нет ли каких влияний в этом случае на высокоскоростные сигналы? Ведь, такое ПО будет заливаться неким наполнителем и потом закрываться медью?

[twix 0]

Наполнитель там смола, считай изолятор для СВЧ толерантный, решение прямо в переходное идеальное для высокоскоростных линий. Если это будет 10G то лучше вести на максимально противоположном

от разъема слое, чтобы "хвост" переходного был минимальный  по длине, т.н. стаб.

[EvilWrecker 0]

10 hours ago, keln said:

Есть разъем, который будет паяться на smd контактные площадки, к который подключается высокоскоростная дифпара(скажем - 10Г).

Вы можете показать футпринт разъема и диффпару свою? С какого на какой слой переход идет?

Про VIP и стабы правильно написали, но это еще не все.

[one_eight_seven 3]

А кто умеет 10G по диффпаре? И на какое расстояние? Правда очень интересно.

[EvilWrecker 0]

1 hour ago, one_eight_seven said:

А кто умеет 10G по диффпаре? И на какое расстояние? Правда очень интересно.

В принципе все топовые FPGA(1,2) могут сильно в 10G+ например, разные отдельные трансиверы(1,2)- и next-gen интерконнекты подвезли. Просто 10G и чуть больше есть весьма давно. С расстоянием все сложнее, но с оглядкой на то что это все под датацентры в первую очередь и всякие HPC приблуды могут быть разные варианты, бакплейны люди тоже пилят

[one_eight_seven 3]

53 minutes ago, EvilWrecker said:

В принципе все топовые FPGA(1,2) могут сильно в 10G+ например, разные отдельные трансиверы(1,2)- и next-gen интерконнекты подвезли. Просто 10G и чуть больше есть весьма давно. С расстоянием все сложнее, но с оглядкой на то что это все под датацентры в первую очередь и всякие HPC приблуды могут быть разные варианты, бакплейны люди тоже пилят

Нет. Никто из перечисленных вами не умеет это делать по диффпаре. Да я и не представляю какой там будет звон на подложке с низкими потерями. Ну а, собственно, на подложке с высокими потерями - далеко не уйдёт. Какие уж тут разъёмы.

Подозреваю (знаю, вообще-то), что передаются эти дела не по одной диффпаре.

Изменено 26 декабря, 2018 пользователем one_eight_seven

[EvilWrecker 0]

3 minutes ago, one_eight_seven said:

Нет. Никто из перечисленных вами не умеет это делать по диффпаре. Да я и не представляю какой там будет звон на подложке с низкими потерями. Ну а, собственно, на подложке с высокими потерями - далеко не уйдёт. Какие уж тут разъёмы.

Подозреваю (знаю, вообще-то), что передаются эти дела не по одной диффпаре.

Это шутка что ли? Я может вопрос не понял но

Quote

PAM4 technology enables future scaling of core/metro router and hyperscale data centers by more than doubling link throughput to 56 Gbps from 25 Gbps, in full duplex per differential pair.

Никакого звона на подложке нету, ну а что касается именно самого коннекта- ясное дело это не ради одной диффпары/одного лейна задумывалось.

[one_eight_seven 3]

Каюсь, был неправ. Сам же с год назад рассматривал ultrascale.

[EvilWrecker 0]

1 minute ago, one_eight_seven said:

Каюсь, был неправ. Сам же с год назад рассматривал ultrascale.

С кем не бывает  Сам давным давно когда только в первый раз про скорость услышал скорость(но не разницу между NRZ и PAM выше четверки) никак не мог взять в толк, как это все вообще может быть, а там между собственно и идут по пути уменьшения частоты Найквиста:

Опять же в трансиверах в пределах одиночного лейна все неплохо:

[keln 0]

Я думаю использовать 3 или 5 слои(или иные) для прокладки дифпар. И ставить глухие ПО (топ-сигнальный слой для дифпар) прямо на КП. Соотвественно, соседние КП использовать как земляные для возвратных токов с такими же глухими переходами. И не надо заморачиваться на переходах на противоположный слой или делать высверливание. И стабов не будет.

Надо ли подрезать землю под глухими ПО и вокруг связки ПО для дифпар и возвратных токов? Или это определяется только моделяцией платы? Навскидку есть какие-то решения-рекомендации?

[Aner 1]

В 26.12.2018 в 11:24, EvilWrecker сказал:

С кем не бывает  Сам давным давно когда только в первый раз про скорость услышал скорость(но не разницу между NRZ и PAM выше четверки) никак не мог взять в толк, как это все вообще может быть, а там между собственно и идут по пути уменьшения частоты Найквиста:

Опять же в трансиверах в пределах одиночного лейна все неплохо:
 

Корректнее высказаться:

идут по пути понижения частоты (зоны) Найквиста: ...

~ ( Частота Найквиста — в цифровой обработке сигналов частота, равная половине частоты дискретизации. )

поскольку частота Найквиста жестко привязана к частоте дискретизации.

[EvilWrecker 0]

8 hours ago, Aner said:

Корректнее высказаться:

идут по пути понижения частоты (зоны) Найквиста: ...

~ ( Частота Найквиста — в цифровой обработке сигналов частота, равная половине частоты дискретизации. )

поскольку частота Найквиста жестко привязана к частоте дискретизации.

Я конечно на электрониксе никогда не претендовал на академичность(нахрен надо) , но тут стало интересно- в чем некорректность? Надо было дописать "понижение" вместо "уменьшение" и в скобках добавить "(зона)"? За ссылку тоже спасибо, но тоже польза сомнительная от нее.

8 hours ago, keln said:

Я думаю использовать 3 или 5 слои(или иные) для прокладки дифпар.

Если переход идет с первого на 3й или 5й, то

Quote

И ставить глухие ПО

то это вполне рабочее решение, разве что 5 микровиа подряд может оказаться дорогим удовольствием- в тоже самое время если у вас они будут то это позитивно скажется на разводке всего остального, в частности питания с землей. Конечно, при условии что вы будете использовать это преимущество.

Quote

Соотвественно, соседние КП использовать как земляные для возвратных токов с такими же глухими переходами.

Да нет, под землю как раз имеет смысл поставить сквозные С падами тоже не все так просто, повторю вопрос: у вас есть скриншот с геометрией трассы и футпринтом разъема?

Quote

Надо ли подрезать землю под глухими ПО и вокруг связки ПО для дифпар и возвратных токов? Или это определяется только моделяцией платы?

В вашем случае нужно делать антипад для перехода(вырез) который захватит все используемые сигнальные слои плюс минимум один под нижним, т.е. если переход с 1 до 5, вырез будет с 1 до 6 минимум. Моделирование нужно для точного определения геометрии и количество/положения виа под возвратный ток.

Quote

Навскидку есть какие-то решения-рекомендации?

В общем случае тут достаточно простой подход: посчитайте high speed via structure со своим стеком, далее промоделируйте все соединение(можно сделать тестовый лэайут отдельный)- ну а если есть желание и возможность то можно и вместе с разъемом. 

[EvilWrecker 0]

К слову, специально для ТС- посмотрите это и это.

[keln 0]

Я думаю делать примерно, как на скриншоте. Посадочное место под разъем - матрица круглых КП. планирую взять внешний ряд, выделить пару и по ним поставить ПО, как сказал выше. Пара подходит по 3-му слою и сразу на ПО на КП. Земля - желтый цвет. Ее пока не резал, но думаю сделать овал вокруг сигнальных линий+ПО под возвратные токи. Пока думаю над геометрией-размерами. Соседний ряд либо не подключать никуда, либо землей пройтись(как на скриншоте). Я конечно почитаю информацию по ссылкам и могу ошибаться, но отчего-то мне кажется, что по ПО для земли для возвратных токов неплохо бы тоже глухие поставить, остальные думаю сквозные.

[EvilWrecker 0]

Насколько можно понять со скриншота пад микровиа примерно или полностью совпадает по размеру с падом разъема, что весьма хорошо. Если вы будете использовать микровиа на слои 1-3 для 10G диффпары то вам надо:
- сделать нормальный антипад(т.е. расчет в EM симуляторе) включая виа для возвратных токов
- если нет каких то проблем с подводом других трасс к этому разъему и все 10G идут на внешний ряд то нет никаких проблем в размещении земляных отверстий, однако имеет смысл ставить сквозные максимально близко к антипаду, например так(примерно)

Итого у вас будет простая HDI формула, притом с одной стороны(3x stacked uvia) и никаких заморочек с землей. Из-за того что длина виа будет малой антипад выйдет поменьше чем в случае сквозных- вы главное антипад продолжите минимум на 4й слой еще