Jump to content

    
Sign in to follow this  
ECreator

Источники питания. Соединение AGND, PGND, GND

Recommended Posts

On 12/22/2018 at 9:43 AM, EvilWrecker said:

Неоднократно от вас лично встречаю упоминание об индуктивности рассеивания непонятно к какому месту приделанному- здесь сможете пояснить "зачем оно"?

Вы хотели узнать про индуктивность рассеяния? Пожалуйста:

Quote

но люди напомнили про ссылку хорошую(особый интерес с 10й минуты)

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Quote

Нет, я ожидал "не научных трудов", а объяснений типа таких:

Ну, тот же автор что вы цитируете написал также

Quote

Посему не надо придумывать велосипед, в предыдущих постах вам доходчиво объяснили что можно, а чего нельзя.

и раз вы используете именно этот блок цитат, то тут не более чем ваша слабая попытка переобуться на лету. В тоже самое время

Quote

Поэтому Ваши возмущения, как профессионала в этой области однозначно принимаются, но практическому делу абсолютно не помогают.

возмущений с моей стороны быть не может- мне то что со всего этого? Я уже комментировал такие вопросы неоднократно в прошлом- как по мне, подобные темы это гибрид пикабу с уродру:biggrin:А то что сказанное мною вам в этой ветке не помогает я уже давно понял и смею заверить- не поможет и далее:good3:

Quote

Чтобы прояснить ситуацию: я не за то, чтобы не изучать эти вопросы серьезно, но за то, чтобы идти поэтапно.

В таком случае вы завалили несколько ключевых этапов на самом старте, а возможно и до него включительно.

Ну и самое интересное

Quote

Вы хотели узнать про индуктивность рассеяния? Пожалуйста:

Поначалу хотел текст определенной направленности написать, но решил все же сперва наперво задать уточняющий вопрос- тайминги в видео можете назвать где говорят об индуктивности рассеивания? И что там с ЭМС в конструкциях с raised inductor?
 

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 час назад, EvilWrecker сказал:

А то что сказанное мною вам в этой ветке не помогает я уже давно понял и смею заверить- не поможет и далее

А как это может помочь, если нет объяснений. Есть только утверждения: это нормально, это бред, это неверно и вообще мало кто делает хорошо, только старая документация LT хороша. Да, и надо повторить институтские курсы, и вообще никто не поможет, потому что ничего вы не смыслите. Хороший подход :biggrin:. А форум, простите, для академиков с докторской степенью только? Заметьте, я не писал в раздел ЭМИ, и даже не в раздел по источникам. И да, я люблю руководства и заметки, потому что там в простой форме объясняются какие-то вещи, реально помогающие в работе. И рассчитать и предсказать по ним поведение удается. И, знаете, устройства мои работают и даже обеспечивают расчетные характеристики. Исключительно по руководствам. Как они работают, ума не приложу. Волшебство.

Я вот тут подумал, и попробую сформулировать часть, того что мне конкретно непонятно. Можно это объяснить просто?

Катушка излучает поле. Под ней между ножками проводим полигон земли в том же слое. Разве поле катушки не воздействует на полигон? Если полигон убрать из под нее, разве это воздействие не уменьшится? Что в этом плохого?

Как объясняется во многих руководствах возвратные токи концентрируются под проводником на ВЧ. С понижение частоты эта область расширяется. Чем плохо, если эту область ограничить и сделать только два "горла": на входе и выходе? Не то же самое происходит, когда мы ставим готовый DC/DC? Он собран на отдельной плате и связан с основной платой только через ножки входа, выхода и земли. Земли разделены, все работает.

Edited by ECreator

Share this post


Link to post
Share on other sites
27 minutes ago, ECreator said:

Есть только утверждения: это нормально, это бред, это неверно и вообще мало кто делает хорошо, только старая документация LT хороша. Да, и надо повторить институтские курсы, и вообще никто не поможет, потому что ничего вы не смыслите. Хороший подход :biggrin:

Совершенно с вами согласен- подход вполне себе хороший, ну разве что кроме ваших эмоциональных домыслов отмеченным в цитате. В чем хорош подход: он сразу "отметает" всех кто не готовился и не желает этого делать. Специально использован в данном случае, т.к. вы пишите:

Quote

И, знаете, устройства мои работают и даже обеспечивают расчетные характеристики. Исключительно по руководствам. Как они работают, ума не приложу. Волшебство.

В этом вы не одиноки, тут нет чего-то исключительного- однако раз гайды вас устраивают, ну по крайней мере помогали решить задачу, значит и проблемы у вас нет:biggrin: И дело разумеется не в

Quote

А форум, простите, для академиков с докторской степенью только?

т.к. "академики" тут мелькали(а местами до сих пор мелькают, в других ветках)и с платками, и с химическими сенсорами, и с эдисонами и со всякой убогой самопальной хренотой:lol2:, однако однозначной корреляции между образованием и успехом не замечено, только с ЧСВ:biggrin:В связи с чем не имею ни малейшего намерения и намеков предъявлять вам за образование, а ежели мои слова со стороны воспринимались именно так готов немедленно извиниться: весь мой посыл заключается в том, чтобы иметь некоторую совершенно приземленную "базу", которая не требует никакого rocket science, но в то же самое время не позволила бы писать то что написали вы про "измерения", "поля", "земли" и пр. У вас ее нет, иначе бы вы не писали то что писали. Объяснять детально здесь нет ни малейшего смысла, но можно скажем так сомневаться в отношении ваших высказываний и теорий- ясное дело хочу другой оборот речи использовать, но нельзя, правила форума:spiteful:
 

Share this post


Link to post
Share on other sites
19 минут назад, EvilWrecker сказал:

он сразу "отметает" всех кто не готовился и не желает этого делать.

Куда "отметает"? От форума отметает?

Я привел ряд работ, по которым я "готовлюсь". Критика безусловно приветствуется, но с разбором того, что не так и почему. Хотя бы на таком уровне:

В 17.12.2018 в 00:37, twix сказал:

Под источниками питания происходит прокачка большого  объема энергии на всю глубину платы. И никакие экраны не помогут вам защитить сигналы от помех.

А те что пройдут соберут весь мусор и протащат его в "чистые зоны".

Share this post


Link to post
Share on other sites

тут нужно понять, что эмоции ( написанные выше ) мало чем помогут, против конкретики, опыта и владением хотябы одного када из области цесостности сигналов.

Ну что это за НЕ инженерные выражения? Откуда это все берется? Ведь в корне не верно, даже с точки зрения философии.

1) ... прокачка большого  объема энергии

2) ... на всю глубину платы

3) ... никакие экраны не помогут

4) ... защитить сигналы от помех

5) ... пройдут соберут весь мусор

6) ... протащат его в "чистые зоны"

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 час назад, Aner сказал:

эмоции ( написанные выше ) мало чем помогут, против конкретики, опыта и владением хотябы одного када из области целостности сигналов.

Ну что это за НЕ инженерные выражения? Откуда это все берется? Ведь в корне не верно, даже с точки зрения философии.

Тут я не спорю, Вы правы. Но.. НО! Американцы очень любят популярно объяснять различные вещи "на пальцах". Бывает неверно, бывает диковато. Но часто это работает. Хотя бы визуально представляешь процессы, пусть кое что и не так, как на самом деле. Плохо это? С точки зрения истины - да! С точки зрения возможности расчетов - часто помогает. Часто - это называется "rule of thumb". Просто приведу пример из детства, чтобы было понятно о чем я говорю. Когда мне объясняли работу транзисторного каскада в кружке, то рассказывали и о ВАХ и о рабочей точке. Вау. А потом друг показал, как просто через два диода и коэффициент усиления можно считать. Это приближение? Приближение, да еще какое. Но как же оно помогло на первом этапе! Так и здесь. Как сказал:

3 часа назад, EvilWrecker сказал:

В этом вы не одиноки, тут нет чего-то исключительного

Думаю, что тему сейчас читают как профессионалы, так и простые инженеры, которые решают аналогичные проблемы, и им это также интересно. Должны быть простые объяснения на качественном уровне. И если утверждается одно, а я читаю в руководстве другое, то возникает естественный вопрос - почему? Ведь в руководствах даются простые объяснения. Значит это возможно - просто объяснить. Об этом и речь. В предыдущем посте я сформулировал два (из кучи) вопросов, которые  меня интересовали. Я и начал топик, как и говорил, чтобы узнать, кто как делает и узнать опыт других. Ведь форум - это же площадка по обмену опытом или нет? Я предоставил конкретно все документы и расчеты, которыми я пользовался и высказал свои соображения, чтобы выслушать конструктивную критику. Конструктивную, т. е. с понятными объяснениями.

 

Можно, в принципе, попросить модератора перенести это в раздел для начинающих - если это необходимо.

Edited by ECreator

Share this post


Link to post
Share on other sites

Кое что вроде бы проясняется. Да, согласен, земли делить не нужно.

Такой вот вопрос. Имеет ли смысл соединять землю у входных и выходных конденсаторов и под микросхемой с землей во втором слое (или во втором и третьем, чтобы уменьшить индуктивность) большим числом переходных чем с полигонами земли в нижних слоях, чтобы перенаправить большую часть возвратного тока по верхним слоям, а нижние использовать, как опоры? Или индуктивность переходных и так ограничит проникновение этого тока в нижние слои?

Т.е. топология такая: на верхнем слое - микросхема, катушка, керамика (блокирующие) по входу и выходу, в втором слое - земля, потом сигнальный, но под источником не ведем, потом земля или питание и т.д. На нижнем слое танталы по входу/выходу. Бьем глухие в верхнем полупакете через все земли у каждой керамики и под микросхемой. У дальних (от микросхемы) конденсаторов бьем сквозные через все слои по питанию и земле до танталов. Земли в нижнем полупакете используем в качестве опоры. Сигналы под источником также ведем в нижнем полупакете.

Edited by ECreator

Share this post


Link to post
Share on other sites

Я же говорю, у вас явно проблемы:

Quote

Кое что вроде бы проясняется. Да, согласен, земли делить не нужно.

и в том же посте

Quote

Такой вот вопрос. Имеет ли смысл соединять землю у входных и выходных конденсаторов и под микросхемой с землей во втором слое (или во втором и третьем, чтобы уменьшить индуктивность) большим числом переходных чем с полигонами земли в нижних слоях, чтобы перенаправить большую часть возвратного тока по верхним слоям, а нижние использовать, как опоры? Или индуктивность переходных и так ограничит проникновение этого тока в нижние слои?

Вы сами понимаете что за бред пишите? И какие еще "опоры"? Что еще за проблема с "возвратным током в нижних слоях"? 

Далее:

Quote

Т.е. топология такая: на верхнем слое - микросхема, катушка, керамика (блокирующие) по входу и выходу, в втором слое - земля, потом сигнальный, но под источником не ведем, потом земля или питание и т.д. На нижнем слое танталы по входу/выходу.

Это не топология а кое-что на букву "х" в начале и "я" в конце- откуда вообще весь этот бред про "под источником не ведем" или "танталы на нижнем слое"? Берем для примера две платы, одну кривоватую(упомянутую ранее VCU1525) и нормальную(multi-CPU сервер) с показанным первым и третьим слоем(второй-сплошная земля), и что же:
1.png
2.png
Сильно охота узнать, где тут проблема?

Quote

Бьем глухие в верхнем полупакете через все земли у каждой керамики и под микросхемой. У дальних (от микросхемы) конденсаторов бьем сквозные через все слои по питанию и земле до танталов. Земли в нижнем полупакете используем в качестве опоры. Сигналы под источником также ведем в нижнем полупакете.

:lol2::lol2::lol2::good3:

ПС. Я бы еще понял если разговор типа "не веди под источником" шел применительно к конкретному месту/области этого источника в конкретном дизайне, но вот эти все спекулятивные теории уровня торсионных полей- нет.

Share this post


Link to post
Share on other sites
6 часов назад, EvilWrecker сказал:

откуда вообще весь этот бред про "под источником не ведем" или "танталы на нижнем слое"

Тут просто перестраховка. Сплошные земляные слои в нижнем полупакете используются как опоры для сигнальных слоев и, в частности, для дифпар, которые пойдут под источником. Это имелось в виду под опорами. А в верхнем полупакете слои земли также сплошные, но под источником сигналы вести не буду. Просто хотелось не пробивать сквозными земли рядом с контурами там, где идут дифпары. Т.е. дать возможность возвратным токам идти по слоям земли в основном в верхнем полупакете.  Танталы (bulk) на нижнем слое, чтобы сделать источник компактнее и расположить на верхнем только то, что жизненно необходимо. 

Кстати попутно возник вопрос, если источник не в PWM, а в PFM режиме работает с редкими импульсами. как там с помехами на земле будет? 

Не вести сигналы (не земли) под источником - это в зоне входного и выходного контуров.

Честно, в верхнем рисунке не разобрался. Не понял где что идет, в каких слоях.

Edited by ECreator

Share this post


Link to post
Share on other sites
Quote

Честно, в верхнем рисунке не разобрался. Не понял где что идет, в каких слоях.

В обоих случаях показаны сугубо первый и третий слой. В обоих случаях видно как "в районе преобразователя" идет ддр4 и еще сигналов до кучи.

Quote

Тут просто перестраховка.

Перестраховка от чего?

Quote

Сплошные земляные слои в нижнем полупакете используются как опоры для сигнальных слоев и, в частности, для дифпар, которые пойдут под источником. Это имелось в виду под опорами.

Ок, предположим- однако

Quote

А в верхнем полупакете слои земли также сплошные, но под источником сигналы вести не буду.

Дело ваше, кто же мешает:biggrin: Но смысл в этом какой?

Quote

Просто хотелось не пробивать сквозными земли рядом с контурами там, где идут дифпары. Т.е. дать возможность возвратным токам идти по слоям земли в основном в верхнем полупакете.

Мне просто интересно(на уровне гипотезы) что будет если "обратный ток потечет не в верхнем полупакете", как вы выражаетесь. Подчеркиваю, вопрос не в том что "может ли это быть", а что если такое вдруг случилось в той или иной степени- очень интересно :biggrin:

Quote

Кстати попутно возник вопрос, если источник не в PWM, а в PFM режиме работает с редкими импульсами. как там с помехами на земле будет? 

Ужас:lol2: Мне даже интересно стало, может ли кто-либо на этом форуме дать ответ достойный этого вопроса?

ПС. Возьму на себя смелость предположить что внезапно стал немного(совсем чуть-чуть) понимать язык "полупакетов", "земель/полей" и пр. Дерзко  и самоуверенно звучит, понимаю:biggrin: Но в погоне за интересными рассказами чего только не сделаешь, в связи с чем хочу спросить нечто- но сперва картинка
1.png
- что будет если поставить компоненты примерно так и что случится если под преобразователями "все пробить насквозь рядом с диффпарами/не-диффпарами"
- нужно ли тут экранирование и в частности секционированное?
Чтобы вопрос не выглядел совсем как троллинг в помощь прилагаю примерно похожую картинку из жизни:
2.png

Share this post


Link to post
Share on other sites
26 минут назад, EvilWrecker сказал:

что будет если "обратный ток потечет не в верхнем полупакете", как вы выражаетесь.

Именно на уровне гипотезы - обратный ток локально изменит потенциал земли (опоры) там где он будет проходить. Для дифпар может быть не так страшно, а вот для одиночных тактовых - страшнее, боюсь, что будет нестабильный фронт в зоне пересечения 0. Когда не уверен - перестраховываюсь.

26 минут назад, EvilWrecker сказал:

с редкими импульсами

Т.е. спектр уже не дискретный c минимальной частотой - частотой PWM, а есть низкочастотные гармоники. Возвратный ток будет себя не совсем так вести, как в случае периодических импульсов.

Edited by ECreator

Share this post


Link to post
Share on other sites

Разочарую вас, НЕТ возвратных токов как таковых в природе. Есть контур(а) по которым течет ток(и). Кирхгоф 4 правила ввел еще в те давние времена, с тех времён ничего не изменилось и сегодня; возможно за исключением введения понятия "возвратный ток" введенного для разводчиков плат, которые никогда не изучали ни физику, ни электрические цепи и тп.

 

- обратный ток локально изменит потенциал земли (опоры) там где он будет проходить.

не верно, ... ну никак.

Share this post


Link to post
Share on other sites
14 минут назад, Aner сказал:

НЕТ возвратных токов как таковых в природе

Вот так вот. Это мне выстрел в голову прямо. Я этой абстракцией постоянно пользуюсь. Обычно прикидываю сопротивление исходя из ширины и толщины скин-слоя и предполагаю, что там за счет тока изменяется потенциал. А что там реально происходит? Только не отсылайте к учебникам сразу. В общих чертах.

Edited by ECreator

Share this post


Link to post
Share on other sites

ширины и толщины скин-слоя ...

Как это так? Прочтите определение скин слоя ...

глубина скин-слоя пропорциональна частоте проходяших токов, меняется в зависимости от частоты.

 

... за счет тока изменяется потенциал.

а потенциал у вас это что? Не путаетесь ли в терминах?

у вас потенциал - это постоянное напряжение и его изменение или что?

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Sign in to follow this