Перейти к содержанию

    

Странное поведение FDV301N

Ответ скрывается, скорее всего, в исполнении производителем структуры транзистор+зенер в кремнии. Где-то там есть паразитный p-n переход, который при отрицательном Vgs приводит к открытию диода от стока через подложку, через зенера на вывод затвора. 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Ну если такая тупизна, т.е. вместо оксида кремния сделали область "n", то да — затвор получается эмиттером, подложка "p" — базой, а сток "n" — коллектором.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь

Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий

Создать учетную запись

Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!

Регистрация нового пользователя

Войти

Уже есть аккаунт? Войти в систему.

Войти