Jump to content

    

Косой мост - нагрев транзисторов

Здравствуйте, уважаемые коллеги.

Опять нуждаюсь в подсказках.

Собираю прямоход мощностью на 300Вт по схеме косого моста, вот схема:

Под нагрузкой имею неравномерный нагрев транзисторов - VT4 греется существенно сильнее. Не пойму в чём дело.

Транзисторы из одной партии, менял - то же самое. Импульсы управления одинаковые.

Верх импульса 10-11В. Правда, на фронте есть выброс с паразитным колебанием в 1-2В.

Полагаю, что увеличенный нагрев VT4 снижает КПД, который сейчас получается примерно 87-88%.

Что скажете?

 

прямоход.png

Share this post


Link to post
Share on other sites

Если Т3-дроссель, то зачем у него закорочены обмотки?

Выпрямитель вторичной обмотки показан не правильно.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Обычно в силовом каскаде присутствуют снабберные цепи, у Вас их нет. Это может быть первой причиной разного режима работы транзисторов. 

Share this post


Link to post
Share on other sites
13 minutes ago, АлександрК said:

Если Т3-дроссель, то зачем у него закорочены обмотки?

Выпрямитель вторичной обмотки показан не правильно.

Этих обмоток нет. Только 6-4.

Выпрямитель правильно - на выводе 10 импульс прямого хода, выпрямляется нижней половинкой VD9, верхняя половинка VD9 - замыкающий диод.

Share this post


Link to post
Share on other sites
2 минуты назад, Ioann_II сказал:

выпрямляется нижней половинкой VD9, верхняя половинка VD9 - замыкающий диод.

Да, непривычно начерчено. 

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 minute ago, АлександрК said:

Да, непривычно начерчено. 

Лень было перечерчивать библиотечные элементы.

Share this post


Link to post
Share on other sites
16 minutes ago, АлександрК said:

Обычно в силовом каскаде присутствуют снабберные цепи, у Вас их нет. Это может быть первой причиной разного режима работы транзисторов. 

Пробовал снабберные цепи по схеме ниже.

Конденсаторы по 56пф, дроссель 9мкГн. Мало что дало по нагреву, хотя пик тока при включении транзисторов снизил в 2 раза.

 

ФЦ.png

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 час назад, Ioann_II сказал:

Под нагрузкой имею неравномерный нагрев транзисторов - VT4 греется существенно сильнее. Не пойму в чём дело.

Попробуйте заменить T1 на 2 таких же отдельных трансформатора, чтобы не было емкостной связи между вторичными обмотками.

Share this post


Link to post
Share on other sites

А зачем нарисовали ШИМ-контроллер с максимальным Кзап 100%? Тоже лень было перечерчивать?

Share this post


Link to post
Share on other sites
6 minutes ago, wim said:

А зачем нарисовали ШИМ-контроллер с максимальным Кзап 100%? Тоже лень было перечерчивать?

Недосмотрел, поправил в проекте.

2 hours ago, АлександрК said:

Обычно в силовом каскаде присутствуют снабберные цепи, у Вас их нет. Это может быть первой причиной разного режима работы транзисторов. 

Сейчас пробую другой вариант снаббера. вроде как картинка всё-же меняется.

Share this post


Link to post
Share on other sites
3 hours ago, HardEgor said:

Попробуйте заменить T1 на 2 таких же отдельных трансформатора, чтобы не было емкостной связи между вторичными обмотками.

Ещё менее приятную роль играет ёмкость между первичной и вторичной верхнего транзистора. Хорошо бы её уменьшить, для чего можно намотать все обмотки управляющего трансформатора в один слой. Разница в потерях транзисторов будет значительно меньше (даже не заметна). 

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 minute ago, MikeSchir said:

Ещё менее приятную роль играет ёмкость между первичной и вторичной верхнего транзистора. Хорошо бы её уменьшить, для чего можно намотать все обмотки управляющего трансформатора в один слой. Разница в потерях транзисторов будет значительно меньше (даже не заметна). 

Сейчас каждая обмотка намотана в 2 слоя, чтобы вернуться к стороне с выводами (туда и назад). Между обмотками несколько слоёв лавсана.

Share this post


Link to post
Share on other sites
2 часа назад, HardEgor сказал:

Попробуйте заменить T1 на 2 таких же отдельных трансформатора, чтобы не было емкостной связи между вторичными обмотками.

емкостная связь между первичками и вторичками oстаётся.

Для верхнего ключа, в отличие от нижнего, она действует наподобие емкости миллера в транзисторе, из-за ненулевой индуктивности рассеяния эта межобмоточная емкость удлиняет "полку" заряда затвора, приводя к пущей тёплости верхнего ключа. Для очень низких частот и задeмпфиpованных фрoнтов данное явление может быть неaктульным. Для 12N60 Сrss 12пф, наверняка меньше чем емкость меж обмотками, поэтому верхний ключ будет меееедленнее открываться, раза в 1,5-2.0

Рaзделительная пoследовательная ёмкость  в первичке и вторичке это скрытое злo. Штaтное или нештaтное прекращение + импульсов от контроллера приводит к сaмостоятельному кoебательному процесcу на энтих ёмкостях с индуктивностью намaгничивания в Т1, в результате чего могут пооткрываться оба два ключа одновременно на длиииииительное время и капец. Вход sense при этом бесполезен.

Share this post


Link to post
Share on other sites
38 минут назад, Ioann_II сказал:

Сейчас каждая обмотка намотана в 2 слоя, чтобы вернуться к стороне с выводами (туда и назад). Между обмотками несколько слоёв лавсана.

Лучше покажите на одной осциллограмме синхронно напряжение на шунте и напряжение на затворе нижнего транзистора.

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
6 часов назад, Ioann_II сказал:

Собираю прямоход мощностью на 300Вт

Что скажете?

 

прямоход.png

Зачем нижний ключ управляется через трансформатор?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now