Перейти к содержанию
    

11 hours ago, wim said:

Ок, вот даташит, который Вы "не нашли". Диоды Шоттки на 40 В - это уже низковольтные или еще высоковольтные? 

Да надоело мне это, каждый раз за Вас лазить по ДШ и находить ответ :-) Смотрите картинку №3, что там подразумевается под trr? Нет там скачка тока, как у быстрых диодов, а есть монотонное уменьшение тока -  заряд ёмкости перехода, как у всех Шоттки. В качестве критерия для измерения trr - уменьшение этого тока в 10 раз (а могли бы взять и в 2 и в 5 и в 20). 

Я думаю этот офтоп надоел всему сообществу - пишите в личку.

to ТС, можно на мегагерцах использовать диоды Шоттки, об этом в каждом ДШ сказано.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

10 minutes ago, MikeSchir said:

Смотрите картинку №3, что там подразумевается под trr? Нет там скачка тока, как у быстрых диодов, а есть монотонное уменьшение тока -  заряд ёмкости перехода, как у всех Шоттки. 

Я не думаю, что это заряд емкости, т.к. диод в это время находится в проводящем состоянии. Я думаю, что это процесс дрейфа электронов из обедненной области n-типа (прошу не считать за оффтоп). Это объясняет, почему у более высоковольтных диодов Шоттки больше trr - более высокое обратное напряжение требует бОльшей толщины обедненного слоя - больше время дрейфа.

В любом случае, есть интервал времени trr, в котором диод Шоттки проводит ток в обратном направлении.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

10 minutes ago, wim said:

Я не думаю, что это заряд емкости, т.к. диод в это время находится в проводящем состоянии. Я думаю, что это процесс дрейфа электронов из обедненной области n-типа (прошу не считать за оффтоп). Это объясняет, почему у более высоковольтных диодов Шоттки больше trr - более высокое обратное напряжение требует бОльшей толщины обедненного слоя - больше время дрейфа.

В любом случае, есть интервал времени trr, в котором диод Шоттки проводит ток в обратном направлении.

Лучше не думайте :-) - читайте! 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

4 minutes ago, MikeSchir said:

не думайте

Но ведь это Вы начали разговор про время обратного восстановления диодов Шоттки. Так что Вы, как человек, просветленный разработчиками диодов, можете посоветовать автору?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

1 hour ago, MikeSchir said:

to ТС, можно на мегагерцах использовать диоды Шоттки, об этом в каждом ДШ сказано.

 

Спасибо!

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

34 minutes ago, wim said:

Но ведь это Вы начали разговор про время обратного восстановления диодов Шоттки. Так что Вы, как человек, просветленный разработчиками диодов, можете посоветовать автору?

Нет, начали Вы. Я только сказал, что у диодов Шоттки нет такого понятия, как у быстрых диодов, и Вы со своим мощным физическим образованием можете самостоятельно в этом разобраться. И этот офтоп не стоит столь долгого "перепихивания" даташитами :-)

Мой совет для ТС

1 hour ago, MikeSchir said:

to ТС, можно на мегагерцах использовать диоды Шоттки, об этом в каждом ДШ сказано.

и ещё: всё можно проверить в симуляторе. Я так думаю!

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

3 minutes ago, MikeSchir said:

у диодов Шоттки нет такого понятия, как у быстрых диодов

Я понял - Вы путаете время рекомбинации, которого у диодов Шоттки нет, с временем обратного восстановления, которое у диодов Шоттки есть.

6 minutes ago, MikeSchir said:

Мой совет для ТС

Это совет ни о чем. Амплитуда переменного напряжения 50 В - значит, берем диод Шоттки на 150 В или больше, а на trr вообще не смотрим, потому что его нет. Так, не?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

On 10/22/2018 at 11:30 AM, MikeSchir said:

Я только сказал, что у диодов Шоттки нет такого понятия, как у быстрых диодов, и Вы со своим мощным физическим образованием можете самостоятельно в этом разобраться. И этот офтоп не стоит столь долгого "перепихивания" даташитами :-)

Отчего же? Мне кажется, это весьма важный момент, чтобы в нём разобраться.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

1 hour ago, Herz said:

Отчего же? Мне кажется, это весьма важный момент, чтобы в нём разобраться.

А что тут разбираться? https://ru.wikipedia.org/wiki/Диод_Шоттки  В чём есть несогласие?

Сравните: https://ru.wikipedia.org/wiki/Обратное_восстановление

Изменено пользователем MikeSchir

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

1 hour ago, MikeSchir said:

А что тут разбираться? https://ru.wikipedia.org/wiki/Диод_Шоттки  В чём есть несогласие?

Сравните: https://ru.wikipedia.org/wiki/Обратное_восстановление

 
Quote

у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, т.е. они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью

Если время обратного восстановления определяется барьерной емкостью, как учит нас википедия, у диодов Шоттки с большей емкостью время должно быть больше. Мы же видим в даташитах обратную картину.

SS13_SS16.png

Изменено пользователем wim

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

30 minutes ago, wim said:

 у диодов Шоттки с большей емкостью время должно быть меньше. Мы же видим в даташитах обратную картину.

Ну так посмотрите внимательнее в таблицу, и будет всё как Вы нас учите :-) 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

8 minutes ago, MikeSchir said:

 посмотрите внимательнее в таблицу

Смотрю внимательно:

- Cj = 55 пФ --> trr = 5,6 нс;

- Cj = 43 пФ --> trr = 8,3 нс.

Итого: при уменьшении емкости на 24% время обратного восстановления увеличивается на 48%.

 

Исправил - время заряда большей емкости должно быть больше. А на самом деле оно меньше.

Изменено пользователем wim

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

1 minute ago, wim said:

Итого: при уменьшении емкости на 24% время обратного восстановления увеличивается на 48%.

Это говорит только о том, что зависимость может быть нелинейной, а так тенденция есть - где больше там меньше и наоборот, где меньше там больше!

Например могут быть различия в конструкции. 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

1 minute ago, MikeSchir said:

Это говорит только о том, что зависимость может быть нелинейной, а так тенденция есть - где больше там меньше и наоборот, где меньше там больше!

 

Ваши фантазии про различия в конструкции оставим за скобками, если Вы не против. Мы заряжаем разные емкости одинаковым током, в одинаковых условиях. Какая бы там не была нелинейность, бОльшая емкость должна заряжаться за бОльшее время. Но по даташиту она заряжается за меньшее время.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А вот еще один яркий представитель темных сил: Cj = 608 пФ, trr = 16,7 нс. Станиславский сказал бы "Не верю".FSV10120V.thumb.png.b2c384d31b7610d8b552e7eebe6d674c.png

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...