Ascold 0 16 октября, 2018 Опубликовано 16 октября, 2018 (изменено) · Жалоба В книге Епифанов Г.И., Мома Ю.А. "Твердотельная электроника" М., 1986, скачать можно, например, здесь http://www.ph4s.ru/book_ph_tvtelo.html не ясны следующие два вопроса(транзистор для определённости будем считать n-p-p): 1. Про большие токи эмиттера авторы на стр. 261-262 пишут Цитата: К инжектированным неосновным носителям подтягиваются по цепи базы основные носители для компенсации инжектированного объёмного заряда. При больших токах эмиттера в базу инжектируется настолько много неосновных носителей(электронов), что концентрация основных носителей у эмиттера заметно повышается. Это приводит к росту инжекции основных носителей из базы в эмиттер, т.е. к уменьшению эффективности эмиттера. Запутался в "основных" и "неосновных" - имеется ввиду, что электроны, попавшие в p-базу, заряжают её отрицательно и тем притягивают дырки, имеющиеся в базе, а также затащенные из провода базовой цепи в сторону эмиттера и они включаются в эмиттерный ток или что-то другое? 2.Режим насыщения. На стр. 262 написано, что в этом режиме коллекторный p-n-переход смещён прямо, но поле, втягивающее в коллектор электроны, инжектированные эмиттером, всё-таки ещё есть(?). Из этого можно сделать вывод о том, что потенциал коллектора выше потенциала базы(n-p-n). С другой стороны, Если транзистор кремниевый, то в насыщении не меньше 0,6-0,7В, а может составлять всего около 0,2В(доводилось в этом убеждаться при работе с транзистором КТ503Г), что намекает на превышение потенциала базы над коллектором. Что утаили авторы книжки? Далее они пишут: "теперь из коллектора через низкий барьер p-n-перехода идёт встречный ток носителей"(не сказано, каких именно). Если это электроны, ведь дырок в n-коллекторе мало, и предположить, что , то этот ток диффузионный, неужели он существенен на фоне дрейфового тока электронов через коллекторный переход, пришедших от эмиттера? Так что всё-таки причина перехода транзистора в режим насыщения: а)встречный диффузионный поток коллекторных электронов через пониженный барьер в базу(или вообще без барьера, ведь если В, В, В); б) то обстоятельство, что коллекторный переход хуже всасывает инжектированные электроны за счёт пониженного потенциала коллектора; в)или же что электроны, в большом количестве инжектированные в базу, не успевают все продиффундировать в коллекторный переход, а притягивают дырки из базовой цепи и рекомбинируют с ними, не доходя до коллектора? Изменено 16 октября, 2018 пользователем Ascold Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Zoltrix 4 6 января, 2019 Опубликовано 6 января, 2019 · Жалоба n-область - основные электроны, неосновные - дырки для р-области наоборот Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Ascold 0 6 января, 2019 Опубликовано 6 января, 2019 (изменено) · Жалоба 2 часа назад, Zoltrix сказал: n-область - основные электроны, неосновные - дырки для р-области наоборот Так это я знаю. Вопрос состоит в том, что не понимаю, какая причина главная в процессе перехода транзистора в насыщение - то ли то, что электронов, инжектированных в базу(n-p-n) стало так много, что весомая их часть стала, саморасталкиваясь, недобегать до коллектора и, рекомбинируя, уходить базовым током, то ли что из-за понижения потенциала коллектора он стал их хуже "сосать", отправляя(диффузией) часть назад, то ли что из-за того, что понижение потенциала коллектора "утолщает" базу(эффект Эрли наоборот) ? Изменено 6 января, 2019 пользователем Ascold Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Zoltrix 4 7 января, 2019 Опубликовано 7 января, 2019 · Жалоба Попробуйте это объяснить, по аналогии с эффектами которые возникают в радиолампе. Думаю причина насыщения, по физике, должна быть сходной. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться