Jump to content

    
fpga_student

Полевик как ключ переменного тока

Recommended Posts

Добрый день.

 

Возник вопрос: есть вот такая схема: http://www.kondratev-v.ru/kommutatory/tran...nnogo-toka.html,

в описании ее работы сказано: "...Тогда ток нагрузки потечет от клеммы 3 к клемме 5, через нагрузку к клемме 6, далее через внутренний защитный диод транзистора VT2, через открытый транзистор VT1 к клемме 4..."

 

А вот здесь сказано: https://www.macmachine.ru/blog/tranzistor_polevoj.html

"...МОП транзистор, в открытом состоянии, будет пропускать ток как от истока к стоку, так и от стока к истоку. ... "

 

Так вот у меня вопрос, по схеме из первой статьи: все-таки, если оба полевых транзистора открыты, ток в обоих транзисторах будет течь через основной канал, или в одном (встречном) через паразитный диод ?

Если ток идет через основной канал в обе стороны, чему равно RdsOn для обратного включения ?

 

Если все-таки через паразитный диод, как рассчитать допустимый ток и падение на ключе ?

post-99738-1513008356_thumb.jpg

Edited by fpga_student

Share this post


Link to post
Share on other sites

Если транзистор открыт в обоих случаях, то ток течет через канал и Rdson одинаковый для обоих направлений тока. Нужно только убедиться, что транзистор открыт в обоих случаях.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Если транзистор открыт в обоих случаях, то ток течет через канал и Rdson одинаковый для обоих направлений тока. Нужно только убедиться, что транзистор открыт в обоих случаях.

ТЕ описание схемы неправильное, и в действительности ток идет НЕ через паразитный диод ?

 

Насколько я понимаю, речь о поведении полевика в области малых Vdc.

 

https://malmon.ru/radioehlektronika/teoriya...m-rezistor.html

 

"Мы уже обратили внимание на интересное свойство полевого транзистора при малых значениях VDC, которого нет у биполярного транзистора. В этой области напряжение затвора способно изменять сопротивление канала сток- исток. Понятно, что в области А на рис. 6.9 у каждой характеристики в начале координат разный наклон. Обращаясь к рис. 6.5 и 6.7, видим, что этого эффекта нет у биполярного транзистора.

 

Таким образом, полевой транзистор можно использовать как управляемый напряжением переменный резистор для изменения величины сигналов переменного или постоянного тока; эта возможность используется в системах автоматической регулировки усиления."

 

 

Edited by fpga_student

Share this post


Link to post
Share on other sites

Оба откроются, вроде бы.

Но обратите внимание, что открывание будет происходить медленно (могут сгореть транзисторы),

а особенно медленно - при подаче 220В во время заряда 10мкф.

Вот на это и надо делать расчет. (а может, проще в схему добавить драйвер с защитами).

Share this post


Link to post
Share on other sites
Оба откроются, вроде бы.

Но обратите внимание, что открывание будет происходить медленно (могут сгореть транзисторы),

Почему ?

 

а особенно медленно - при подаче 220В во время заряда 10мкф.

Вот на это и надо делать расчет

Предположим, что транзисторы нормально отключенные...и конденсатор заряжается вхолостую.

Это решает проблему ?

 

(а может, проще в схему добавить драйвер с защитами).

какой например ?

 

Ltspice показывает что чего-то работает

post-99738-1513017213_thumb.png

Edited by fpga_student

Share this post


Link to post
Share on other sites

Цитата:

...Подключение A используется для коммутации нагрузки переменного или постоянного тока. В этом случае ток течет через канал «сток-исток» одного транзистора и объемный диод стока второго. При изменении направления тока в нагрузке, соответственно меняется и направление тока в паре транзисторов.

https://www.compel.ru/lib/ne/2009/12/6-opto...ional-rectifier

Share this post


Link to post
Share on other sites
Цитата:

...Подключение A используется для коммутации нагрузки переменного или постоянного тока. В этом случае ток течет через канал «сток-исток» одного транзистора и объемный диод стока второго. При изменении направления тока в нагрузке, соответственно меняется и направление тока в паре транзисторов.

https://www.compel.ru/lib/ne/2009/12/6-opto...ional-rectifier

Те правильно я понимаю, если зашунтировать внутренние диоды полевиков диодами с маленьким падением (1 В например), все должно быть ОК ?

Edited by fpga_student

Share this post


Link to post
Share on other sites

Ток течёт через два канала до превышения падения напряжения на одном из них порога открытия внутреннего диода — тогда соответствующая часть тока начинает течь через него и линейный рост напряжения на данном транзисторе меняется на логарифмический, а рассеиваемой мощности, соответственно, с квадратичного на практически линейный.

 

Параметры внутренних диодов есть в любом паспорте любого полевого транзистора.

 

Взрывоопасную схему естественно требуется переделать в нормально закрытую.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Ток течёт через два канала до превышения падения напряжения на одном из них порога открытия внутреннего диода — тогда соответствующая часть тока начинает течь через него и линейный рост напряжения на данном транзисторе меняется на логарифмический, а рассеиваемой мощности, соответственно, с квадратичного на практически линейный.

 

Параметры внутренних диодов есть в любом паспорте любого полевого транзистора.

 

Взрывоопасную схему естественно требуется переделать в нормально закрытую.

спасибо

Share this post


Link to post
Share on other sites

задам вопрос в данной теме

что то не пойму - транзисторы вроде как N- канальные на схеме из первого поста. а почему нарисовано включение при положительном управляющем сигнале ? в этом случае же затвор прижимается к земле и транзисторы наоборот должны закрыться...

 

или я что то не понял ?

 

и зачем электролит C1 ? я правильно понимаю что он запасает энергию для управления транзисторами во время отрицательной полуволны питающего напряжения ?

Edited by ВитГо

Share this post


Link to post
Share on other sites
4 часа назад, ВитГо сказал:

транзисторы наоборот должны закрыться

Да, это нормально открытый ключ, при подаче сигнала он закрывается.

Share this post


Link to post
Share on other sites

у меня немного другая задача, и при работе предполагается еще и шунтирование источника тока (генератора)... думаю греть к транзистору еще и диоды не очень хорошая идея...

http://forum.easyelectronics.ru/viewtopic.php?p=667489#p667489

(здесь разрешены ссылки на другие форумы ?)

Edited by ВитГо

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 час назад, ВитГо сказал:

(здесь разрешены ссылки на другие форумы ?)

Разрешены. Кроме "многократной рекламы сторонних информационных ресурсов", о чём сказано в Правилах.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.