Jump to content

    

Расположение кварца

Megtron6 в несколько раз дороже обычного FR4, так что если возможно, то есть смысл покомбинировать со структурой.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Megtron6 в несколько раз дороже обычного FR4

В пределах одной платы ATX до 6 Gb/s (цифровые сигналы) скорее смысла нет, неоправданное излишество, на FR4 работает, не столь большие потери.

Share this post


Link to post
Share on other sites
В пределах одной платы ATX до 6 Gb/s (цифровые сигналы) скорее смысла нет, неоправданное излишество, на FR4 работает, не столь большие потери.

на мегтроне 12.5 гигов гоняются, а не 6. и да, он сильно дороже, чтоб из него всю плату делать.

 

да и фр4 как бы тоже сильно разный. у изолы одни характеристики, у тука другие.

Edited by yuri.job

Share this post


Link to post
Share on other sites
виа 015h035p, суппреснуты на всех слоях, кроме сигнального, топа и боттома. зазоры в констрейнах в регионе 0,15. структура с завода

Какие то больно жесткие нормы для двустороннего размещения памяти, пусть и целого ранка. :laughing: Но будет ли крупное изображения участка о котором спрашивалось?

ЗЫ. тема кварца как то лин уплыла в сторону. прям не удобно(

Отнюдь, тут все взаимосвязано- за А следует Б и так далее.

Почему нельзя сделать целиком из мегтрона? Это будет намного дороже?

Можно но будет гораздо дороже.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Не проходите под требования :laughing: Придется ставить терминаторы.

 

а терминаторы уж если ставить, то я правильно понимаю что только на адресные линии и управление ?

а на линии шин данных, стробы нет необходимости (короткие они, менее 25мм).

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
а терминаторы уж если ставить, то я правильно понимаю что только на адресные линии и управление ?

Именно.

а на линии шин данных, стробы нет необходимости (короткие они, менее 25мм).

Они не терминируются ничем внешним :biggrin:

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Именно.

 

Они не терминируются ничем внешним :biggrin:

 

Спасибо.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Не могу найти информацию о существовании (не существовании) ограничений на длину трас от пинов последней микросхемы памяти (DDR3 / Fly-by) до терминирующих резисторов. Кто знает или встречал поделитесь информацией.

Еще не понятно допускается ли тянуть трассу до терминируещего резистора не от самого пина последней микрухи , а например через переходное отверстие на некотором расстоянии от последней памяти , т.е. перходку поставить прям на линию (сам думаю что не особо хорошо так делать, но инфы что то не нашёл).

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Не могу найти информацию о существовании (не существовании) ограничений на длину трас от пинов последней микросхемы памяти (DDR3 / Fly-by) до терминирующих резисторов. Кто знает или встречал поделитесь информацией.

Кому интересно, то нашёл информацию таки: в некоторых источниках указывается ограничения в 500 мил, а вот например Фуджицу пишут что ограничений нет.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this