Jump to content

    

GSI Technology: Микросхемы статической памяти (SRAM)

Наша компания является производителем микросхем оперативной памяти SRAM. Предлагаем рассмотреть наши микросхемы для применения в новых изделиях.

 

GSI Technology - производитель микросхем статической памяти без собственных фабрик (fabless), компания основана в 1995г., специализируется на изготовлении только высокопроизводительной операционной памяти. Для производства микросхем мы пользуемся услугами фабрик TSMC, Тайвань (40нм/65нм/90нм) и PTC, Индия (72нм, только семейство LLDRAM). Подробный каталог продукции находится по ссылке.

 

Линейка продуктов:

  • SRAM - выполнена на 6 транзисторах по технологии CMOS с максимальной емкостью 288 Мбит.

    Семейства SigmaQuad-III и SigmaQuad-IV обладают самой высокой производительностью и минимальной задержкой на рынке;

  • Low Latency DRAM - построена по более сложной архитектуре, чем обычная DRAM с адресацией, как у SRAM. Время доступа tRC=15 нс. Микросхемы выпускаются объемом 288 Мбит и 576 Мбит.

    LLDRAM-II является полным аналогом (функциональным и физическим) RLDRAM-II производства Micron;

  • Bandwidth Engine 2 - выполнена по технологи 1T-SRAM, состоит из 4 секций по 256 DRAM банков, интерфейс 16 линий SerDes со скоростью до 12,5 Гбит/с, время доступа tRC=3,2 нс.

    В серийном производстве память объемом 576 Мбит. В первой половине 2017 появиться образцы BE-3 объемом 1.1 Гбит.

 

Преимущества:

  • Серия Military & Aerospace -55°C...+125°C;
  • Ни одна из микросхем не попадает под экспортные ограничения США и Европы;
  • Ко всем микросхемам бесплатно предоставляется сконфигурированный под задачу конечного пользователя IP-контроллер инициализации памяти в ПЛИС производства Xilinx или Altera (этого не предлагает ни один другой производитель SRAM), пример электрической схемы и топологии печатной платы, полная техническая документация, программные модели (BSDL, IBIS) и техническая поддержка производителя;
  • non Pb-free корпус (с содержанием свинца);
  • Бесплатные образцы;
  • Гибкость минимального количества для заказа микросхем;
  • Заказ микросхем из одной партии;
  • Наличие в линейке продукции аналогов микросхем статической памяти других производителей: Cypress, ISSI, Renesas, Micron, IDT, Alliance Memory.

    Ссылка на подбор аналогов на сайте GSI: http://www.gsitechnology.com/cross-reference

 

Если у Вас возникнут встречные вопросы, я постараюсь дать на них содержательные ответы.

 

--

С уважением,

Евгений Павлюкович

Представительство GSI Technology

 

BY mob. +375 (29) 520-04-18

y.pauliukovich(at)yandex.ru

Edited by Evgeniy740102

Share this post


Link to post
Share on other sites

При выборе любого фильтра любого продукта в центре страницы появляются две вращающиеся стрелочки и все зависает!

Почему у меня это происходит?

 

image.jpg

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
При выборе любого фильтра любого продукта в центре страницы появляются две вращающиеся стрелочки и все зависает!

Почему у меня это происходит?

 

Спасибо! Уже починили, проверяйте.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Спасибо! Уже починили, проверяйте.

Теперь работает нормально!

Share this post


Link to post
Share on other sites

GSI Technology специализируется на изготовлении только высокопроизводительной памяти и благодаря техническому превосходству, короткому периоду производства и длительному сроку жизни микросхем считается лидером рынка.

 

Семейства микросхем:
SigmaQuad-IV на сегодняшний день является самой производительной ОЗУ памятью на рынке. Благодаря большому объему данных 144 Мбит и высокой частоте тактирования до 1333 МГц они широко применяется для задач накопления статистики и в качестве быстрых буферов в телекоммуникационном и сетевом оборудовании, а также для построения изображения в реальном времени.

SigmaQuad-III с точки зрения производительности занимает промежуточное положение между SigmaQuad-IV и SigmaQuad-II+. Максимальная скорость доступа к случайной ячейке во всем адресном пространстве составляет 1,6 млрд. транзакций в секунду, а полоса пропускания до 115 Гбит/с.
Статья. Семейство SQ-III и SQ-IV (рус., pdf)

SigmaQuad-II+ является оптимальным выбором для задач транспонирования, построения быстрых буферов и таблиц в радиолокационных модулях и вычислителях различного назначения. Благодаря отлаженному IP-контроллеру производства GSI Technology микросхемы поддерживают скорость доступа до 1 млрд. транзакций в секунду и полосу пропускания до 91 Гбит/c. Микросхемы SigmaQuad-II+ полностью взаимозаменяемые (корпус, расположение выводов, программное обеспечение) с микросхемами QDR-II+ других производителей.
Статья. Семейство SQ-II и SQ-II+ (рус., pdf)

NBT и SyncBurst стали первыми микросхемами синхронной SRAM памяти, у которых исключен «мертвый» такт на переключение между операциями чтения и записи. Микросхемы работают в режимах Pipeline и Flow-Through. Аналогичные микросхемы от других производителей NoBL (Cypress), ZBT (IDT) и NBT от GSI Technology являются полными аналогами (корпус, расположение выводов, программное обеспечение). Однако, только GSI Technology производит их с максимальной частотой 400 МГц и объемом 288 Мбит. Микросхемы NBT и SyncBurst широко применяются для изготовления средне производительного сетевого и индустриального оборудования, а также благодаря побитной адресации (режим Burst отключен) микросхемы NBT 288 Мбит 400МГц являются лучшим выбором для радиолокационных модулей.
Статья. Семейство NBT (рус., pdf)

Low-Latency DRAM 2 - архитектура построена на восьми DRAM банках со встроенным контроллером перезаряда ячеек. Обращение к ячейкам выполняется за один такт. Время доступа 15 нс (для примера, время доступа DDR3 около 45 нс). Микросхемы выпускаются объемом 288 и 576 Мбит, x9/18/36 с раздельными или совмещенными портами чтения и записи. LLDRAM-II является полным аналогом RLDRAM-II производства Micron и Renesas.
Статья. Семейство LLDRAM-II (рус., pdf)

 

 

Радиационно-стойкие микросхемы SRAM памяти
SigmaQuad-II+ 

  • Максимальный объем 288 Мбит
  • Рабочая частота до 350 МГц
  • Разрядность шины данных х18/36
  • Общая накопленная доза 50 кРад
  • Защита от тиристорного эффекта 42.2 МэВ
  • Керамический корпус 165-ССGA (столбики), 165-BGA (с шариками) или 165-LGA (без шариков)
  • Рабочий диапазон температур от –55 до +125°C

NBT и SyncBurst

  • Максимальный объем 144 Мбит
  • Рабочая частота до 330 МГц
  • Разрядность шины данных х18/36
  • Общая накопленная доза 50 кРад
  • Защита от тиристорного эффекта 42.2 МэВ
  • Керамический корпус 100-СQFP
  • Рабочий диапазон температур от –55 до +125°C.
  • Все радиационно-стойкие микросхемы изготавливаются по технологии 40 нм и сертифицированы по стандарту QML-Q и QML-V.

Статья. Микросхемы Рад-стойкой SRAM памяти (рус., pdf)
 

Edited by evgen740102

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this