Jump to content

    

согласование малошумящего транзистора NE3210

А вот теперь, не трогая входную цепь, на выход тоже конденсатор и второй шлейф, и согласовать ими выход. Вход при этом немного уползет - а может быть, если уползет вверх, то и вообще встанет как надо.

Пари вот на это ( https://krasnoeibeloe.ru/catalog/konyak_arm..._vsop_2_40_0_7/ ) заключим, что никогда так не получится согласовать??? :biggrin:

А вот что получилось, эххх.. подсказчики :crying: (сам допёр)

image.jpg

 

image.jpg

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Зело Вы намутили...

Согласовывал недавно LDMOS. У меня два трансформатора переменной толщины и два полоска для компенсации емкости. У Вас что-то похожее, но из костылей)))

Share this post


Link to post
Share on other sites
Зело Вы намутили...

Согласовывал недавно LDMOS. У меня два трансформатора переменной толщины и два полоска для компенсации емкости. У Вас что-то похожее, но из костылей)))

Можете показать или файл проекта?

 

Дело то тут вовсе не в полосках, а в правильном(расстановка приоритетов) подходе к процессу согласования.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Пари вот на это ( https://krasnoeibeloe.ru/catalog/konyak_arm..._vsop_2_40_0_7/ ) заключим, что никогда так не получится согласовать??? :biggrin:

А вот что получилось, эххх.. подсказчики :crying: (сам допёр)

А вы измерили импеданс источника и нагрузки транзистора при таком согласовании, потери в согласующих цепях, входной и выходной импеданс транзистора, нагруженный на эту согласующую цепь?

По рисунку видно, что потери в таких согласующих цепях не маленькие. Интересно взглянуть на файл проекта.

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Конечно измерял :biggrin: Да не вопрос - пожалуйста, ловите :fman:

image.jpg

 

image.jpg

 

image.jpg

 

image.jpg

 

image.jpg

 

 

 

image.jpg

 

image.jpg

 

image.jpg

 

image.jpg

 

image.jpg

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Пари вот на это ( https://krasnoeibeloe.ru/catalog/konyak_arm..._vsop_2_40_0_7/ ) заключим, что никогда так не получится согласовать??? :biggrin:

А вот что получилось, эххх.. подсказчики :crying: (сам допёр)

 

Ты и сделал то, про что я тебе и писал. По два шлейфа на входе и на выходе, а последовательные емкости ты реализовал расширением МПЛ (в основном это сыграло на входе).

Share this post


Link to post
Share on other sites
Ты и сделал то, про что я тебе и писал. По два шлейфа на входе и на выходе, а последовательные емкости ты реализовал расширением МПЛ (в основном это сыграло на входе).

Нет конечно же!!! То что ты предлагал никоим образом не работает! И если делать так как ты говоришь, то максимально чего можно добиться - картинки ниже, но про КСВ 1.5 по входу и выходу - речи быть не может!!! :1111493779:

Готов биться об заклад, что ты(либо кто-то другой) не согласуешь? :laughing:

image.jpg

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

:bb-offtopic:

 

Is it me, or your amplifier is potentially unstable around 3GHz?

Share this post


Link to post
Share on other sites
Конечно измерял :biggrin: Да не вопрос - пожалуйста, ловите :fman:

Ни на одной картинке нет того, что я просил в предыдущем посте. Слишком много не нужной информации, лучше бы представили на всеобщее обозрение файл проекта.

У меня симулятор выдает, что на частоте 7 ГГц коэффициенты отражения |Sxx| не менее минус 13-14 дБ без согласующих цепей (СЦ). Сдается мне, что полученный результат потери в СЦ, т.е. диссипативные цепи всё-таки присутствуют.

Чтобы определиться в чём причина расхождений надо знать импеданс источника и нагрузки транзистора хотя бы на частотах {7, 7.5, 8} ГГц в привычном виде Z(f) = Re(Z) + j Im (Z).

В последнем посте картинка больше похожа на реальную.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Ни на одной картинке нет того, что я просил в предыдущем посте. Слишком много не нужной информации, лучше бы представили на всеобщее обозрение файл проекта.

У меня симулятор выдает, что на частоте 7 ГГц коэффициенты отражения |Sxx| не менее минус 13-14 дБ без согласующих цепей (СЦ). Сдается мне, что полученный результат потери в СЦ, т.е. диссипативные цепи всё-таки присутствуют.

Чтобы определиться в чём причина расхождений надо знать импеданс источника и нагрузки транзистора хотя бы на частотах {7, 7.5, 8} ГГц в привычном виде Z(f) = Re(Z) + j Im (Z).

В последнем посте картинка больше похожа на реальную.

:05: А Вы куда смотрите??? Input match, output match-графики Вам для чего представили??? (если Вы так уверены что дело в потерях в согласующих цепях) :01:

Файл проекта в студию :yeah:

 

И что значит "...В последнем посте картинка больше похожа на реальную..." ? Это как понимать??? А другие картики виртуальные что ли??? :lol: Вы о чём???!!! :rolleyes: Речь идёт о том что, используя подход к согласованию, предложенный ScrewDriver, не добиться КСВ меньше 1.5, какие бы сложные (высокого порядка) цепи согласования не расчитывались!!! Вот и всё.

 

Хотелось бы посмотреть на Ваш файл проекта :biggrin:

sogl_awr2009.rar

Share this post


Link to post
Share on other sites
:05: А Вы куда смотрите??? Input match, output match-графики Вам для чего представили??? (если Вы так уверены что дело в потерях в согласующих цепях) :01:

Файл проекта в студию :yeah:

 

И что значит "...В последнем посте картинка больше похожа на реальную..." ? Это как понимать??? А другие картики виртуальные что ли??? :lol: Вы о чём???!!! :rolleyes: Речь идёт о том что, используя подход к согласованию, предложенный ScrewDriver, не добиться КСВ меньше 1.5, какие бы сложные (высокого порядка) цепи согласования не расчитывались!!! Вот и всё.

Не понимаю в чём обман. В сообщении #16 вы приводите такой результат (здесь КО меньше чем -17 дБ):

 

image.jpg

 

А в сообщении #22 уже совсем другая картинка:

 

image.jpg

 

Тут КО явно хуже (порядка -10 дБ) и не удовлетворяет Вашим изначальным требованиям <-14 дБ. Файл, который Вы приложили в последнем сообщении #25 даёт вполне ожидаемый результат, представленный на второй картинке (КО порядка минус 10 дБ). Меня, разумеется, интересует файл проекта, в котором Вы получили КО менее чем -17 дБ (см. первую картинку).

 

:05: А Вы куда смотрите??? Input match, output match-графики Вам для чего представили???

На Ваших диаграммах Impedance Input (Output) Match приведены какие-то модули комплексных сопротивлений 1 и 2 порта. Я же просил привести полные комплексные сопротивления источника и нагрузки транзистора. Поясню, в рассматриваемом случае - это сопротивления, которые приводят согласующие цепи к опорной плоскости вывода транзистора и которые с противоположного конца нагружены на согласованную нагрузку (50 Ом).

Так что я не знаю, что Вы привели и зачем.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Если сравнить два графика, то явно видно, что график с лучшим согласованием получен от схемы с дополнительным шунтом по выходу на нижней части диапазона. Этот шунт уменьшает влияние выхода на вход, уменьшая коэффициент обратной передачи. При таких условиях можно точнее согласовать вход и получить минимальный коэффициент шума. В принципе, это и есть тот самый диссипатор.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Уважаемые коллеги! Как правильно считать входную (и выходную) цепь согласования транзистора в электродинамике, если вход (на примере входной СЦ) от генератора = 50 Ом, а выход на нагрузку не 50 Ом? Каким образом нагружать?

image.jpg

 

 

Правильно ли я понимаю, что вначале смотрится входной импеданс транзистора (допустим на центральной частоте полосы), а после этого ставится PortG , куда и вписываются значения нагрузки (входного импеданса транзистора)??? Это то понятно. Как быть дальше ? при создании EM-structure ???

 

 

image.jpg

 

image.jpg

 

 

Всеи спасибо, разобрался :biggrin:

 

Не разобрался :help:

image.jpg

 

image.jpg

 

image.jpg

 

image.jpg

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Менять в ЕМ структуре импеданс порта бессмысленно, симулятор все равно будет считать порт 50-омным. Для того что бы нагрузить свою структуру на импеданс отличный от 50 ом, необходимо создать схему в линейном симуляторе в которую добавить вашу ЕМ структуру в качестве подсхемы.

Порядок действий такой:

1. В EM Structure рисуем схему с портами 50 ом

2. Создаем схему во вкладке Circuit Schematics

3. Во вкладке Elements находим Subcircuits

4. Добавляем в схему.

5. Ставим порты и назначаем им соответствующий импеданс.

Обратите внимание что импеданс следует записывать следующим образом: 0.3+j*5 (например)

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this