Jump to content

    

ИМС отечественного импульсного стабилизатора

Коллеги, нужно сделать ВИП +33,5В->+3,3В / 0.6А

 

Для этих целей раньше использовал ИМС 1273ПН1Т1. Но в этот раз проблема в том, что верхняя граница рабочего температурного диапазона ИМС - 105 градусов, а ВИП должен будет работать при 100 градусах, так что 1273ПН1Т1 не годится...

 

На сайте НТЦ СИТ (входит в группу Кремний Эл) есть описание их гражданских разработок, названия которых, как оказалось, не совпадают с военными...

 

Так например, аналогом гражданской К1156ЕУ5 является 1356ЕФ1У... Черт ногу сломит.

 

Ещё у этой брянской конторы значится на сайте серия 1290Ехх... В перечне она тоже есть, только с другими буковками на конце... Но...

У стабов из перечня согласно таблице параметров потребление - не более 0,2 мА, а у гражданских стабов согласно описанию - не более 10 мА. Опять разнобой...

 

Все ИМС, которые я нашел - биполярные, так что нужно еще внешний транзистор ставить, чтоб сама ИМС не грелась сильно...

 

Короче говоря. Расскажите пожалуйста, что у нас в России есть, на чем можно можно простой импульсный стабилизатор построить +33,5В->+3,3В / 0.6А, работающий при Т=100 град.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Ищите перечень МОП-44, там все микросхемы для военных, т.е. тяжелых условий.

С 2014г теперь он называется просто перечень, например по микросхемам "Перечень ЭКБ 02-2015 (Книга 1 Раздел 1)"

Самые правильные названия в этих перечнях, на сайте могут полную шнягу написать.

 

У стабов из перечня согласно таблице параметров потребление - не более 0,2 мА, а у гражданских стабов согласно описанию - не более 10 мА. Опять разнобой...

Дык правильно - требования-то разные, у военных более жесткие, а всё что не прошло военную приемку продают гражданским :)

 

Еще можно глянуть у Интеграла

Share this post


Link to post
Share on other sites
Ищите перечень МОП-44, там все микросхемы для военных, т.е. тяжелых условий.

С 2014г теперь он называется просто перечень, например по микросхемам "Перечень ЭКБ 02-2015 (Книга 1 Раздел 1)"

Самые правильные названия в этих перечнях, на сайте могут полную шнягу написать.

 

 

Дык правильно - требования-то разные, у военных более жесткие, а всё что не прошло военную приемку продают гражданским :)

 

Еще можно глянуть у Интеграла

 

Глянул у Интеграла. Есть интересный преобразователь. К сожалению на 5В. Но всё равно интересный. 1326ПН1Т. Аналог LM2595-5.0.

 

Вопрос. Если посмотреть схемы на mc64063, то можно встретить примеры умощнения выхода с помощью внешнего транзистора, подключаемого по схеме Дарлингтона. На LM25хх я такого не видел, хотя конфигурация выхода у ИМС, вроде, похожая. Мне нужен внешний транзистор, чтобы разгрузить микросхему по теплу. Кто-нибудь пробовал/встречал такое применительно к LM25хх?

Share this post


Link to post
Share on other sites
Мне нужен внешний транзистор, чтобы разгрузить микросхему по теплу. Кто-нибудь пробовал/встречал такое применительно к LM25хх?

Зачем? Используйте тогда сразу контроллер(1156ЕУ, 1114ЕУ1, 2) и внешние транзисторы.

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Зачем? Используйте тогда сразу контроллер(1156ЕУ, 1114ЕУ1, 2) и внешние транзисторы.

 

Во-первых, контроллеры требуют больше обвязки.

 

Во-вторых:

1114ЕУ1 много потребляет - до 15 мА. Учитывая высокую температуру, не годится.

Верхняя граница питания ИМС 1156ЕУx, предназначенных для управления импульсными ИВП - 30 В.

Edited by Konrad

Share this post


Link to post
Share on other sites

А надо обязательно самим делать? Например, можно взять преобразователь АЕДОН МДМ-Н на 1-2 Вт с ВП. Наше предприятие пользует и отказов пока не было

http://aedon.ru/products/dcdc/mdm-n

Edited by alexkusia

Share this post


Link to post
Share on other sites

А каким образом они смогут работать при +100°C?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Да, действительно по ТУ - 85, хотя предельная температура корпуса 105. Но может проще тепло отвести, чем делать источник на 100. В нем ведь еще и другие элементы имеются

Share this post


Link to post
Share on other sites

Я решил таки применить 1326ПН1Т. Немного огорчает, что она на 5В, но ладно...

 

Кроме +5В, +3.3В мне нужно сделать еще +15В. 1326ПН1Т, как я уже сказал, рассчитана на выходное 5В. На сайте Интеграла указано, что прототипом 1326ПН1Т является LM2595-5.0, а в спецификации указан другой аналог - AP1501-5.0. Микросхемы LM2595-5.0 и AP1501-5.0 конечно похожи, но есть различия, и кто из них всё-таки являлся прототипом не ясно.

Если посмотреть описание на LM2595, то складывается впечатление, что версии на разное напряжение отличаются только номиналами делителя по входу FEEDBACK

 

post-36555-1482519903_thumb.jpg

 

получается, что достаточно добавить резистор на вход FEEDBACK и получишь другое напряжение на выходе. Например 15В. С другой стороны такое использование ИМС противоречит ТУ, и формально так наверное нельзя делать...

Хотя я делал на 1273ПН1Т (аналог lm2675) источник отрицательного напряжения -5В, что тоже в общем-то не по ТУ, хотя в даташите на lm2675 такой вариант использования приводится.

 

Что можно сказать про мою идею нестандартного использования 1326ПН1Т?

Edited by Konrad

Share this post


Link to post
Share on other sites

Посмотрите все же техническое описание на ИМС 1273ПН1Т1 на сайте производителя, там указана другая рабочая температура, до 115 гр., и допустимая рабочая температура кристалла 125 гр., мощность рассеивания не более 1 Вт, температурное сопротивление кристалл-корпус 10 гр.\Вт. Если есть вопросы можно связаться с производителем. Для 1326ПН1Т этот параметр 80 гр.\Вт и более в зависимости от корпуса при той же мощности рассеивания.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Посмотрите все же техническое описание на ИМС 1273ПН1Т1 на сайте производителя, там указана другая рабочая температура, до 115 гр., и допустимая рабочая температура кристалла 125 гр., мощность рассеивания не более 1 Вт, температурное сопротивление кристалл-корпус 10 гр.\Вт. Если есть вопросы можно связаться с производителем. Для 1326ПН1Т этот параметр 80 гр.\Вт и более в зависимости от корпуса при той же мощности рассеивания.

 

У НИИЭТ неразбериха в описаниях полная... На сайте предельная температура корпуса - 115, а в ТУ (они у меня есть) - 105... Температура кристалла, да, везде - 125.

И 105 меня очень смущает... Особенно из-за того, что в ТУ нет данных по тепловому сопротивлению корпус-среда, кристалл-среда. Как при заданной Токр температуру корпуса то посчитать и подтвердить, что она меньше предельной?

 

Но в любом случае, при Токр=100 град. Т корпуса окажется очень близко к 105 град.

 

А 80 гр.\Вт для 1326ПН1Т это тепловое сопротивление кристалл-среда... Другой параметр (не кристалл-корпус).

Edited by Konrad

Share this post


Link to post
Share on other sites

Обычно монтаж мс в отверстия на печатную плату отводит до 1Вт без теплоотвода при нормальной температуре (20+-5гр.) и естественной вентиляции, в закрытом корпусе все может быть иначе, возможно придется делать теплоотвод на внешнюю поверхность изделия. Зато можно предположить, что мощность рассеяния будет значительно меньше максимальной 1 Вт, т.к. коэффициент заполнения D= 3.3В\33В=0.1, Dmax=37В\40В=0.925. Основная мощность рассеивается во время включения ключа, то мощность рассеяния можно оценить как 1Вт*0.1\0.925 плюс мощность потребления при холостом ходе, всего около 0.25Вт. Температуру кристалла считают как Ткристалла=Тсреды+Ррас*(Rкр.среда+Rтеплоотвода).

По поводу неточности в описании все таки следует позвонить производителю и уточнить.

В качестве теплоотвода используют установку мс пайкой на полигон, полтора кв.дюйма примерно 30 гр.\Вт при естественной вентиляции.

По поводу параметра 1326ПН1Т сопротивление кристалл-среда надо уточнять у производителя, что они имели под этим.

Edited by AnatolyT

Share this post


Link to post
Share on other sites
решил таки применить 1326ПН1Т

30 мА · 34 В = 1 Вт

Share this post


Link to post
Share on other sites
получается, что достаточно добавить резистор на вход FEEDBACK и получишь другое напряжение на выходе. Например 15В. С другой стороны такое использование ИМС противоречит ТУ, и формально так наверное нельзя делать...
Формально вы не превышаете ни одного параметра ТУ, какое здесь нарушение.

Другой вопрос - какие дроссели собрались применять?

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
30 мА · 34 В = 1 Вт

 

эх, черт меня возьми... Да, вы правы абсолютно. Запутался я в этих преобразователях. Смешались у меня в голове параметры разных микросхем. И в каждой что-то не подходит...

 

Формально вы не превышаете ни одного параметра ТУ, какое здесь нарушение.

Другой вопрос - какие дроссели собрались применять?

 

меня тут поправили... не годится имс

 

30 мА · 34 В = 1 Вт

 

таким образом остается единственный вариант - 1356ЕФ1У (отечественный аналог mc64063). У нее максимальное потребление - 5 мА (правда дано оно для конкретной частоты задающего генератора, и не ясно, каким оно будет на более высоких частотах).

Предельная Ткр= 150 град., Rt кр-окр = 100 град/Вт, соответственно для Токр =100 град. Рмах=0,5 Вт. Выход можно умощнить внешним транзистором.

Единственный существенный минус - низкая частота...

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this