Jump to content

    

ИМС отечественного импульсного стабилизатора

 

я упоминал про нее в заглавном посте. Но с ней не всё ясно, а дополнительную информацию хотя и обещали, пока не прислали...

Edited by Konrad

Share this post


Link to post
Share on other sites

Продолжаю неспешно рисовать свой девайс и опять занялся ВИПом

Смоделировал в LTspice dc-dc понижающий преобразователь на mc34063 с внешним ключом 27В->12В/0.5А

 

Все схемы buck-преобразователей на mc34063, что мне попадались в сети, почему-то используют pnp-транзистор. Что-то вроде этого:

post-36555-1483537064_thumb.jpg

 

Имхо, лучше использовать npn-ключ:

 

post-36555-1483537050_thumb.jpg

 

Работают в симуляторе они примерно одинаково, но ключ на pnp насыщается, и схема с ним, имхо, более чувствительна к номиналам и коэффициенту усиления транзистора. Вторая кажется мне более надежной. С другой стороны, все делают почему-то на pnp...

 

Коллеги, поделитесь соображениями.

Edited by Konrad

Share this post


Link to post
Share on other sites

Можем поделиться разве что недоумением — если тема о рассеиваемой мощности, то почему её нет на обоих графиках?

Share this post


Link to post
Share on other sites

NPN транзистор в разрыве плюсового провода может работать только как эмиттерный повторитель. А это дополнительное падение 0.7В. Так, что естественно выпускаемые промышленно преобразователи как с внешними, так и с внутренними ключами используют как правило pnp биполярные ключи или p-канальные полевые. Вообще-то в этом и суть высокого КПД преобразовательного источника, ключ работает или в режиме насыщения, или отсечки, не правда ли? А Вы на это сетуете. Естественно схема с усилителем тока и напряжения, коим в данном случае является pnp ключ, имеет существенно большее петлевое усиление, чем с повторителем. Отсюда и необходимость более тщательной коррекции передаточной характеристики. Подозреваю, что все эти общие понятия Вам хорошо известны и вопрос из более практичной сферы "что же реально делать?".

OFF: После запуска TMS320C667x с его специализированным контроллером питания UCD9222, в котором ARM-7 встроен, охватывает ужас, когда задумываешься о том, что самому такое изобретать не хватит жизни.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Можем поделиться разве что недоумением — если тема о рассеиваемой мощности, то почему её нет на обоих графиках?

 

Поскольку в широком смысле тема об импульсных преобразователях, я решил не создавать новое обсуждение. В данном случае речь о проверке работоспособности разных вариантов построения преобразователя с внешним транзистором.

Мощность в обоих случаях примерно одинаковая и при токе 0,5 А составляет ~0,8 Вт. Теоретически с PNP ключом должна быть меньше, но мне не удалось добиться существенной разницы.

 

NPN транзистор в разрыве плюсового провода может работать только как эмиттерный повторитель. А это дополнительное падение 0.7В. Так, что естественно выпускаемые промышленно преобразователи как с внешними, так и с внутренними ключами используют как правило pnp биполярные ключи или p-канальные полевые. Вообще-то в этом и суть высокого КПД преобразовательного источника, ключ работает или в режиме насыщения, или отсечки, не правда ли? А Вы на это сетуете. Естественно схема с усилителем тока и напряжения, коим в данном случае является pnp ключ, имеет существенно большее петлевое усиление, чем с повторителем. Отсюда и необходимость более тщательной коррекции передаточной характеристики. Подозреваю, что все эти общие понятия Вам хорошо известны и вопрос из более практичной сферы "что же реально делать?".

OFF: После запуска TMS320C667x с его специализированным контроллером питания UCD9222, в котором ARM-7 встроен, охватывает ужас, когда задумываешься о том, что самому такое изобретать не хватит жизни.

 

В симуляторе оба варианта работают, но вариант с повторителем мне больше нравится, т.к. в самой ИМС на выходе стоит именно повторитель на дарлингтоновском транзисторе,

 

https://www.insidegadgets.com/wp-content/up...013/12/mc-1.png

 

а скорость открытия/закрытия ключа на pnp (и работоспособность схемы), имхо, будет сильно зависеть от номиналов резисторов и параметров транзистора, и того, насколько глубоко он будет насыщаться.

Edited by Konrad

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this