[SergRuan 0]

Добрый день, коллеги!

Начал моделировать CGH40006P. Повторил для начала один в один топологию из даташита.

Пока все параметры подложки идеальные, результ близок к указанному в даташите

 

Потом задал реальные значения проводимости для меди и тангенс дельта (для duroid 5880) и результат стал как-то сильно печальный.

 

Не понял почему, ведь плата указанная в даташите сделана именно на 5880 и с этой топологией.

Кто имел дело с данным транзистором, подскажите, пожалуйста, что я делаю не так.

[SergRuan 0]

Переформулирую вопрос: насколько сильно в действительности (не обязательно для указанного транзистора, для любого) различаются результаты моделирования при идеальных условиях и в реальных платах где имеют место быть потери?

Влияют ли потери в проводниках и диэлектрике на согласование, или они вызывают только активные потери (затухание волны)?

[l1l1l1 0]

Добрый день, коллеги!

Начал моделировать CGH40006P. Повторил для начала один в один топологию из даташита.

Пока все параметры подложки идеальные, результ близок к указанному в даташите

...

Потом задал реальные значения проводимости для меди и тангенс дельта (для duroid 5880) и результат стал как-то сильно печальный.

...

Не понял почему, ведь плата указанная в даташите сделана именно на 5880 и с этой топологией.

Кто имел дело с данным транзистором, подскажите, пожалуйста, что я делаю не так.

давайте сначала уточним, чем вы моделировали и какие куда данные для меди вводили, и какова у вас толщина проводников.

и еще такой личный вопрос: как вы сумели сделать такие картинки, что глаза сломаешь?

такие, что красную кривую невозможно отличить от синей,

а отложены по оси Х единицы или десятки ГГц, можно только догадываться.

[SergRuan 0]

давайте сначала уточним, чем вы моделировали и какие куда данные для меди вводили, и какова у вас толщина проводников.

ADS2011.10

Т.е. толщина 18 микрон, проводимость по википедии.

 

и еще такой личный вопрос: как вы сумели сделать такие картинки, что глаза сломаешь?

такие, что красную кривую невозможно отличить от синей,

а отложены по оси Х единицы или десятки ГГц, можно только догадываться.

 

Картинки такие получились через " • Добавить картинку в сообщение" в форме ответа. Сайт предложил уменьшить, я согласился, предположив, что это уменьшение для превьюшки (по нажатию вылезут большие). Каюсь, больше не буду уменьшать.

 

В большом формате:

 

[Alexey_B 0]

Переформулирую вопрос: насколько сильно в действительности (не обязательно для указанного транзистора, для любого) различаются результаты моделирования при идеальных условиях и в реальных платах где имеют место быть потери?

Влияют ли потери в проводниках и диэлектрике на согласование, или они вызывают только активные потери (затухание волны)?

 

1. Кроме топологии, на плате есть пассивные элементы (резисторы, конденсаторы). Их параметры тоже будут влиять.

2. Размеры проводников реальной платы всегда будут отличаться от модели из-за ошибок изготовления. Параметры реальной меди и реального диэлектрика тоже.

3. Ещё сильнее будет влиять режим работы транзистора. Даже в даташите видно заметные различия в малосигнальных параметрах при питании 20 и 28 В. А в режиме большого сигнала об S-параметрах вообще можно забыть. Для более-менее близкой оценки в модели можно использовать импедансы с 8-й страницы даташита.

4. Скорей всего, все эти грустности в реальной плате легко исправятся парой-тройкой нашлёпок из индия :)

[ser_aleksey_p 0]

Потом задал реальные значения проводимости для меди и тангенс дельта (для duroid 5880) и результат стал как-то сильно печальный.

 

На мой взгляд, второй результат ближе к даташите.

[ser_aleksey_p 0]

На мой взгляд, второй результат ближе к даташите.

 

Собрал схему и топологию:

 

и соответствующие результаты:

 

[SergRuan 0]

Собрал схему и топологию

 

Ух. Это Вы в чем такой результат получили?

Может ли мой результат быть искажен, если я топологию не трогал? Только схемный анализ.

Для моделирования тоже SPICE модель использовали?