Jump to content

    
Sign in to follow this  
Vlas

Мостовой с ZVS

Recommended Posts

К = М/SQRT(Lm*Ln) - из официальной справки к микрокапу. Если правильно помню, оно к Вашей формуле приводится.

Я ж не против Вашей формулы, я за :rolleyes: но как измерить М? А индуктивность рассеяния измеряется всем известным способом, и "моя" формула для этого случая. Соответствие одного другому можете проверить :rolleyes:

 

Это же трансформатор, а не дроссель.

Когда у него нет тока в первичной обмотке, он - "чистая" индуктивность, а размагнититься он должен как раз в это время (в паузе). И если он не успеет размагнититься, то это может привести к насыщению сердечника ТТ и к тем самым неприятностям, о которых Вы писали выше.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Когда у него нет тока в первичной обмотке, он - "чистая" индуктивность

 

Мне не очень понятна применимость в данном случае постоянной времени t= L/R. Исходя из вольт-секундного баланса, при паузе 2% и рабочем цикле 98% 130 ом должно быть достаточно (хотя, лучше - больше).

Share this post


Link to post
Share on other sites
Хотя, в районе 130 Ом минимум нужно (при 2*D=0.98).

Я думаю, значительно больше 130 Ом. Недавно в какой-то теме мы это обсуждали (если найду дам ссылку).

Минимальная пауза должна быть п=3*t, тогда R=L/t=3*L/п, если пауза 0,3 мкс, то R=3*5600мкГн/0,3мкс=56000Ом=56кОм. На самом деле здесь обязательно вмешаются паразитные ёмкости (монтажа, вторичной обмотки, диода), и неплохо бы подумать хорошо ли для данного случая выбрано такое включение ТТ. Может быть его - в диагональ?

Нашёл: http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=130627

Edited by MikeSchir

Share this post


Link to post
Share on other sites
Еще уменьшая емкость Сr, можно получить картинку как у меня.

выбор оптимальной ёмкости связан со значением индуктивности рассеяния трансформатора или дополнительного дросселя в этой роли.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Минимальная пауза должна быть п=3*t, тогда R=L/t=3*L/п, если пауза 0,3 мкс, то R=3*5600мкГн/0,3мкс=56000Ом=56кОм.

 

56k - это ересь.

Вольт-секундный интеграл:

V1*ton=V2*toff.

Если пауза = 2%, рабочий цикл - 98%, то V2=49*V1.

 

По схеме автора топика:Vcsmax=2.5В. 2.5В/1.5Ом=1,66А (ток R24). На вторичке ТТ(+0,5В на диоде) - 3В.

Необходимое напряжение размагничивания - 3В*49=147В. Размагничивающий резистор 147В/1,66А=88Ом min. Плюс запас 50% (на восстановление диода, его емкость и т.п.) - итого 130-150 ом вполне достаточно. Где здесь 56кОм - в упор не вижу.

Share this post


Link to post
Share on other sites
56k - это ересь.

 

По схеме автора топика:Vcsmax=2.5В. 2.5В/1.5Ом=1,66А (ток R24). На вторичке ТТ(+0,5В на диоде) - 3В.

Необходимое напряжение размагничивания - 3В*49=147В. Размагничивающий резистор 147В/1,66А=88Ом min. Плюс запас 50% (на восстановление диода, его емкость и т.п.) - итого 130-150 ом вполне достаточно. Где здесь 56кОм - в упор не вижу.

Пытаясь остановить оппонента выкриками о ереси, Вы показываете, что не готовы слушать кого-нибудь, кроме себя.

И тем не менее продолжим.

А откуда Вы взяли, что после окончания рабочего хода ток во вторичной обмотке =1,66А? Такой величины ток мог протекать во вторичной обмотке, но там протекал ток другой величины около 38 мА.

Uвых=220В; Rнагр-100 Ом; Iвых=220/100=2,2А; Nтр=1,7; амплитуда тока первичной обмотки I1=2,2А*1,7=3,74А; коэффициент трансформации трансформатора тока (ТТ)=корень(5600мкГн/0,56мкГн)=100; ток во вторичной обмотке ТТ=3,74/100=0,0374А=37,4мА. Вот! И чтобы получить на нагрузке ТТ 2,5В (это Ваши данные) нагрузка должна быть=2,5В/0,0374А=66,8 Ом. Но из анализа схемы контроллера LTC3722 можно узнать, что напряжение срабатывания по входу CS=0,3В, т.о. нагрузка ТТ=0,3В/0,0374А=8,02 Ом. При наличии slope compensation нужно поставить немного меньше, но это уже другая сказка :rolleyes: , см. ДШ на контроллер.

Напряжение на вторичной обмотке ТТ U2тт=0,3В+0,5В(напряжение открытого диода)=0,8В; судя по осциллограммам длительность полупериода T/2=7мкс(примерно); максимальный ток намагничивания Iu=(U2тт*T/2)/L2тт(индуктивность вторичной обмотки ТТ)=(0,8В*7мкс)/5600мкГн=0,001А=1,0мА.

Если мы хотим размагнитить ТТ за время равное 2% от T/2, т.е. 0,14мкс, то нам нужно сделать это напряжением прямоугольной формы в 50 раз больше чем мы его намагничивали, т.е. 0,8*50=40В. Если мы будем размагничивать с помощью резистора параллельного вторичной обмотке ТТ, то напряжение будет иметь в идеале экспоненциальную форму, т.е. чтобы сохранить вольт-секунды, его амплитуда будет раза в три больше (пусть 100В), т.о. величина резистора размагничивания будет более 100кОм (100В/1иА=100кОм).

На самом деле в узле с ТТ бал правят паразитные ёмкости и форма напряжения будет отличаться от предполагаемой. Поэтому в схеме в ДШ на контроллер параллельно обмотке ничего нет, но при моделировании поставить что-то нужно.

Вот, как-то так. И где тут ересь?

А ересь – в том, что нужно больше чем 56кОм. Я так думаююю :rolleyes:

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
ток во вторичной обмотке ТТ=3,74/100=0,0374А=37,4мА.

 

А не подскажите, куда деваются эти 37,4мА после закрытия диода?

 

то нам нужно сделать это напряжением прямоугольной формы

 

И по интервалу накачки Вы, наверное, абсолютно честный интеграл напряжения взяли?

 

напряжение будет иметь в идеале экспоненциальную форму

 

Вспомните, как зависит напряжение индуктивности от dI/dt.

 

Я в своих рассчетах исхожу из того, что ТТ - реальное устройство с конечной Ls (причем, не пренебрежимо малой), для которого выполняется равенство вольт-секундных интегралов со ступенчатой аппроксимацией (V1=Const на интервале t1, V2=Const на интервале t2). Паразитные параметры, экспоненты и логарифмы, а также легкое подмагничивание сердечника ТТ меня особо не интересуют. Эмпирически - размагничивающий резистор раз в 100-500 больше, чем нагрузочный. Как-то так.

Share this post


Link to post
Share on other sites
А не подскажите, куда деваются эти 37,4мА после закрытия диода?

Вообще то закрывается транзисторный ключ, через который протекает ток первичной обмотки ТТ (те самые 3,74А), который и создаёт эти 37,4мА во вторичной, а уже диод закрывается током намагничивания протекающим во вторичной обмотке ТТ в противоположном току нагрузки направлении. После закрытия диода, естественно, тока в цепи нагрузки нет и не может быть :rolleyes:

Здесь бы хорошо бы сослаться на какой нибудь источник, но к сожалению на столе у меня таких нет, а сослаться на ТОЭ (теоретические основы электротехники) - как-то не хочется пугать население форума, тем самым намекая на незнание ОСНОВ :rolleyes:

 

А не подскажите, куда деваются эти 37,4мА после закрытия диода? Или ТТ у Вас идеален?

 

И по интервалу накачки Вы, наверное, абсолютно честный интеграл напряжения взяли?

 

Я в своих рассчетах исхожу из того, что ТТ - реальное устройство с конечной Ls (причем, не пренебрежимо малой), для которого выполняется равенство вольт-секундных интегралов со ступенчатой аппроксимацией. Паразитные параметры, экспоненты, легкое подмагничивание сердечника ТТ меня особо не интересуют. Эмпирически - размагничивающий резистор раз в 100-500 больше, чем нагрузочный. Как-то так.

На первый вопрос я уже ответил.

По второму вопросу могу ответить каламбуром: ТТ идеален в своей реальности, т.к. процессы протекающие в нём при выключении сливаются с процессами выключения транзисторного ключа. В ТОЭ токовый трансформатор - особый трансформатор и рассматривается особо.

По третьему вопросу. Вам неплохо бы самому добавить аргументов и описаний, чтобы на него можно было бы ответить.

По поводу эмпирических величин. Согласен с

раз в 100-500 больше, чем нагрузочный
если бы речь шла о однотактнике, в котором длительность импульса и паузы соизмеримы. Но нам нужно размагнитить ТТ за очень короткое время и здесь хорошо бы было отбросить эмпирику и подумать, особенно если что-то не получается. А эмпирику оставить писателям курсовых и дипломных проектов :rolleyes:

И ещё, в заключение. Обладая и умея пользоваться таким мощным инструментом как симуляторы, взять и посмотреть процессы протекающие в любой точке и на любом участке схемы моделируемого устройства - дело секундное.

Edited by MikeSchir

Share this post


Link to post
Share on other sites
Вообще то закрывается транзисторный ключ, через который протекает ток первичной обмотки ТТ (те самые 3,74А), который и создаёт эти 37,4мА во вторичной, а уже диод закрывается током намагничивания протекающим во вторичной обмотке ТТ в противоположном току нагрузки направлении. После закрытия диода, естественно, тока в цепи нагрузки нет и не может быть

 

Когда у него нет тока в первичной обмотке, он - "чистая" индуктивность

 

Понятно. Позволю себе ответить Вам цитатой ув.Tiro из ветки, ссылу на которую Вы давали выше:

 

Схему замещения нарисуйте, помножьте Lxx на dI/dt. Может что новое узнаете.

 

Также - рекомендую все-таки вспомнить формулу Vl=L*dI/dt и подсмотреть в таблице производных, что происходит с первообразной при смене знака производной.

 

А идеальные реальные трансформаторы, которые вообще особые и не подчиняются общей теории - это не ко мне.

 

если бы речь шла о однотактнике, в котором длительность импульса и паузы соизмеримы.

 

Просто соберите макет и осциллографом посмотрите. Для разных tDt/D.

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Понятно. Позволю себе ответить Вам цитатой ув.Tiro из ветки, ссылу на которую Вы давали выше:

 

Также - рекомендую все-таки вспомнить формулу Vl=L*dI/dt и подсмотреть в таблице производных, что происходит с первообразной при смене знака производной.

Вам наверное понравилось в ответе хамство? Вы наверное не дочитали ту тему до конца? И почему вы так не хотите разъяснить мне, то что, как Вам кажется, я не понял, а Вы всё намеками и намёками :rolleyes:. Где я нарушил закон электромагнитной индукции? подскажите.

А идеальные реальные трансформаторы, которые вообще особые и не подчиняются общей теории - это не ко мне.

Прочитайте мой текст без предвзятости. Я ни слова не сказал о том что ТТ не подчиняются

общей теории
, я наоборот отослал Вас к ТОЭ.

Просто соберите макет и осциллографом посмотрите. Для разных tDt/D.

Не советуйте мне такого :rolleyes: Я уже лет 25 не делаю макетов до опытного образца, это в полном смысле - прошлый век :rolleyes: С помощью симулятора можно решать большинство вопросов проектирования. Что и Вам желаю :rolleyes:

Edited by MikeSchir

Share this post


Link to post
Share on other sites
если бы речь шла о однотактнике, в котором длительность импульса и паузы соизмеримы. Но нам нужно размагнитить ТТ за очень короткое время и здесь хорошо бы было отбросить эмпирику и подумать, особенно если что-то не получается.

И ещё, в заключение. Обладая и умея пользоваться таким мощным инструментом как симуляторы, взять и посмотреть процессы протекающие в любой точке и на любом участке схемы моделируемого устройства - дело секундное.

Вот в однотакте у меня время размагничивания токового транса очень маленькое(особенно в режиме ХХ). post-75016-1449147949_thumb.png

Вы вроде ратуете за симулятор, а говорите исключительно буквами.

Edited by нищеброд

Share this post


Link to post
Share on other sites
Вот в однотакте у меня время размагничивания токового транса очень маленькое(особенно в режиме ХХ).

Вы вроде ратуете за симулятор, а говорите исключительно буквами.

Вы поставили ТТ в диагональ однотактного моста, ток в ней не прерывается, что видно по первой диаграмме. И почему Вы считаете что ТТ размагничивается очень быстро? Я этого не вижу. Вы не показали где находится точка n032? На схеме нет номеров узлов.

Мы обычно ставим ТТ непосредственно в сток одного из транзисторов. В этом случае ток в ТТ прерывается и вокруг его вторичной обмотки (L10)не приходится городить ничего лишнего.

А что непонятного я сказал словами? Чего не хватает? Если то, что я Вам написал выше требует подтверждения, промоделируйте сами, а для меня это очевидно.

Share this post


Link to post
Share on other sites

мне вот кажется, что все ранее выступившие по поводу ТТ в определенной степени не правы :rolleyes:

 

MikeSchir, забывает, что трансформатор обратимый девайс, т.е. размагничивание может происходить как по вторичной обмотке, так и по первичной.

 

Скорее вопрос размагничивания во вторичной обмотке следует отнести к размагничиванию индуктивности рассеяния ТТ, а не самой индуктивности вторичной обмотки. В результате величины изменяться примерно на порядок.

 

У Нищеброда в модели индуктивность ТТ L10 сопоставима с параллельно включеной L11.

 

Для примера, Кольцо 20-12-6 N87 100 витков L =15мГн Lr =1,5мГн

 

 

Для расчета трасформатора тока у меня было несколько лет назад кое что написано здесь http://valvol.ru/topic1137.html

Edited by _gari

Share this post


Link to post
Share on other sites

UCC3895 хорошая микросхема, работает нормально. По началу на те же грабли наступал - пытался отлаживать схему при малой нагрузки, там и вправду "ерунда" получается ))). Начинайте сразу с номинальной нагрузки, а для исключения звона на выпрямительных диодах RC цепи достаточно. Считается просто - конденсатор в районе 1000пф для вашего напряжения, больше не надо, иначе потери на резисторах будут большими. Для начала возьмите резистор в районе 10-47 ом, включите источник и померьте период колебаний напряжения на диоде, будут затухающие по экспоненте колебания. дальше зная период по формуле Т=2*Pi* кв.корень (L*C) найдите индуктивность. Величина резистора в RC должна равняться волновому сопротивлению колебательного контура, т.е. кв.корень из (L/C). Замените резистор на получившийся и наступит счастье!!!!

Share this post


Link to post
Share on other sites
UCC3895 хорошая микросхема, работает нормально. По началу на те же грабли наступал - пытался отлаживать схему при малой нагрузки, там и вправду "ерунда" получается ))). Начинайте сразу с номинальной нагрузки, а для исключения звона на выпрямительных диодах RC цепи достаточно. Считается просто - конденсатор в районе 1000пф для вашего напряжения, больше не надо, иначе потери на резисторах будут большими. Для начала возьмите резистор в районе 10-47 ом, включите источник и померьте период колебаний напряжения на диоде, будут затухающие по экспоненте колебания. дальше зная период по формуле Т=2*Pi* кв.корень (L*C) найдите индуктивность. Величина резистора в RC должна равняться волновому сопротивлению колебательного контура, т.е. кв.корень из (L/C). Замените резистор на получившийся и наступит счастье!!!!

На холостом я уже её укротил. Описанные проблемы относятся к номинальной.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Sign in to follow this