dimm.electron 0 6 ноября, 2015 Опубликовано 6 ноября, 2015 · Жалоба мда... похожие картинки видел когда-то у себя ... был таки поставлен BISS NJT4030, но тоже не понравился, пока не было введено отрицательное смещение -3в Спасибо за информацию :) Собственно в конце к подобному выводу прихожу если, конечно, диод, о котором вы говорите, включен не параллельно этим ста омам. А как этот диод еще может быть включен? Естественно параллельно. Медленно открывание через 100ом, быстрое закрывание через диод Просто параллельно внутренним паразитным? Выкиньте их - ничего они не дадут. Может быть. Выкинуть никогда не поздно, а вот предусмотреть место для установки уже не всегда :) Дадут - мы же выяснили как плохи транзисторы М5-серии ! Новость... Повезло же выбрать именно эти Продолжаю эксперименты. Собственно получается окончательный вывод в конце. На скорую руку переделал схему управления, для проверки некоторых дум. Именно так переделал, потому что ее проще всего получить при имеющейся плате - вместо одного резисторов поставил перемычку, а 10 ом воткнул тупо подняв ножку транзистора. Теперь осциллограмма и наблюдения. Голубая линия - выход полумоста, желтая - выход нижнего драйвера. Примерно за секунду осцилограммы проскочило всего 3-5 импульсов подобных тем, что на фото. То есть такой жести, как в начале топика уже нет При поджиге дуги фаза резонансного контура крутится, как может и это я забыл учесть. Поэтому на выходе моста проскакивает именно это. В данном случае фаза тока почти совпала с фазой напряжения моста и в дросселе около нулевой ток при выключении транзистора. Это вызывает жесткое переключение. Если посмотреть на первую картинку, то один импульс чистый, а начало второго - ужасно :) Потому что транзистор закрывался при почти нулевом токе, а открывается при максимальном токе в резонансном контуре. Так же по наклону синей линии видно, что при открывании транзистора фронт практически вертикальный - 10 ом в затворе же... На второй осциллограмме похожее, только нуля ток в дросселе достиг до включения транзистора. Собственно об это я и говорил, имея в виду повышение dU/dt при повышенном токе - из-за постоянного вращения фазы ток дросселя может увеличивает скорость нарастания импульса или уменьшать его В общем выводы следующие. Как _gari написал, нужен более мощный PNP транзистор, удерживающий закрытым силовой транзистор. В затворе думаю пока остановиться на 47-100омах на открытие. Базу транзистора буду подключать непосредственно к ИРке - так почти отсутствует всплеск напряжения. Со снабером пока не знаю, буду ли переделывать. Сейчас стоят два конденсатора по 1н, что при токе в 5 ампер в дросселе должно давать что-то около 100нс. Буду переделывать плату Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 6 ноября, 2015 Опубликовано 6 ноября, 2015 · Жалоба Диодом мы купируем Forward Recovery, а не заряд ! Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
dimm.electron 0 6 ноября, 2015 Опубликовано 6 ноября, 2015 · Жалоба M5 - худший выбор для резонансной схемы. нужен ключ с быстрым внутренним диодом. Посоветуете какой? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 6 ноября, 2015 Опубликовано 6 ноября, 2015 (изменено) · Жалоба полно специальных - например, CFD серии от Infineona https://www.infineon.com/cms/en/product/pow...1337e82a5392f8e p-n-p PBSS5350T Изменено 6 ноября, 2015 пользователем НЕХ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Integrator1983 0 6 ноября, 2015 Опубликовано 6 ноября, 2015 · Жалоба Новость... Повезло же выбрать именно эти Вообще, для двухтактных схем CoolMOS - очень плохие ключи. Посмотрите в даташите такие параметры, как Reverse recovery charge, а также отношение емкостей Cgd/Cgs (образующих делитель) и Gate threshold voltage. Будете неприятно удивлены. Чтобы избежать лишних танцев, возьмите предназначенные для двухтактной работы ключи - с шустрым диодом и пониженной емкостью Миллера. Диодом мы купируем Forward Recovery, а не заряд ! Да, вспомнил. Я имел в виду Reverse Recovery. Посоветуете какой? Полно у Ixys, до 650В - есть у Fairchild (серия FRFET), парочка приличных есть и у ST (на 650В - точно есть - сам применял). Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
dimm.electron 0 6 ноября, 2015 Опубликовано 6 ноября, 2015 (изменено) · Жалоба полно специальных - например, CFD серии от Infineona https://www.infineon.com/cms/en/product/pow...1337e82a5392f8e По цене и параметрам IPB65R190CFD похож. Спасибо за подсказку Вообще, для двухтактных схем CoolMOS - очень плохие ключи. Посмотрите в даташите такие параметры, как Reverse recovery charge, а также отношение емкостей Cgd/Cgs (образующих делитель) и Gate threshold voltage. Будете неприятно удивлены. Так не с потолка эти транзисторы выбрал :( Для самопроверки тогда сравню новые IPB65R190CFD и используемые STB16N65M5 Сопротивление стока при 150гр примерно одинаково 0.45 / 0.49 Полный заряд затвора много больше 68 / 31, но это скажется на пару милиампер тока потребления Заряд емкости Миллера 37 / 8, тут тоже хуже Заряд затвора 12 / 12 Емкость затвора 1850 / 1250 Эквивалентная емкость Миллера 70 / 30 И вот объясните мне, почему нужно выбирать транзистор, где энергия емкости и сама емкость Миллера много выше? Да, и напряжение плато у обоих примерно 6 вольт А Reverse recovery charge не знаю как сравнить, там условия испытаний разные. Но у первого приведено 0.5 микрокулон, а у моего транзистора суммарно 7.5нанокулон, то есть разница на порядки Изменено 6 ноября, 2015 пользователем dimm.electron Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Integrator1983 0 6 ноября, 2015 Опубликовано 6 ноября, 2015 · Жалоба используемые STB16N65M5 В схеме у Вас указаны несколько другие ключи. STB16N65M5 - это те из пары подходящих у ST, о которых я говорил. Хотя, Reverse recovery charge 3.5 uC - тоже не очень. моего транзистора суммарно 7.5нанокулон Такого даже у SicFET'ов нет. Это ST буквы u и n путают. 3.5 - 4uC. Для примера, сравним FCH150N65F(FRFET от Fairchild) и STB16N65M5 (MDmesh V). Для FCH150N65F Сgd/Cgs = 0.77/2810 = 0.000274. Для STB16N65M5 Сgd/Cgs = 3/1250 = 0.0024. Gate threshold voltage - одинаковые. Кто откроется раньше при высоких dU/dt? Reverse recovery time/Reverse recovery charge для FCH150N65F 123ns/597nC. Reverse recovery time/Reverse recovery charge для STB16N65M5 300ns/3500nC. Хотя, повторюсь, STB16N65M5 - один из лучших у ST. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
wla 2 6 ноября, 2015 Опубликовано 6 ноября, 2015 (изменено) · Жалоба Хотя, повторюсь, STB16N65M5 - один из лучших у ST. Да, хоть идеальные ключи ставьте. Форма напряжения не изменится. А вот, если поставить небольшую индуктивность последовательно с нагрузкой, то выброс уйдет. Схема сейчас работает на частоте около резонанса и переход тока через 0 проходит во время dead-time. добавление индуктивности сместит резонанс вниз. Система перейдет в область индуктивной нагрузки и картинки сильно изменятся. Изменено 6 ноября, 2015 пользователем wla Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
dimm.electron 0 6 ноября, 2015 Опубликовано 6 ноября, 2015 · Жалоба В схеме у Вас указаны несколько другие ключи. Мое упущение У приведенного FCH150N65F емкость затвора почти 3н, а полный заряд затвора в 3 раза выше. Если нынешний транзистор открывается по осциллограмме за 0.5мкс, то этот будет 1.5мкс... Многовато. Собственно и выбирал транзистор с минимальным зарядом затвора, чтобы его ирка тянула. Как оказалось выбрал правильно выбрал один из "лучших". Суть уяснил, закажу для проб и других транзисторов, более "тяжелых", для опыта Схема сейчас работает на частоте около резонанса и переход тока через 0 проходит во время dead-time Не совсем верно. Специально обратил внимание, что таких "проходов" через 0 всего несколько штук из десятков тысяч тактов, то есть подавляющее большинство в дед-тайм не попадают. Причину появлению одиночных импульсов связываю с нестабильностью разряда, который постоянно меняет фазу в LC контуре. Например, при чистом резонансе на выходе будет подобие синусоиды. А при поджиге эта синусоида в каждом периоде в произвольном месте может "надломиться" и пойти под другим углом. Напряжение на выходе "пляшет", поэтому дроссель отдает ток за разное время и при очередном переключении транзисторов предугадать какой ток идет через дроссель невозможно - он каждый раз разный. Добавление дросселя на выходе эти "пляски" не особо уменьшит, ИМХО, и проблема останется. Почему так уверен? Пробовал уводить частоту дальше от резонанса и поднимать напряжение питания транзисторов Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
крупный радиолюбитель 1 6 ноября, 2015 Опубликовано 6 ноября, 2015 · Жалоба мы же выяснили, как плохи транзисторы М5-серии ST ! M5 - худший выбор для резонансной схемы. нужен ключ с быстрым внутренним диодом. А при адаптивной паузе, разве нужны городушки с быстрым диодом? Даже для серии М5 такой байпас вроде никчему. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 6 ноября, 2015 Опубликовано 6 ноября, 2015 · Жалоба А при адаптивной паузе, разве нужны городушки с быстрым диодом? Даже для серии М5 такой байпас вроде никчему. Адаптивная пауза автору не поможет - нагрузка может притворяться ёмкостью. А дополнительный последовательный дроссель совместно с большим током намагничивания (зазором в магнитопроводе) смогут облегчить жизнь ключей Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Tiro 0 6 ноября, 2015 Опубликовано 6 ноября, 2015 · Жалоба Теперь осциллограмма и наблюдения. Голубая линия - выход полумоста, желтая - выход нижнего драйвера. Примерно за секунду осцилограммы проскочило всего 3-5 импульсов подобных тем, что на фото. То есть такой жести, как в начале топика уже нет Картинки понятные и приятные. Поясню по 2 картинке. - После закрытия верхнего ключа все ключи разомкнулись и индуктивный ток в цепи нагрузки (резонансно) перебрасывает напряжение на ключах так, что открывает диод нижнего транзистора (первый синий спад на рис 2). - Затем ток заканчивается и заряженные емкости толкают в нагрузку ток протиположного знака, что приводит к перебросу напряжения на ключах (резонансно) до открытия диода верхнего ключа (первый синий фронт на рис 2). - Тут заканчивается мертвое время у ИР2153 и она отпирает нижний транзистор (жесткое включение) (второй синий спад на рис 2). Спад резкий. Сопровождается заметной "полкой" на затворе нижнего (желтый фронт рис 2). Выводы: - Не хватает индуктивного тока для удержания потенциала полумоста после переключения. а) Великовато мертвое время. б) Не та расстройка в рагрузке. а) Примените ИР21531, у нее 0,6мкс против 1,2мкс у ИР2153. б) Сделайте индуктивную расстройку в нагрузке. Если никак, то поставьте дроссель компенсации параллельно нагрузке. Что настораживает, так это несимметрия синией картинки на рис 1 и рис 2. Будто у Вас есть постоянный ток в нагрузке или несимметрия управления. И еще при переходе от рис 1 к рис 2 явно меняется характер нагрузки (индуктивность-емкость). Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
_gari 4 7 ноября, 2015 Опубликовано 7 ноября, 2015 (изменено) · Жалоба Что настораживает, так это несимметрия синией картинки на рис 1 и рис 2. Будто у Вас есть постоянный ток в нагрузке или несимметрия управления. И еще при переходе от рис 1 к рис 2 явно меняется характер нагрузки (индуктивность-емкость). там нестационарный процесс, индуктивность может в произвольный момент времени прыгать с активной нагрузки(дуга), на емкость контура. А дополнительный последовательный дроссель совместно с большим током намагничивания (зазором в магнитопроводе) смогут облегчить жизнь ключей Поясните свою мысль подробнее, НЕХ. Где конкретно этот дроссель, по вашему мнению, должен стоять? Мне вот кажется, что если пытаться решить эту задачу серьезно, то без контроля состояния контура и соотв. защит все это будут только танцы с бубном, более или менее успешные. Изменено 7 ноября, 2015 пользователем _gari Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 7 ноября, 2015 Опубликовано 7 ноября, 2015 · Жалоба дроссель как в LLC преобразователях. или заложен в конструкцию выходного трансформатора или между полумостом и трансформатором. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
wla 2 7 ноября, 2015 Опубликовано 7 ноября, 2015 · Жалоба Поясните свою мысль подробнее, НЕХ. Где конкретно этот дроссель, по вашему мнению, должен стоять? Мне вот кажется, что если пытаться решить эту задачу серьезно, то без контроля состояния контура и соотв. защит все это будут только танцы с бубном, более или менее успешные. Дроссель ставится последовательно с нагрузкой, и, в сочетании с выходной емкостью ключей, приведет от жесткого переключения к квазирезонасному Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
