[HardEgor 61]

38 минут назад, MPetrovich сказал:

Нет. Спасибо за ссылку. Только это по потреблению, а мне надо в принципе заставить модуль писать/читать.

Да, так и есть, я оба CE# заземлил))) Просто не стал акцентировать внимание на этом... Схема внутренняя тоже есть, смотрел, вроде все учёл...

Там про потребление и пишут, что Latch-up Current Limiter имеет два уровня срабатывания - 100 и 200 мА.

CE# - имеет активный низкий уровень(как я понимаю решетка обозначает инверсию), т.е. заземлять можно только один из них.

[MPetrovich 3]

А всё таки по поводу чтения/записи может есть ещё какие-нибудь соображения у народа?

[novikovfb 17]

18 hours ago, MPetrovich said:

Да, так и есть, я оба CE# заземлил))) Просто не стал акцентировать внимание на этом... Схема внутренняя тоже есть, смотрел, вроде все учёл...

Это все объясняет: одновременно два кристалла пытаются выдать на выход каждый - свою информацию, в результате конфликт выходов, потребление и ерунда на выходах.

[MPetrovich 3]

Прошу прощения за дезинформацию. Этап с попеременным включением CE#0 и CE#1 я не описал. Этот момент я прочухал после изучения внутренней коммутации в модуле:

так же как и то, что на каждые 8 разрядов шины данных свой WE#. Я использую только младшие 7 разрядов, поэтому дергаю только WE#0(нога 21); CE#0=GND и CE#1=Vcc.

 

[MPetrovich 3]

Проблема решилась довольно неожиданным образом. Воспользовавшись даташитом на MR0A08B, из которых собраны мои модули, я увидел там два способа записи: Figure 8 – Write Cycle Timing 1 (W Controlled) и Figure 9 – Write Cycle Timing 2 (E Controlled)(в данном случае Е=СЕ, т.е. Chip Enable)

Я переделал программку под эту времянку и... всё заработало! Честно сказать, я не очень понял отчего так, но главное работает)))

[Danila 0]

3D PLUS снял с производства модуль памяти 3DMR8M32VS8471 IS/SS, а вместо него выпустил аналогичный модуль памяти 3DMR8M32VS8420 IS/SS с той же ёмкостью, в том же корпусе и с той же шириной шины данных. Ниже сравнительная таблица параметров обоих изделий: 

 

статус	наименование	Объём памяти	Конфи-гурация	Напряж. питания	Время доступа	Радстойкость			Тип корпуса	Шина данных
						TID кРад	SEL МэВ·см2/мг	SEU МэВ·см2/мг
obsolete	3DMR8M32VS8471 SS	8 Мбит	256k х 32	3,3 В	40 нс	50	85	устойчив	SOP-68	32 Бит
active	3DMR8M32VS8420 SS	8 Мбит	256k х 32	3,3 В	40 нс	50	85	устойчив	SOP-68	32 Бит

 

Отличие модуля 3DMR8M32VS8471 от 3DMR8M32VS8420 в опции «Control Input Capacitance», которая была реализована через выводы #WE0(21), #WE1(27), #WE2(42) и #WE3(61). В следствии невостребованности, она была упразднена в новой версии модуля 3DMR8M32VS8420. При этом данная опция, реализованная через выводы #CE0(14) - #CE1(5) сохранилась без изменений. Подробнее информация представлена в Detail Specification 3DPA-4340-9 (стр. 9, 11, 14, 22-25) и 3DPA4100-10 (стр. 8, 10, 13, 21-24).

Эти модули «в хвост и в гриву» на соответствие всех параметров, включая радстойкость, испытывали около десятка испытательных центров в РФ. У всех получились позитивные результаты. Все параметры в соответствии с заявленными или выше, чего нельзя сказать о китайских клонах. У китайцев качество непредсказуемо пляшет от партии к партии. При чём не только в части радстойкости, а и по таймингу тоже – приходится бороться с этим с помощью линии задержки. В общем, если есть выбор, то лучше применять 3D PLUS.

 

[novikovfb 17]

12 minutes ago, Danila said:

3D PLUS снял с производства модуль памяти 3DMR8M32VS8471 IS/SS, а вместо него выпустил аналогичный модуль памяти 3DMR8M32VS8420 IS/SS с той же ёмкостью, в том же корпусе и с той же шириной шины данных. Ниже сравнительная таблица параметров обоих изделий: 

Не совсем так: 3DMR8M32VS8471 был разработан по моей заявке для работы с 5890ВЕ1Т производства НИИСИ РАН и имел раздельное управление записью байтов, а до этого выпускали 3DMR8M32VS8420, где можно было записать только слово целиком. Но, в связи с санкциями, в РФ поставок больше нет, поэтому выпускать 3DMR8M32VS8471 нет смысла. Китайцы не осилили клонирование 3DMR8M32VS8471, поэтому пришлось плясать с бубном, чтобы не переписывать программное обеспечение.

[Danila 0]

В 07.09.2023 в 14:59, novikovfb сказал:

Не совсем так: 3DMR8M32VS8471 был разработан по моей заявке для работы с 5890ВЕ1Т производства НИИСИ РАН и имел раздельное управление записью байтов, а до этого выпускали 3DMR8M32VS8420, где можно было записать только слово целиком. Но, в связи с санкциями, в РФ поставок больше нет, поэтому выпускать 3DMR8M32VS8471 нет смысла. Китайцы не осилили клонирование 3DMR8M32VS8471, поэтому пришлось плясать с бубном, чтобы не переписывать программное обеспечение.

Спасибо за комментарий. Вместе с тем, модуль 3DMR8M32VS8420 IS/SS  по прежнему выпускается и об это есть информация на сайте производителя. Если кому то очень нужна продукция проверенных французов вместо неоднозначных китайцев, то наверняка они смогут найти варианты, как её получить.