Jump to content

    

MRAM в космосе

Всем доброго дня!

 

Уважаемые знатоки :-) подскажите пожалуйста можно ли память типа MRAM отправлять в космос? Будет ли она там исправно работать? Есть ли какие-нибудь нехорошие нюансы для неё, ну например вспышка на солнце? Может кто сталкивался с подобными вопросами...

Share this post


Link to post
Share on other sites

http://www.3d-plus.com/product.php?type=1&fm=37

 

на jpl, по-моему, есть отчеты по тестам и даже мисиям

 

кристаллы там те же самые еверспиновские, что и в пластмасовых дешевых корпусах

 

у больших (8МБ) есть проблемы с защелкиванием - у той же 3Д есть апнота и спец микруха для борьбы

меньшие - все ОК

 

ну и кроме 3Д их корпусируют многие аэрокосмические фирмы - но немногих можно купить у нас

----------

 

ну и это - магнитное поле для нее вредно - то есть рядом с двиготелем, где быстро движется плазма ставить нельзя

Share this post


Link to post
Share on other sites

MRAM привлекательная штука для космоса. Но все нужно использовать очень аккуратно. Если брать от 3DPlus с сертификатом - то вроде можно доверять. Если покупать в магазине просто MRAM, то не факт что будет стойкий кристалл. В литературе очень разные данные по стойкости к тиристорному эффекту. Ну и магнитное поле нужно внимательно смотреть, хоть и есть экран на кристалле.

Share this post


Link to post
Share on other sites
у больших (8МБ) есть проблемы с защелкиванием - у той же 3Д есть апнота и спец микруха для борьбы

меньшие - все ОК

ну наверное не с самим размером связано а с интерфейсом?

Share this post


Link to post
Share on other sites
ну наверное не с самим размером связано а с интерфейсом?

Не с интерфейсом, а с технологией изготовления и ее параметрами (кратко, например, тут). А уж большая она или маленькая и какой там интерфейс - не имеет особого значения.

 

По поводу борьбы с этим явлением - тоже не все просто. По моему, до сих пор никто не исследовал надежность микросхем после возникновения в них "защелки". Все-таки, это ненормальный режим, приводит к локальным перегревам и всяким неприятностям, поэтому, вполне вероятно, влияет и на надежность и остаточный ресурс.

А микросхема от 3D для борьбы с защелкой - а кто сказал что она сама не подвержена защелке? :)

Наши конторы тоже делают такие микросхемы, и вроде даже они неплохо работают.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Не с интерфейсом, а с технологией изготовления и ее параметрами (кратко, например, тут). А уж большая она или маленькая и какой там интерфейс - не имеет особого значения.

 

По поводу борьбы с этим явлением - тоже не все просто. По моему, до сих пор никто не исследовал надежность микросхем после возникновения в них "защелки". Все-таки, это ненормальный режим, приводит к локальным перегревам и всяким неприятностям, поэтому, вполне вероятно, влияет и на надежность и остаточный ресурс.

А микросхема от 3D для борьбы с защелкой - а кто сказал что она сама не подвержена защелке? :)

Наши конторы тоже делают такие микросхемы, и вроде даже они неплохо работают.

да в курсе, я имел ввиду от ширины интерфейса чем от емкости, тем более в разговоре где вывода защищают внешней микрухой

Share this post


Link to post
Share on other sites
По моему, до сих пор никто не исследовал надежность микросхем после возникновения в них "защелки".

3D исследовали и на защелку и на искажение данных, есть очень стойкие, есть не очень, обращайтесь к их дистрибьюторам (например, ПЭК).

Share this post


Link to post
Share on other sites
3D исследовали и на защелку и на искажение данных, есть очень стойкие, есть не очень, обращайтесь к их дистрибьюторам (например, ПЭК).

Я не имел в виду саму защелку. Речь идет об остаточном ресурсе схемы после возникновения одной, двух ... ста "защелок". Все-таки это нештатный режим работы, связанный с локальным протеканием значительных токов, что бесследно не проходит.

Есть еще вопрос, сколько микросхема может проработать после возникновения "защелки" в состоянии с повышенным током потребления, пока автоматика не сообразит и не отключит ее. Например две секунды реакции автоматики - работает, четыре - уже сгорела. Сами 3D такой информации вроде не дают - только пороговые значения ЛПЭ для "защелки" или сбоев и иногда сечение.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Я не имел в виду саму защелку. Речь идет об остаточном ресурсе схемы после возникновения одной, двух ... ста "защелок". Все-таки это нештатный режим работы, связанный с локальным протеканием значительных токов, что бесследно не проходит.

Есть еще вопрос, сколько микросхема может проработать после возникновения "защелки" в состоянии с повышенным током потребления, пока автоматика не сообразит и не отключит ее. Например две секунды реакции автоматики - работает, четыре - уже сгорела. Сами 3D такой информации вроде не дают - только пороговые значения ЛПЭ для "защелки" или сбоев и иногда сечение.

80 МэВ*мг/см2 - нет защелкивания и искажения данных, какой ресурс по количеству защелкиваний Вы хотите?

Share this post


Link to post
Share on other sites

Это хорошо, если у Вас есть такие данные, подтвержденные сертификатом. Значение более 80 по пороговым ЛПЭ это очень неплохо, считается что можно применять практически везде, но ведь в космосе есть частицы и с более высокими ЛПЭ, правда их очень немного, и вероятность того, что они окажутся "в нужное время и в нужном месте" совсем невелика. Для некоторых "экзотических" заказчиков проводим испытания и при ЛПЭ около 100 МэВ*см2/мг.

Действительно, если Вы берете микросхему определенного класса с гарантированной стойкостью - то тут вроде можно и не волноваться. но это деньги, и не малые. Если же выбирать просто "микросхему MRAM", то никто не гарантирует в ней отсутствие эффектов одиночных событий, в том числе "защелок" или вообще отказов. По некоторым MRAM опубликованы результаты с порогом по "защелке" (SEL) ниже 7(семь) МэВ*см2/мг. Поэтому и говорю, что выбирать нужно аккуратно. Не любая MRAM подходит для космоса.

 

По поводу остаточного ресурса после "защелок" - в нашей практике на испытаниях периодически встречается, что микросхемы живут несколько событий, иногда десятков событий возникновения SEL, потом умирают. И это, надо заметить, при довольно строгом ограничении тока потребления и небольшом времени реакции до отключения питания. В аппаратуре же, вся мощность источника может приложиться к микросхеме, в которой возник эффект, и тут уж как повезет.

 

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Всем здравствуйте. Решил написать сюда, чтобы новую тему не создавать.

Дали на тестирование MRAM 3D Plus модуль 3DMR8M32VS8471. Корпус в виде эдакого брусочка 1х1см и длиной примерно 4см. Выводы как SOIC, но с шагом 0,8мм. Ладно, сделали оснастку, подключили и... не работает, зараза! И понять не могу в чем проблема. Вроде всего два управляющих сигнала OE# и WE#. На запись: OE# = Vcc; выставляю адрес и данные, дергаю WE# к GND; при чтении: выставляю адрес, OE# = GND, снимаю данные... В результате на шине данных висят нули и только видно как немного дергается сигнал при вкл/выкл OE#.

Вот в чем проблема? Вроде банальный интерфейс как у стандартной SRAM...

Да, еще и потребяет модуль порядка 100мА, хот  это и не выходит за максимально допустимые значения, но всё равно как то многовато по-моему?

Share this post


Link to post
Share on other sites
50 минут назад, MPetrovich сказал:

Да, еще и потребяет модуль порядка 100мА, хот  это и не выходит за максимально допустимые значения, но всё равно как то многовато по-моему?

Вот этот документик смотрели?

Share this post


Link to post
Share on other sites
1 hour ago, MPetrovich said:

Вот в чем проблема? Вроде банальный интерфейс как у стандартной SRAM...

 

там может быть несколько чипов внутри модуля, соответственно несколько чип-селектов CE*#. 0 может быть только на одном. шина данных соответственно общая. я уже точно не помню и лень доки искать, но 8М32 как бы намекает, что в один чип столько не влезет - смотрите доки - там вплоть до схемы внутренностей модуля было

 

upd: ну и сигнала у стандартной SRAM все-таки 3 OE# WE# и CE# или CS# 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
31 minutes ago, HardEgor said:

Вот этот документик смотрели?

Нет. Спасибо за ссылку. Только это по потреблению, а мне надо в принципе заставить модуль писать/читать.

 

18 minutes ago, yes said:

там может быть несколько чипов внутри модуля, соответственно несколько чип-селектов CE*#.

Да, так и есть, я оба CE# заземлил))) Просто не стал акцентировать внимание на этом... Схема внутренняя тоже есть, смотрел, вроде все учёл...

Edited by MPetrovich

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this