[kumle 0]

Всем привет!

Собираемся использовать в проекте MRAM MR25H40 фирмы EVERSPIN http://www.everspin.com/family/mr25h40

В даташите написано unlimited write endurance.

Проект очень ответственный и планируется использовать в кач-ве буфера для хранения данных отправляемых по сети ethernet,

про бесконечное число записей что-то не верится, может кто проводил ресурсные испытания ?

Сам пока не делал так как плату только через месяц сделают.

 

[Bulaev 0]

Добрый день! Ну, у MRAM ресур конечно больше, чем у Flash, но всё равно не бесконечный. Деградация, прежде всего, заметна в динамических параметрах. Конкретно у этой микросхемы ресурсные испытания не проводили, но если интересно - можно договориться.

[kumle 0]

Тогда сам попробую испытать когда плата придет!

Отпишусь тогда здесь может кому пригодится

[Sanyao 0]

Вообще говорят что ячейка при операциях чтения-записи не "изнашивается", поэтому и число циклов бесконечно.

есть некоторые данные, например тут - заявлено количество циклов более, чем 10^15. А это довольно много, даже для буфера..

В любом случае, если решите испытывать, не забудьте про температуру ;)

[walsv 0]

а зачем проводить испытания, есть сомнения? и сколько по времени вы их будете проводить, любопытно, вы прикиньте и расскажите нам.

 

[ZZZRF413 0]

Тогда сам попробую испытать когда плата придет!

Отпишусь тогда здесь может кому пригодится

 

При цикле в 35 нс, на проведение 10^14 циклов у Вас уйдет ~ 40 дней.

 

А по теме мне например вот такая статья попалась...

http://www.everspin.com/sites/default/file..._MRAM_Study.pdf

[walsv 0]

При цикле в 35 нс, на проведение 10^14 циклов у Вас уйдет ~ 40 дней.

 

А по теме мне например вот такая статья попалась...

http://www.everspin.com/sites/default/file..._MRAM_Study.pdf

 

в этом документе же написано

 

4.2 Endurance

MTJ-based MRAM has virtually unlimited program/erase/read endurance, meaning you can

write/read/erase the memory array virtually forever without degrading the MTJ’s ability to change or

maintain its bit state. Toggling the magnetic moment of the free SAF layer to change bit state is a

nondestructive process as charge transport does not occur, except for a small tunnel current across the

AlOx barrier. MRAM datasheets typically quote about 10^15 cycles for their endurance specification. This

is effectively unlimited endurance as it takes over 300 years to write just 100,000 addresses even 10^12

times (assuming 100 ns write-cycle time).

MRAMs are expected to have very high endurance and testing to date has demonstrated this. One of the

largest customers of MRAM is Siemens. Siemens uses Everspin MRAM in over 250,000 systems and has

reported zero field failures