Jump to content

    

Странное поведение схемы с n-JFET-транзистором

Смещение полезно тем, что уменьшает рабочий ток транзистора и рассеиваемую мощность, и это очень полезно при питании от батарейки/аккума. Транзистор греется меньше - надежность схемы больше. Если входной сигнал миливольты. то работать с большим начальным током бессмысленно.
А что мешает уменьшить его, понижая питающее напряжение?

 

Кроме этого транзистор работает в более линейной части своей характеристики, а это сильно уменьшает искажения.
Про современный импорт не знаю, а советские полевики типа КП103 - 303 и иже с ними, при нуле на затворе имеют линейность больше. Причем она начинает ухудшаться по мере прикрывания транзистора.

 

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
А что мешает уменьшить его, понижая питающее напряжение? Про современный импорт не знаю, а советские полевики типа КП103 - 303 и иже с ними, при нуле на затворе имеют линейность больше. Причем она начинает ухудшаться по мере прикрывания транзистора.

 

Как всегда - компромисс у инженеров. У J-FET, напомню, есть другая особенность, отсутствующая у других транзисторов (присутствует так же у МДП транзисторов) - термостабильная точка при напряжении смещения ниже нуля, которую иногда приходится использовать. См. например http://www.club155.ru/transistors-workpoint-stab-fet

Share this post


Link to post
Share on other sites

Термостабильная точка - это да. Но это не отменяет недостатка JFET - большого (раза в два) разброса параметров - начального тока стока и напряжения отсечки. Хотя в советские времена можно было и подобрать. Сам использовал КП103-303 в источниках тока, но с появлением LM334 это стало не актуальным. А в усилителях небольшое изменение тока стока часто некритично.

 

JFET, при увеличении тока стока (т.е. нуле на затворе относительно истока) имеют еще и максимальную крутизну. Но если сигнал будет слишком сильным, он начнет открывать p-n переход. Такого недостатка нет у depletion mode mosfet, которые в остальном очень похожи.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Термостабильная точка - это да. Но это не отменяет недостатка JFET - большого (раза в два) разброса параметров - начального тока стока и напряжения отсечки. Хотя в советские времена можно было и подобрать.
Естественно не отменяет. Это опция, которая иногда нужна. Подбор/подстройка рабочей точки или транзистора - это нонсенс. Схема должна "держать" разброс параметров, иначе это не схема. Но про возможность и компромисс надо помнить.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Такого недостатка нет у depletion mode mosfet
Были еще советские КП305 и КП313. Они назывались "с изолированным затвором" и положительным напряжением открывались, а отрицательным - закрывались. Полное подобие радиолампы. (Были даже "тетроды" КП306 и КП350.)

 

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Для таких маленьких амплитуд сигналов, как у Вас, никакого смещения на полевик и вообще не требуется.

Симуляция показывает, что коэффициент усиления большинства транзисторов с нулевым смещением минимален. Кроме того, даташиты пишут, что для некоторых транзисторов вообще сток и исток полностью заменяемые, это для меня говорит о том, что при нуле у них вообще не должно быть усиления. Так что похоже не для всех JFET-транзиторов то, что вы говорите справедливо.

Еще добавлю, что таким образом уменьшается влияние всевозможных дрейфов транзистора. А вот конденсатор особой роли не играет - увеличивает усилиление всего на 20 процентов на высокой частоте.

Конкретно с моим типом транзистора, который указан на схеме, разница в усилении с кондёром и без - более 2-х раз.

Тот эффект не из-за 10 мкФ, а из-за 100 МОм.

Какой диапазон частот нужно усиливать? Звук?

Ну вообще на практике эффект оказался незаметен. Насчёт 10 мкФ мне и изначально было ясно. 100 МОм сейчас уже уменьшилось до 1 МОм. А усиливать надо единичные импульсы длительностью порядка сотен наносекунд и амплитудой сотни микровольт.

Edited by ArtDenis

Share this post


Link to post
Share on other sites
Симуляция показывает, что коэффициент усиления большинства транзисторов с нулевым смещением минимален. Кроме того, даташиты пишут, что для некоторых транзисторов вообще сток и исток полностью заменяемые, это для меня говорит о том, что при нуле у них вообще не должно быть усиления.

Ваши рассуждения противоречат теории работы полевого транзистора с обратносмещенным p-n переходом. Что за транзистор вы симулируете?

Даташит симметричных транзисторов pmbfj308-310 в полном соответствии с теорией показывает рост крутизны с приближением смещения на затворе к нулю.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this