Jump to content

    

Испытания ПЗС/CMOC на стойкость пикселей

Испытание матрицы на стойкость к протонам, в общем то не проблема. Сложнее сейчас найти собственно хороший источник протонов - с правильной аттестованной методикой определения флюенса, энергии и т.п., особенно если Вам нужна приемка. Раньше много испытывали в ИТЭФ, но он сгорел. Остался ПИЯФ. Там протоны, ЕМНИП, с энергией 1ГЭВ. Если действительно нужны испытания, обращайтесь, сделаем. Можно на протоны, можно на ТЗЧ.

PS еще немаловажный момент - возможно окружение матрицы (контроллеры, АЦП и т.п.) будет более чувствительно к космическим условиям и умрет раньше чем в матрице выбьется пиксел. Нужно, в общем то, оценивать стойкость в комплексе. Часто бывает что заказчики приносят готовое устройство на испытания в конце разработки, и просят подтвердить стойкость, заданную в ТЗ. А на поверку оказывается, что компоненты то стоят хиленькие совсем, и им в космос "ну никак нельзя"... Поэтому, мне кажется, что радстойкость нужно прикидывать еще на этапе подбора компонентов, а не "подтверждать" в конце разработки.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Сам много раз сталкивался, но ни разу не испытывал, т.к. альтернативы все равно не было, к тому же все наши сенсоры уже полетали, Обращайтесь-),

к тому же если на сенсоре выбьет пиксель, это поправимо, а вот если мозги, то это проблема.(которая решается несколько другим способом).

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Дык, тут в общем-то вопрос наверное даже не столько в проведении испытаний, сколько в пересчете результатов этих испытаний на реальные условия. Стукнуть флюенсом ГэВ-ных протонов по матрице, подсчитать битые пиксели, вычислить сечение, отжечь, охладить и проч. это можно. Но реальный диапазон наверху это 0...100 МэВ. И если верить некоторым буржуйским публикациям, самое интересное на уровне десятков МэВ. Можно ли вообще в принципе по результатам ГэВ-ных испытаний понять, что будет на 50 МэВ-ах? Кто-нибудь этим владеет? Ведь в стране, вроде, нет установок на 50 МэВ.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Рыба, Вы путаете терминологию. Следует различать энергию самой частицы (протона или иона) измеряемую в эВ, и линейные потери энергии этой частицы в веществе, измеряемые в МэВ×см2/мг .

Это суть разные вещи. Да, можно бахнуть ГэВ-ными протонами, но ЛПЭ у них будет очень небольшие.

"наверху" действительно, спектр примерно от 0 до 100 МэВ×см2/мг. На земле это, в общем то, воспроизводится, но с некоторыми ограничениями по пробегу. Поэтому при испытаниях облучают микросхемы с открытым кристаллом, да еще в вакууме. Если, например, у микросхемы чувствительная область находится глубже, чем пробег частицы, применяют шлифование, например со стороны подложки, чтобы частицы при испытаниях достигли чувствительной области.

Установки для испытаний есть, аттестованы, методики расчета для конкретных орбит имеются, испытания на них проводятся в большом количестве. Так что, wellcome :).

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this