Jump to content

    

Cyclone V, DDR3

В External Memory Interfaces Handbook для DDR2 есть табличка, где указано - ставить терминирующий резистор на вывод или нет, куда его ставить, какая точность выравнивания дорожек должна быть и т.п.

 

 

 

 

Для DDR3 применительно к Cyclone V что-то не вижу рекомендаций. Может есть отдельный документ? Я так понял, что возле ПЛИС не нужны никакие терминаторы, а возле микрухи памяти? Какие точности выравнивания нужны и т.п.?

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Они в данном документе рекомендуют повторять в своем проекте топологию как в модулях UDIMM.

На странице 4-61 начинается довольно подробная табличка с требованиями по выравниванию и топологии. Что касается терминирования, то на шинах данных оно не требуется, а на шинах адреса/управления терминаторы ставятся возле микрухи памяти.

Что интересно в модулях DIMM на всех линиях стоят последовательные резисторы (~16 Ом). А в девелопмент борде Альтеры где микрухи распаяны непосредственно на плате резисторов нет. По идее если используется стандарт SSTL они должны быть...

Edited by Cont

Share this post


Link to post
Share on other sites

Да вроде как в хандбуке написано, что для SSTL-135 не надо внешних резисторов, особенно если используешь OCT

Share this post


Link to post
Share on other sites

Лучше провести моделирование, и на его основании решить, нужны они или нет

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this