deplen 0 4 декабря, 2012 Опубликовано 4 декабря, 2012 (изменено) · Жалоба Здравствуйте! Задача стирания NAND флешки уже несколько притомила. В большинстве примером (большинство что я увидел на просторах интернета) сводятся к такому коду: void erase (uint16_t n) // как я понял н это номер блока { uint16_t addr1; uint8 addr2, addr3 addr1 = n << 6; // вот тут в каких 6 в каких 5 addr2 = (uint8_t) (addr1 & 0xFF); addr2 = (uint8_t) ((addr1 >> 8) & 0xFF); // и дальше addr1 и addr2 передаются в команду стирания } кто бы доходчиво мог объяснить что делается в данном коде... я не понимаю несколько моментов. В описание в работе с нанд памятью указано что подаается 3 команды. В которых участвуют адреса блоков, страниц. Но как связан данный код с тем что требуется передать. Спасибо. Изменено 5 декабря, 2012 пользователем IgorKossak [codebox] для длинного кода, [code] - для короткого!!! Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SyncLair 0 4 декабря, 2012 Опубликовано 4 декабря, 2012 · Жалоба требуется передать адрес... он и передаётся просто он расплющивается в несколько байт... см даташит на микросхему Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
deplen 0 5 декабря, 2012 Опубликовано 5 декабря, 2012 (изменено) · Жалоба получается мы передаем в функцию номер блока, далее номер блока преобразуется в адрес начала и конца блока?... Если можно то поподробней что делается в тех трех командах Изменено 5 декабря, 2012 пользователем deplen Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
deplen 0 5 декабря, 2012 Опубликовано 5 декабря, 2012 · Жалоба Может я не особо внятно попробовал задать вопрос..попробую еще раз... Допустим на вход подается 1. Тобишь первый блок, тогда согласно функции результат сдвига будет 40h или 64 в десятичной. Строка с сдвигом 8 равна 0h. Ниже распишу что получается: 40h 0h 80h 0h C0 0h а дальше 00h 01 40h 01 ... и так далее...тобишь через 4 итерации он изменяет переменную с сдвигом 8, как эти все действия связаны с адресацией NAND. Прошу помощи в этом я не смог догадаться что все это значит. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SyncLair 0 5 декабря, 2012 Опубликовано 5 декабря, 2012 · Жалоба давайте по порядку, лучше плясать от исходника. 1. наверное в последней строке addr3 иначе предыдущая строка не имеет смысла а. номер блока умножается на 64 (значит в одном блоке 64 страницы) б) номер блока распределяется в две однобайтные переменные г) они куда то там передаются (вы уверены что передаются addr1 и addr2 ) тогда зачем addr3????? вы бы глубоко вздохнули и ещё раз написали пример поподробнее Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
deplen 0 5 декабря, 2012 Опубликовано 5 декабря, 2012 (изменено) · Жалоба давайте по порядку, лучше плясать от исходника. 1. наверное в последней строке addr3 иначе предыдущая строка не имеет смысла а. номер блока умножается на 64 (значит в одном блоке 64 страницы) б) номер блока распределяется в две однобайтные переменные г) они куда то там передаются (вы уверены что передаются addr1 и addr2 ) тогда зачем addr3????? вы бы глубоко вздохнули и ещё раз написали пример поподробнее void Erase(uint16 block) { uint32 pageNum uint8_t addr1,addr2; num = block << 6; addr1 = (uint8_t)( num & 0xff ); addr2 = (uint8_t)( ( num >> 8 ) & 0xff ); Далее команда на стирание 60h Передаем адрес addr1 Передаем адрес add2 Вторая команда стирания d0h Ожидаем ответ Ready/Bysy пина } Вот пример как он выглядит в программе к микроконтроллеру и на большинстве примеров из сети. Прошу прощения что назвал переменные не совсем коректно в прошлом примере..просто пытался объяснить и не вдавался в смысл названий. Завтра уже нада что то показывать начальнику, а я в простой адресации не могу разобраться. Изменено 5 декабря, 2012 пользователем IgorKossak [codebox] для длинного кода, [code] - для короткого!!! Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
aaarrr 63 5 декабря, 2012 Опубликовано 5 декабря, 2012 · Жалоба Завтра уже нада что то показывать начальнику, а я в простой адресации не могу разобраться. У NAND флеш есть понятия страниц и блоков. Стирание ведется только блоками. Один блок в вашем примере содержит 64 страницы. Так в чем, собственно, вопрос? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
deplen 0 5 декабря, 2012 Опубликовано 5 декабря, 2012 (изменено) · Жалоба У NAND флеш есть понятия страниц и блоков. Стирание ведется только блоками. Один блок в вашем примере содержит 64 страницы. Так в чем, собственно, вопрос? да вопрос вобщем то, что делается в данном коде, что я представил выше) что такое num? что такое addr1, addr2. Примеры того что в отладке при входных данных 1 и 2 приведены. Я не могу понять что означают данные перменные. Почему addr1 всегда имеет значения 00h, 40h, 80h, C0h. A addr2 через 4 итерации увеличивается на единицу. да вопрос вобщем то, что делается в данном коде, что я представил выше) что такое num? что такое addr1, addr2. Примеры того что в отладке при входных данных 1 и 2 приведены. Я не могу понять что означают данные перменные. Почему addr1 всегда имеет значения 00h, 40h, 80h, C0h. A addr2 увеличивается на единицу, после того как addr1 станет снова 00h. В моем понимании адресация это 0x00010000-0x0001ffff 0x00020000... и так далее... а как в представленном коде нанд понимает что ему подсвоевывают мне не понятно. Изменено 5 декабря, 2012 пользователем deplen Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
subver 0 6 декабря, 2012 Опубликовано 6 декабря, 2012 · Жалоба Какой то поток сознания. Ваш код делает следующее: Умножает номер блока на 64, чтобы получить номер страницы начала блока. Затем в переменные addr1 и addr2 раскладываются соответственно младший и старший байт полученного номера. Потом они передаются как параметр команды. И причем тут какие то итерации и увеличения? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
vladimir_orl 0 6 декабря, 2012 Опубликовано 6 декабря, 2012 · Жалоба Посмотри даташит на м/с NANDа типа MT29F4G08AAA. Там написано. Там последовательная запись адреса, разбитого на части. Да, и если тема поднята, скажите, кто знает, по умолчанию SPARE область добавляется при чтении-записи или нет. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
deplen 0 11 декабря, 2012 Опубликовано 11 декабря, 2012 (изменено) · Жалоба Какой то поток сознания. Ваш код делает следующее: Умножает номер блока на 64, чтобы получить номер страницы начала блока. Затем в переменные addr1 и addr2 раскладываются соответственно младший и старший байт полученного номера. Потом они передаются как параметр команды. И причем тут какие то итерации и увеличения? Спасибо за исчерпывающий ответ. Я вобщем то к этому и пришел на работе и потом прочитал Ваш комментарий. Задача решена. Всем отписавшимся спасибо за помощь. После решения данной проблемы После решения данной задачи возникли следующие: 1)каким способом можно восстановить работоспособность памяти после стирания всех блоков? 2) при подключения, в параллели другого микроконтроллера к "родному" мк SD карточки, будет ли он (родной) как то мешать работе подключенного (тобишь на шину данных выставлять нули или еще какие препятствия) Изменено 11 декабря, 2012 пользователем deplen Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
subver 0 12 декабря, 2012 Опубликовано 12 декабря, 2012 · Жалоба 1)каким способом можно восстановить работоспособность памяти после стирания всех блоков? Никаким. Даташит настоятельно не рекомендует стирать блоки, помеченные как "плохие". Память при этом будет работоспособна, но выявить сбойные блоки будет сложно. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
deplen 0 12 декабря, 2012 Опубликовано 12 декабря, 2012 (изменено) · Жалоба Никаким. Даташит настоятельно не рекомендует стирать блоки, помеченные как "плохие". Память при этом будет работоспособна, но выявить сбойные блоки будет сложно. А как насчет низкоуровнего форматирования которое призвано восстановить работоспособность? Оно же как я понимаю записывают необходимую служебную информацию, после которой требуется только записать таблицу например быстрым форматированием Windows. Изменено 12 декабря, 2012 пользователем deplen Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
subver 0 13 декабря, 2012 Опубликовано 13 декабря, 2012 · Жалоба А как насчет низкоуровнего форматирования которое призвано восстановить работоспособность? Оно же как я понимаю записывают необходимую служебную информацию, после которой требуется только записать таблицу например быстрым форматированием Windows. Низкоуровневоео форматирование призвано стереть все блоки, не более того. Не стоит равнять SD карту и микросхему NAND памяти. Контроллер SD карты перед какими либо манипуляциями с данными в чипе NAND памяти проверяет на "корректность" выбраный блок. И если он помечен как "плохой" - то просто игнорирует его. Если вы стерли все подряд блоки без контроля признака "плохого" блока - остается надеятся, что в данной конкретной микросхеме все блоки вдруг были "живые" перед этим, потому что простыми тестами чтения-записи скорее всего не удастся выявить "плохой" блок быстро. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
deplen 0 13 декабря, 2012 Опубликовано 13 декабря, 2012 · Жалоба Низкоуровневоео форматирование призвано стереть все блоки, не более того. Не стоит равнять SD карту и микросхему NAND памяти. Контроллер SD карты перед какими либо манипуляциями с данными в чипе NAND памяти проверяет на "корректность" выбраный блок. И если он помечен как "плохой" - то просто игнорирует его. Если вы стерли все подряд блоки без контроля признака "плохого" блока - остается надеятся, что в данной конкретной микросхеме все блоки вдруг были "живые" перед этим, потому что простыми тестами чтения-записи скорее всего не удастся выявить "плохой" блок быстро. Представим, что все блоки живые. тогда можно из всех этих записанных FF вернуть работоспособное состояние? Раз низкоуровневое формирование не поможет, тогда может будет возможен такой вариант: слить дамп памяти, стереть NAND ERASE все подряд, и затем залить дамп обратно? Если и это не поможет то неужели стирание низкого уровня командами нанда - стереть блок, это дорога в один конец и потом карточку нельзя будет использовать? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться