Jump to content

    
Sign in to follow this  
iltch

Прошу помощи, не понимаю почему транзистор так работает ...

Recommended Posts

Биполярный транзистор, если рабочая точка уходит в насыщение, закрывается медленно - до 5-10мкс, в зависимости от глубины насыщения. А ключевой режим - это всегда насыщение. Высокая частота возможна только без оного.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Уважаемые форумчане, тогда получается такая ситуация....

В datasheet-е (BC817 jn Fairchild) ни каких частотных или временных параметров нет кроме fT.

А fT по словам гн. ТАУ это параметр не для ключевого режима.

 

И как же тогда выбирать транзистор для работы с ШИМ-ом???

Хорошо теперь я знаю что у этого время рассасывания ~2,5 мкС.

 

А как мне это предвидеть на этапе разработки схемы, когда еще и транзистора в наличии нету?

 

И остался без ответа вопрос: Зачем в ставить резистор между базой и эмиттером? (По моему неосновные носители заряда

должны стекать на землю через транзистор в порте контроллера)

Share this post


Link to post
Share on other sites
Биполярный транзистор, если рабочая точка уходит в насыщение, закрывается медленно - до 5-10мкс, в зависимости от глубины насыщения. А ключевой режим - это всегда насыщение. Высокая частота возможна только без оного.

 

Лучше посмотрите, к примеру, на параметры КТ317.

У него время рассасывания по ТУ - 200 нс, у КТ317А-В 130 нс.

 

 

 

Уважаемые форумчане, тогда получается такая ситуация....

В datasheet-е (BC817 jn Fairchild) ни каких частотных или временных параметров нет кроме fT.

А fT по словам гн. ТАУ это параметр не для ключевого режима.

 

И как же тогда выбирать транзистор для работы с ШИМ-ом???

Хорошо теперь я знаю что у этого время рассасывания ~2,5 мкС.

 

А как мне это предвидеть на этапе разработки схемы, когда еще и транзистора в наличии нету?

 

И остался без ответа вопрос: Зачем в ставить резистор между базой и эмиттером? (По моему неосновные носители заряда

должны стекать на землю через транзистор в порте контроллера)

 

 

Надо выбирать элементы, у которых нормируются интересующие Вас параметры.

 

попробовать поставить диод между Б и Э , анодом к Б

Если диод, то шоттки и между Б и К. Анод на базе.

 

А еще можно просто сделать повторитель, но потеряете верхний уровень.

 

Другой огород это поставить два диода. Один в базу, а другим охватить два перехода

(первый диод и Б-К). Сопротивление между Б-Э в районе 1кОм.

 

 

Edited by skyv

Share this post


Link to post
Share on other sites

Выбирать транзистор для работы с ШИМом просто. Он должен быть полевым )))

Попробуйте - IRLML0060TRPBF в том же корпусе, те же выводы.

Вы снизьте частоту, попробуйте, экспериментируйте. Кстати сигнал у Вас на базе ну никак не 50% по скважности

Share this post


Link to post
Share on other sites

Решил делать ШИМ на полевике потому что он стоит 3 коп, а полевик 10 коп. и потому что они были под рукой.ю и потому что они во всех наших схемах

стоят. Не приходил в голову что на такой низкой частоте возникнут проблемы....

 

Большое спасибо гн.-у muravei за совет с диодом.

Еще помогло увеличение резистора от контроллера в базу. Меньше ток базы => не такое глубокое насыщение.

 

 

 

гн.-у batmat

От контроллера идет ШИМ строго 50%-ной скважности. А форма сигнала на базе искажена из-за рассасывания неосновных носителей заряда.

Там между контроллером и базой еще резистор есть.

 

 

Всем большое спасибо.

Share this post


Link to post
Share on other sites
И остался без ответа вопрос: Зачем в ставить резистор между базой и эмиттером? (По моему неосновные носители заряда должны стекать на землю через транзистор в порте контроллера)
Вот посмотрите обсуждение, правда там тогда меня никто почему-то не поддержал.

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
От контроллера идет ШИМ строго 50%-ной скважности. А форма сигнала на базе искажена

На это я и хотел обратить Ваше внимание.

Дело в том, что можно было просто поиграться частотой для диагностики проблемы. Первый раз я столкнулся с этими транзисторами при динамической индикации светодиодных дисплеев. При увеличении частоты транзисторы просто не успевали закрываться и знакоместа сливались.

Share this post


Link to post
Share on other sites
Вот посмотрите обсуждение, правда там тогда меня никто почему-то не поддержал.

 

 

По поводу заявления Вашего собеседника:

 

"...И вот возникает вопрос: а как глубоко войдет в насыщение этот же транзистор, но имеющий максимально возможное значение коэфф. передачи тока и работающий при максимальной температуре окружающей среды? Для него - будет ли отличаться время выхода из насыщения при исходном значении номиналов и при предложенных вами номиналах? А если будет отличаться - то насколько?

Мой ответ - отличаться если и будет, то не настолько, чтобы это кто-то вообще заметил."

 

могу сказать, что это полная ерунда.

Для более полного моделирования интересующих зависимостей надо

брать определенные сочетания параметров (статических и динамических и это

далеко не только температура и h21) транзистора в пределах ТУ, находить для них параметры математической модели

и после этого моделировать узел. Сочетания параметров транзистора для крайних случаев 100% дадут движение

интересующей характеристики.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Если контроллер дает строго меандр, а по непосредственному измерению на базе - уже затянутый сигнал, как мы видим по приведенной осциллограмме, значит сигнал затягивается на эквивалентной емкости базы.

 

Причина - кошмарно большой резистор база-земля. Нужно включить 100 Ом примерно (а не килоом!)

(Из расчета, чтобы делитель, получающийся из двух резисторов, при сигнале "единица" давал бы на базу около 0.7 - 0.8 вольта)

 

2. Очень хорошо выправляет фронты включение диода Шоттки между коллектором и базой в "запертом" направлении.

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
2. Очень хорошо выправляет фронты включение диода Шоттки между коллектором и базой в "запертом" направлении.

О фронтах разговора ведь нет.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Вот у меня вопрос организовался по поводу диода.

Тут в этой ветке было несколько рекомендации про диод :

 

1) попробовать поставить диод между Б и Э , анодом к Б (гн. muravey)

 

2) Очень хорошо выправляет фронты включение диода Шоттки между коллектором и базой в "запертом" направлении (, гн. Меджикивис )

 

3) Другой огород это поставить два диода. Один в базу, а другим охватить два перехода(первый диод и Б-К). Сопротивление между Б-Э в районе 1кОм. (гн. skyv)

 

Вопрос 1: какой метод лучше?

Вопрос 2: какой минимально достаточен?

Share this post


Link to post
Share on other sites
Вот у меня вопрос организовался по поводу диода.

Тут в этой ветке было несколько рекомендации про диод :

 

1) попробовать поставить диод между Б и Э , анодом к Б (гн. muravey)

 

2) Очень хорошо выправляет фронты включение диода Шоттки между коллектором и базой в "запертом" направлении (, гн. Меджикивис )

 

3) Другой огород это поставить два диода. Один в базу, а другим охватить два перехода(первый диод и Б-К). Сопротивление между Б-Э в районе 1кОм. (гн. skyv)

 

Вопрос 1: какой метод лучше?

Вопрос 2: какой минимально достаточен?

 

Вы попробуйте каждый из вариантов

и осмыслите результат с учетом

всего выше сказанного. Делов-то.

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Вопрос 2: какой минимально достаточен?
Минимально достаточный вариант - поставить правильные величины резисторов к базе.
Edited by Меджикивис

Share this post


Link to post
Share on other sites
Причина - кошмарно большой резистор база-земля. Нужно включить 100 Ом примерно (а не килоом!)

(Из расчета, чтобы делитель, получающийся из двух резисторов, при сигнале "единица" давал бы на базу около 0.7 - 0.8 вольта)

Это мало! Порядка 0.7В - само прямое падение на переходе БЭ. Нужен запас, иначе в базу потечёт мало току и транзистор рискует не открыться. Оптимально, как предлагал ув. тау, порядка 330 - 680 Ом.

1) попробовать поставить диод между Б и Э , анодом к Б (гн. muravey)

По той же причине тоже ненадёжный способ. Диод может открыться первым и соревнование с транзистором к хорошему не приведёт. Ещё вариант - диод развернуть катодом не к эмиттеру, а к ножке контроллера, т.е. поставить его параллельно базовому резистору. Тому, который 400 Ом.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Sign in to follow this