[iltch 0]

У меня вот такая схема:

 

 

С контроллера я подаю ШИМ 118 кГц DC=50% размах 0...3.4 В.

Потом я смотрю напряжение на коллекторе и вижу следующее:

 

 

Мне не понятно почему изменился DC ШИМ-а?

Транзистор я взял BC-817, он может работать на частотах до 10 МГц.

По моем у мнению, тогда на 120 кГц должно быть все отлично.

Условия для транзистора в схеме ,по моему, идеальные...

Так посему же изменился DC ?

 

Заранее всем большое спасибо за ответы.

[Plain 168]

Транзистор работает абсолютно по учебнику, проблема называется "рассасывание неосновных носителей".

[vervs 24]

поставьте мосфет

с биполярным попробуйте уменьшить резистор с базы в землю до 1..2к

Изменено 9 октября, 2012 пользователем _Vova

[Batman 0]

Он у вас в ключевом режиме, а не линейном. Попробуйте снизить частоту или использовать полевой транзистор.

[ToR_TDA 0]

А на базе транзистора сигнал соответствует желаемому?

[Herz 4]

У Вас сигнал на осциллографе прямой или инвертированный?

[iltch 0]

Уважаемые форумчане, я думал про неосновные носители заряда.... Но как тогда этот транзистор будет работать на частоте 10 МГц. (там у него в datasheets fT (Current Gain Bandwidth Product) = 100MHz, при условии VCE=5V, IC=10mA f=50MHz) ????

 

 

Сигнал на базе сейчас посмотрю и выложу.... (Только перекину на дугую ножку процессора эту в процессе экспериментов спалил.)

 

[skyvmicro 0]

Транзистор работает абсолютно по учебнику, проблема называется "рассасывание неосновных носителей".

 

При влиянии рассасывания мы должны

были видеть затягивание 0, а не 1.

Какой сигнал на управляющей ножке микросхемы?

[Batman 0]

Если бы биполярники могли работать на 10 MHz в ключевом режиме, зачем тогда MOSFET? На 10 MHz он сможет передать аналоговый сигнал (при смещенном базовом переходе) не потеряв коэффициента усиления.

На картинке не видно, что затягивается, нужна привязка к управлению.

Изменено 9 октября, 2012 пользователем Batman

[Snaky 0]

При влиянии рассасывания мы должны

были видеть затягивание 0, а не 1.

 

NB: В осциллограмме сигнал инвертирован, похоже. Галка стоит.

[skyvmicro 0]

NB: В осциллограмме сигнал инвертирован, похоже. Галка стоит.

Параметра по времени рассасывания для этого транзистора в ТУ нет,

а примерный аналог - КТ504 имеет время выключения 3.5мкс.

 

[iltch 0]

Извините за задержку, надо было подключить схему к другой ножке порта и написать программу для этой ножки :-)

 

Вот осциллограмма напряжения на базе транзистора:

 

 

Как видно уже форма сигнала искажена.

 

Вот осциллограмма напряжения на коллекторе. В первый раз выложил инвертированную осциллограмму спасибо что поправили

 

 

 

На счет уменьшить резистор притягивающий базу к земле..... По моему это ничего не даст: неосновные носители заряда должны стекать на землю через транзистор порта микроконтроллера , я так думаю.

[Tanya 4]

я так думаю.

А сколько каналов у вашего осциллографа?

[iltch 0]

Да время рассасывания в datasheeet не пишут.....

Но ведь пишут что fT = 100 MГц!!!!

Тогда что это за величина fT????

Может кто нибудь подскажет?

 

Каналов у осциллографа два, но щуп один :-( Второй испортился. Но там видно по картинке (см. V_collector.png в первом посте (помним что там сигнал инвертирован)) выбросы они как раз соответствуют моментам когда контроллер переключает управляющий сигнал с 1 на 0.

 

[тау 23]

Правильно Вам пишут, рассасывание у этого 817 такое.

 

Про 10 Мгц забудьте - это не для ключевого режима параметр.

 

Из простых советов - ставьте база эмиттер 330 Ом , в коллекторе 470 Ом ( если питание 3.3 V и не жалко потребляемого тока.)

а еще лучше - замените ваш 817 на транзистор PH2369 или подобный с такими циферками (PMBT2369 )