[kisa_323 0]

ads_2012_08_hf2 (General Hotfix)

 

Installation Instructions (.pdf) Download 945,574 bytes (923,4 kB)

Linux (.zip) Download 560,753,901 bytes (534,8 MB)

Release Notes (pdf) Download 56,950 bytes (55,6 kB)

Windows (.zip) Download 182,218,281 bytes (173,8 MB)

 

Issues addressed in this hotfix:

 

Selecting/deselecting objects in ADS2011.05 layout

Shift select should unselect a previously selected vertex

Version Control function update_all_files_in_path() is not refreshing open views.

Version Control: Delete Workspace menu needs to inform SOS that a workspace is being deleted so that SOS can check for checked out items within the workspace

Version Control: Need new interface function so ADS can tell SOS when a workspace is opened and closed

Layer Preferences empty

Layers in the Layers Window and Layers Preferences window are not shown

Agilent Survey Link is broken on WinXP 32-bit

Gerber Import: drill files do not properly handle decimals

IFF export is truncating most angles to an integer number of degrees

IFF import is ignoring library resolution setting and using default resolution

IFF import creates layout views without support for rotation, even if instances are rotated

CouplerDual has bad noise behavior at some coupling values

Design Kit part fails to tune when series component is added.

S4P_Eqn does not work in S-parameters noise simulation when it is terminated withTerm in all ports of the S4P_Eqn

Circuit converges easily on 2011, fails totally on 2012

Allow ADS_Diode data file to be stored at other than workspace ./data location (e.g., with the Design Kits).

Dynamic tuning is not working with subcircuit parameters when linear collapse is enabled

ADS hicum model with NQS turned on is slow and difficult to converge in HB simulation

Tuning produces incorrect results for S-parameter analysis with mixer

SI/PI analyzer does not label nodes correctly yielding to failure of inclusion of parts

Momentum versus FEM different treatment for the via

Momentum Virtuoso cannot invoke the Cadence Distributed Process window in IC615 ISR12 and later

Replace EM_Class_wrk in next ADS hotfix

Disappearing tabs in mailLVS Results Viewer

LVS Results viewing window: tabs for Component mismatches, Nodal mismatches, and Parameter mismatches are lost on repeated viewing

Replace modify "Sample Board setting using Strips" option in ADFI EESOF Export set up

 

[ser_aleksey_p 0]

ads_2012_08_hf2 (General Hotfix)

 

И где же они, хотфиксы?

[1lliivv1 0]

А реально ли сделать в Schematic систему для оформления электрических схем по ГОСТу ? Кто-нибудь пробовал что-то подобное? Или даже не стоит заморачиваться с этим в ADS ?

[angslv 0]

Довольно часто в теме звучит вопрос "с чего начать?". Можно поискать Agilent ADS circuit cookbook (мне гугл выдал второй ссылкой то, что надо). В книге доступно и пошагово расписано как в среде ADS возможно создавать те или иные проекты.

 

Думаю это неплохая отправная точка.

[ser_aleksey_p 0]

А реально ли сделать в Schematic систему для оформления электрических схем по ГОСТу ? Кто-нибудь пробовал что-то подобное? Или даже не стоит заморачиваться с этим в ADS ?

 

Даже и не думайте.

[Виталий_ 0]

Можно ли ADS прочитать формат s2p? Если можно, то как это сделать?

[1lliivv1 0]

Виталий

 

Да, можно. Нужно использовать элемент S2P на палитре Data Items.

[artemij 0]

Привет всем!

 

Моделирую линию задержки, которая состоит из меандра и по краям диэлектрики. Выглядит как на рисунке.

 

 

Проблема в том, что когда создаю substrate и указываю в качестве слоя диэлектрика свой материал, а в качестве bunding layer слой в котором находятся полигоны, на месте которых должны быть диэлектрики, весь слой над печатной становится диэлектриком, а не в определенных местах. Т.е. bounding layer игнорируется.

 

 

Одним из решений было создать диэлектрические via и тогда уже можно считать с помощью FEM. Но это долго и излишне для моей задачи. А Momentum диэлектрические переходные отверстия не считает.

 

 

Почему bounding layer игнорируется? Делал в этом слое структуры и полигоны и линии, и все равно получаю сплошной слой над всей поверхностью платы...

[Pir0texnik 0]

Терзают меня смутные сомнения, что моментум позволяет считать подобные 3Д структуры... Металлические виа и 3д диэлектрики - это как бы 2 большие разницы, так что возможно без фема никак.

[artemij 0]

Терзают меня смутные сомнения, что моментум позволяет считать подобные 3Д структуры... Металлические виа и 3д диэлектрики - это как бы 2 большие разницы, так что возможно без фема никак.

 

А зачем тогда bounding area layer? Мне все таки кажется, что по крайней мере наличие и отсутствие в некоторых областях диэлектрика организовать можно и считаться будет. Вопрос в том, почему bounding area layer никак не ограничивает зону где есть диэлектрик.

[nadie 0]

Терзают меня смутные сомнения, что моментум позволяет считать подобные 3Д структуры...

 

ADS2012.08 должен считать подобное в принципе, так как он позволяет задавать разные параметры диэлетрика для различных областей в одном слое (это одно из ново-введений ADS2012.08) Как это делается конкретно надо копать примеры, в моей практике это мне не было нужно

[Pir0texnik 0]

Ну тогда вопрос к Артемию, какая версия адс?

[ser_aleksey_p 0]

Терзают меня смутные сомнения, что моментум позволяет считать подобные 3Д структуры... Металлические виа и 3д диэлектрики - это как бы 2 большие разницы, так что возможно без фема никак.

 

Именно так!

 

Моментум считает только металлизированные отверстия.

Диэлектрические отверстия - уже FЕМ.

[artemij 0]

Именно так!

 

Моментум считает только металлизированные отверстия.

Диэлектрические отверстия - уже FЕМ.

 

Где б его взять ADS2012...

 

У меня ADS2011.10. Именно так и приходится выкручиваться! Использовать FEM. А хотелось бы использовать моментум, но почему то там не задается область где есть диэлектрик, а где его нет. Естественно, для задач решаемых в моментуме диэлектрические виа задавать бессмысленно. Читайте мой первый пост.

 

Спасибо всем за ответы!

Изменено 11 июня, 2013 пользователем Artemij14

[Pir0texnik 0]

Гуру, адс 2012, подскажите как, блин, в нем оптимизировать лейаут?

Рисую схематику, оптимизирую ее, генерю по ней лейаут, получаю слегка изменившиеся характеристики, хочу их поправить - отоптимизировать его - КАК ЭТО СДЕЛАТЬ?? Все бубны уже перепробовал, ничего не могу сообразить как влезть в эту железобетонную связь схематики и лейатута....

Пытаюсь делать по алгоритму: создал еще одну схематику с описанием переменных и добавленным оптимизационным компонентом, добавил мой горе-лейаут, как subcircuit (сгенерил предварительно символ и указал, чтобы использовал ЕМ-симуляцию). При запуске оптимизатора - ниче не происходит, изменения внешних переменных никак не сказывается на подцепи...

Пробовал в лейауте добавлять параметры, такие же как и переменные, но это не катит, т.к. оказывается , что они дублируются с параметрами схематики и сыпятся ошибки.... Чего делать? Спасибо!