Jump to content

    

Вопросы по Agilent ADS

Как видно, я опустился даже до такой грубой сетки разбиения, но все равно памяти для расчетов не хватает

 

snap distance ставил и 0.4 um и 2 um и 1 um и все равно практически

 

Посмотрел пример c:\Agilent\ADS2013_06\examples\Momentum\emcktcosim\LTCC_wrk.7zads

Папка: 1_Layout Designs\spiral

Ширина проводников 80 мкм. Данная модель считается в Моментум_RF несколько секунд, памяти немного. В Моментум_MW - несколько минут, но памяти тоже немного.

 

Лог файл EEsof_Job:

Simulation Mode: uW

Extending substrate from RF frequency range to microwave frequency range.

Using the minimal snap distance of 0.4 um

(4 layout resolution points) for layout healing.

Generating mesh at 10 GHz...

S-parameter simulation

Automatic selection: direct dense matrix solver

Using multi-threading (4 threads)

Matrix size: 2231 (reduced: 815)

 

Может, Вы, все-таки, FEM запускаете?

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites
Посмотрел пример c:\Agilent\ADS2013_06\examples\Momentum\emcktcosim\LTCC_wrk.7zads

Папка: 1_Layout Designs\spiral

Ширина проводников 80 мкм. Данная модель считается в Моментум_RF несколько секунд, памяти немного. В Моментум_MW - несколько минут, но памяти тоже немного.

 

Лог файл EEsof_Job:

Simulation Mode: uW

Extending substrate from RF frequency range to microwave frequency range.

Using the minimal snap distance of 0.4 um

(4 layout resolution points) for layout healing.

Generating mesh at 10 GHz...

S-parameter simulation

Automatic selection: direct dense matrix solver

Using multi-threading (4 threads)

Matrix size: 2231 (reduced: 815)

 

Может, Вы, все-таки, FEM запускаете?

 

Ну я еще не совсем из ума выжил :) Точно Momentum

Да, модель считается быстро, но она очень маленькая, посмотрите на мою структуру.

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Здравствуйте!возник вопрос по ADS. Пробую оптимизировать схему под известные S-параметры. Хочу в GOAL записать примерно следующее: если R(нагрузка в цепи) равно R1 (одно из значений), то S-параметры стремятся к таким то S1, если R равно R2, то S параметры стремятся к S2 и т.д. Изучение хэлпа не помогло, может ошибка просто в синтаксисе?Если можно, приведите пример или ссылку на литературу.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Значит

 

Но памяти при подсчете Momentum потребляет немеренно, все 8Гб.

 

Возможно ли такое, что это связано с масштабом сетки проекта, выбором размерности um, mm?

 

такое возможно.

 

Ну и пора покупать новый комп :blush:

Share this post


Link to post
Share on other sites
Здравствуйте!возник вопрос по ADS. Пробую оптимизировать схему под известные S-параметры. Хочу в GOAL записать примерно следующее: если R(нагрузка в цепи) равно R1 (одно из значений), то S-параметры стремятся к таким то S1, если R равно R2, то S параметры стремятся к S2 и т.д. Изучение хэлпа не помогло, может ошибка просто в синтаксисе?Если можно, приведите пример или ссылку на литературу.

 

Вы меняете номинал резистора, а при этом нужно чтобы переключался файл S-параметров? Скиньте скриншот задачки которую вы решаете, не совсем понятно.

 

Adding to non-allocated 1-based nonzero location (748,14131) in CrsMatrix ==> nothing done

 

- возникла такая ошибка, может кто-нибудь встречал?

Share this post


Link to post
Share on other sites
Example-Setting up Momentum Simulation for MMIC

 

Хороший пример, а это к чему было?

Share this post


Link to post
Share on other sites
Хороший пример, а это к чему было?

 

Да просто так.

Может поможет кому с начальными установками.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Здравствуйте. Есть пара вопросов:

1. Можно ли в Layout из rectangle (прямоугольника) или полигона сделать Traces.

2. Поддерживает ли Layout 45 градусов линий Traces?

Share this post


Link to post
Share on other sites
Здравствуйте. Есть пара вопросов:

1. Можно ли в Layout из rectangle (прямоугольника) или полигона сделать Traces.

2. Поддерживает ли Layout 45 градусов линий Traces?

 

 

b5352d870c370c9dfae12bdc50497934.jpeg

Share this post


Link to post
Share on other sites
b5352d870c370c9dfae12bdc50497934.jpeg

 

Спасибо. А полигоны, как я понял, не получится в Traces перегнать...

Share this post


Link to post
Share on other sites

Еще раз здравствуйте.

Имеется Layout схемы VCO. При переводе в схематику подключаю OscPort и смотрю колебания.

Как это сделать именно в Layout? И еще: не пойму как в Layout подключать транзистор (без схематики)?

Спасибо...

Share this post


Link to post
Share on other sites
Еще раз здравствуйте.

Имеется Layout схемы VCO. При переводе в схематику подключаю OscPort и смотрю колебания.

Как это сделать именно в Layout? И еще: не пойму как в Layout подключать транзистор (без схематики)?

Спасибо...

 

Никак, да и не зачем. Моделируете то именно в schematic а из layout можете взять emModel вставить.

Опять таки можно footprint транзистора засунуть в layout, подключить порты в места припайки или по краям падов, промоделировать и сделать emModel данной топологии, а потом опять ее засунуть в schematic.

Сделать моделирование на уровне spice моделей в layout не получится. Соответственно в окне визуализации можно видеть прохождение по плате только тестовых одночастотных колебаний заданых из порта.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Еще раз здравствуйте. Помогите пожалуйста начинающему инженеру...

Вопрос по Layout: Можно ли смоделировать влияние полигона (например как земля вокруг элементов и дорожек), а так же как задать 2 слой платы с переходными отверстиями в полигон (землю) первого слоя??? Пытался через emModel: сделал все дорожки и область вокруг полигонами, подключил порты для элементов, создал emModel, далее символ. Потом в схематике подключил элементы, промоделировал. Показывает график (похоже с "идеальными" дорожками). Пробовал менять толщину подложки - ничего. Менял ширину дорожек в Layout-е... тоже ничего не меняется.

Объясните пожалуйста, что я делаю не так? И возможно ли вообще так сделать?

Или все-таки без Traces и MSub не обойтись? Если так, то как смоделировать опять же землю вокруг элементов и дорожек и под ними? Спасибо...

Share this post


Link to post
Share on other sites
Еще раз здравствуйте. Помогите пожалуйста начинающему инженеру...

Вопрос по Layout: Можно ли смоделировать влияние полигона (например как земля вокруг элементов и дорожек), а так же как задать 2 слой платы с переходными отверстиями в полигон (землю) первого слоя??? Пытался через emModel: сделал все дорожки и область вокруг полигонами, подключил порты для элементов, создал emModel, далее символ. Потом в схематике подключил элементы, промоделировал. Показывает график (похоже с "идеальными" дорожками). Пробовал менять толщину подложки - ничего. Менял ширину дорожек в Layout-е... тоже ничего не меняется.

Объясните пожалуйста, что я делаю не так? И возможно ли вообще так сделать?

Или все-таки без Traces и MSub не обойтись? Если так, то как смоделировать опять же землю вокруг элементов и дорожек и под ними? Спасибо...

 

Ну это уже совсем простые вопросы, ответы на которые можно найти и в гугле или чуть посидев за примерами

Ответы: Можно. Через создание определенного substrate

вот так можно создать substrate

post-58537-1380812465_thumb.jpg

post-58537-1380812471_thumb.jpg

post-58537-1380812477_thumb.jpg

 

а в layout рисуете полигоны с такими свойствами

post-58537-1380812482_thumb.jpg

post-58537-1380812489_thumb.jpg

 

и получается у вас то, что хотели

post-58537-1380812627_thumb.jpg

 

На счет идеальных дорожек, надо задавать свойство материала, например, Copper, а не Perfect Conductor.

Хотя что именно вы имели ввиду я не понял.

А дальше создавайте модель и все.

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now