Search the Community
Showing results for tags 'wolfspeed'.
-
Инженеры компании Wolfspeed на основании проведенного исследования рассказывают, как наиболее оптимально расположить переходные отверстия для отвода тепла от силовых приборов поверхностного монтажа в случае маломощных устройств, и как решить ту же проблему в многокиловаттных преобразователях энергии с помощью платы с керамической вставкой из нитрида алюминия. Читать статью >>
-
Платформа модулей FM3, разработанная компанией Wolfspeed, упрощает проектирование силовых каскадов преобразователя, сокращая время разработки и стоимость устройств для быстрого заряда аккумуляторов электротранспорта. Новое семейство корпусов, оптимизированных по стоимости и производительности, упрощает внедрение транзисторов на основе карбида кремния MOSFET. Семейство модулей Wolfspeed WolfPACK использует стандартный для индустрии корпус и расположение контактов, что упрощает процесс разработки при переходе с IGBT модулей. В настоящее время доступны SiC-модули в конфигурациях “полумост” и “6x pack” (трехфазный инвертор/активный выпрямитель). Подробнее ››
-
- зарядные устройства
- электромобили
-
(and 3 more)
Tagged with:
-
Применение полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC) производства Wolfspeed в высокочастотном резонансном LLC‑преобразователе позволяет уменьшить на 50% массогабаритные показатели преобразователя и снизить на 30% потери мощности в магнитных компонентах. Максимальный КПД преобразователя с выходом 400 В/16 А на частоте 500 кГц при этом достигает 98,5%. В cтатье приведены практические рекомендации по проектированию высокочастотного преобразователя, связанные с компоновкой печатной платы, выбором материала магнитопровода и воздушного зазора, характеристиками обмоточного провода и т.д., а также результаты испытаний. Читать статью >>
-
Необходим быстродействующий преобразователь питания средней мощности с высоким КПД? Он должен быть компактным и недорогим? Решение – карбид-кремниевые модули средней мощности WolfPACK производства Wolfspeed. Недавно специалисты этой компании представили новое семейство силовых модулей WolfPACK, содержащих карбид-кремниевые транзисторы, смонтированные в недорогом пластиковом корпусе. Такое решение сочетает в себе преимущества карбид-кремниевых приборов, например, повышенную нагрузочную способность при меньших уровнях потерь, а также новых подходов в конструировании преобразователей, заключающихся в отказе от использования массивного основания, применении пружинных контактов, интеграции датчиков температуры и многих других. В статье рассмотрены основные особенности модулей WolfPACK и показано, что переход на эту универсальную и масштабируемую платформу позволяет не только быстро разработать новые устройства, но и без значительных затрат времени и средств модернизировать уже существующие схемы на традиционной элементной базе. Читать статью >>
-
- карбид-кремниевые модули
- sic
-
(and 2 more)
Tagged with:
-
Компания Wolfspeed разработала бесплатный онлайн симулятор SpeedFit 2.0 (полное название – SpeedFit 2.0 Design Simulator), позволяющий за считанные минуты не только всесторонне оценить параметры основных процессов, происходящих в силовой части импульсных преобразователей электрической энергии, но и сравнить между собой различные варианты реализации поставленного технического задания. Главной особенностью симулятора SpeedFit 2.0 является наличие обширной библиотеки моделей современных полупроводниковых приборов, в том числе и практически всех карбид-кремниевых транзисторов и диодов, производимых компанией Wolfspeed, что делает его одним из основных инструментов для разработки преобразователей, отвечающих современным стандартам. Читать статью >>
-
Драйверы силовых транзисторов чувствительны к наводкам и помехам, поэтому при трассировке печатных проводников, соединяющих эти узлы с остальными элементами схемы, следует придерживаться нескольких правил, игнорирование которых может привести к нестабильной работе преобразователя независимо от его мощности. Особое внимание следует уделять микросхемам, управляющим карбид-кремниевыми приборами, поскольку из-за более высоких скоростей изменения напряжений и токов уровень наводок в этих схемах обычно намного выше, чем в системах на традиционной кремниевой основе. В статье приведены советы и рекомендации по проектированию печатных плат преобразователей на основе карбид-кремниевых транзисторов (не только производства Wolfspeed), позволяющие избежать наиболее распространенных ошибок и уменьшить вероятность отказа оборудования как в процессе разработки, так и во время его практической эксплуатации. Читать статью >>
-
Современные информационные технологии, такие как облачные хранилища данных или виртуальные интернет-магазины, давно стали частью нашей жизни, а их наличие и бесперебойная работа теперь являются обязательными условиями для успешной реализации коммерческих проектов любого уровня. Однако круглосуточная поддержка подобных сервисов приводит к ощутимому росту энергопотребления, а это в свою очередь заставляет принимать дополнительные меры по повышению эффективности использования электроэнергии, потребляемой для этих целей. В число таких мер входит увеличение КПД и коэффициента мощности устройств, обеспечивающих питание информационного оборудования. Построение источников бесперебойного питания с двойным преобразованием, широко используемых в современных хранилищах данных, на базе карбид-кремниевых MOSFETs производства Wolfspeed позволяет уменьшить мощность потерь в них до 40%, а также значительно снизить занимаемый ими объем и стоимость комплектующих. Читать статью >>
-
Компания Wolfspeed выпустила семейство SiC MOSFETсиловых модулей 12 класса – Wolfpack GM3 на токи до 200 А. Подробнее
-
Для того чтобы новые устройства соответствовали потребностям и стандартам будущего, которые с каждым годом становятся все жестче, разработчикам электроники приходится внедрять передовые технологии уже сейчас. Понимая это, компания Wolfspeed усовершенствовала популярный симулятор SpeedFit, выпустив его новую версию, ориентированную, в первую очередь, на создание преобразователей электрической энергии на карбид-кремниевых компонентах. С помощью симулятора SpeedFit 2.0 можно не только выбрать карбид-кремниевые приборы, максимально подходящие для конкретного технического задания, но и выполнить моделирование основных электрических процессов, происходящих в силовой части устройства, а также рассчитать уровень динамических и статических потерь в силовых элементах. Подробнее >>
-
- sic mosfet
- wolfspeed
-
(and 2 more)
Tagged with:
-
Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила отладочную плату для оценки динамических характеристик силовых SiC MOSFET модулей семейства WolfPack – KIT-CRD-CIL12N-FMA. Подробнее
-
Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила референс-дизайн 25 кВт преобразователя с активным выпрямителем (Active Front End) на основе SiC-МОП 1200 В силовых модулей WolfPack – CRD25AD12N-FMC. Подробнее
-
- преобразователь
- sic
-
(and 7 more)
Tagged with:
-
SiC силовой модуль 1200 В 530 А 6 от Wolfspeed
МакроГрупп posted a topic in Объявления пользователей
Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила SiC силовой модуль 1200 В 530 А на чипах третьего поколения SiC MOSFET в корпусе 62 мм - CAB530M12BM3. Подробнее-
- sic mosfet
- sic
-
(and 4 more)
Tagged with:
-
SiC MOSFET модули 1200 В WolfPack от Wolfspeed
МакроГрупп posted a topic in Объявления пользователей
Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила семейство SiC MOSFET силовых модулей 12 класса Wolfpack FM3. Подробнее-
- sic mosfet
- sic-транзистор
-
(and 4 more)
Tagged with:
-
С тех пор как силовая электроника и преобразовательная техника окончательно утвердились в нашей жизни, эффективное использование электрической энергии превратилось из абстрактного лозунга в насущную необходимость. Требования к преобразователям постоянно растут, и разработчики всё чаще начинают отказываться от традиционных кремниевых компонентов. Компания Wolfspeed предлагает разработчикам стать частью новой истории и проверить самостоятельно все преимущества компонентов с широкой запрещённой зоной. Представляем вашему вниманию подборку материалов по SiC MOSFET, SiC-диодам и их применениям. Читать статьи >>
-
- wolfspeed
- sic mosfet
-
(and 2 more)
Tagged with:
-
Бортовая зарядная система электромобиля должна поддерживать передачу энергии в двух направлениях: из сети в аккумулятор (режим заряда) и из аккумулятора в сеть (режим генератора). Компания Wolfspeed предлагает для этого опорный проект – двунаправленный преобразователь постоянного напряжения мощностью 22 кВт на базе 1200 В карбид-кремниевых MOSFET собственного производства. Читать статью >>
-
Ключевыми особенностями высоковольтных SiC MOSFET Wolfspeed являются малое сопротивление канала в открытом состоянии и минимальное значение паразитных емкостей, что позволяет максимально снизить статические и динамические потери, и, соответственно, увеличить рабочую частоту преобразователей. Сфера использования преобразователей электрической энергии за последние несколько десятилетий значительно расширилась благодаря появлению солнечных и ветряных электростанций, электро- и гибридных автомобилей, промышленных систем для хранения энергии, интеллектуальных автоматизированных устройств, роботов и других приложений. Наибольшее распространение среди источников вторичного питания получили устройства на основе импульсных методов преобразования, обеспечивающие, по сравнению с преобразователями на основе других методов, наилучшее сочетание КПД, удельной мощности и стоимости. Читать статью >>
-
Wolfspeed (силовое подразделение CREE) расширяет лидерство в сегменте дискретных SiC MOSFET на напряжение 650 В. В массовое производство поступили новые изделия с сопротивлениями 25, 40 и 120 мОм. Третье поколение SiC MOSFET (C3MTM) – это широкий выбор транзисторов по сопротивлению открытого канала (Rds(on)), а также наименьшее среди аналогов сопротивление канала в дискретном выводном корпусе. Подробнее >>
-
- wolfspeed
- sic mosfet
-
(and 1 more)
Tagged with:
-
Мощные высокоскоростные силовые модули семейства XM3 на базе карбид-кремниевых MOSFET разработаны компанией Wolfspeed в первую очередь для применения в выпрямителях зарядных станций автомобилей. Их главное преимущество – минимальные значения паразитных индуктивностей. Глобальные экологические проблемы, стоящие перед человечеством, давно вынуждают внедрять энергосберегающие технологии во все сферы человеческой жизни. Не является исключением и транспорт, на долю которого приходится внушительная часть дополнительных выбросов парниковых газов и других вредных веществ. На сегодняшний день оптимальной альтернативой двигателям внутреннего сгорания и дизельным двигателям являются электродвигатели, обладающие лучшими техническими характеристиками, в первую очередь – высоким КПД. Читать статью >>
-
SiC MOSFET на 1200 В для схем флайбэк до 500 Вт!
КОМПЭЛ posted a topic in Объявления пользователей
Компания Wolfspeed выпустила новые карбид-кремниевые транзисторы C3M0350120D/J на напряжение 1200 В, предназначенные для маломощных устройств мощностью до 500 Вт. Карбид-кремниевые транзисторы в сравнении с кремниевыми (IGBT/MOSFET) демонстрируют меньший на 75% уровень потерь на переключение и меньшее на 50% значение потерь проводимости в рабочем режиме при температуре кристалла 100…150°С. Сопротивление открытого канала SiC MOSFET по сравнению с традиционными MOSFET гораздо менее зависит от температуры . Подробнее >> -
Безмостовые ККМ для 99% КПД!
КОМПЭЛ posted a topic in Объявления пользователей
Схема коррекции коэффициента мощности (ККМ) на основе так называемого «тотемного столба» (Totem Pole) обладает минимально возможными потерями и потенциально может обеспечить самые жесткие требования к энергоэффективности источников питания. Компания Wolfspeed представляет референсную разработку – плату ККМ CRD-02AD065N на базе собственных карбид-кремниевых MOSFET и диодов с наилучшими в отрасли характеристиками. Читать статью >> -
Быстрые диоды 6-ого поколения для лидеров!
КОМПЭЛ posted a topic in Объявления пользователей
В ассортименте компании Wolfspeed имеются дискретные карбид-кремниевые диоды, изготовленные по технологиям JBS и MPS, с максимально допустимыми напряжениями 600 В, 650 В, 1200 В и 1700 В и максимальным током от 1 до 50 А. Отличительной особенностью всех моделей является низкое значение заряда затвора и высокая перегрузочная способность. Читать статью >> -
Компания Wolfspeed продолжает развивать линейку SiC-приборов. На этот раз расширена линейка диодов Шоттки 6-го поколения на напряжение 650 В в корпусе TO-252 (D-PAK). Основной упор в новом поколении был сделан на уменьшении прямого падения напряжения диода Vf в открытом состоянии, уменьшении температурной зависимости напряжения Vf (T) и снижении обратного тока утечки. Подробнее >>
-
Новые SiC транзисторы 650 В с сопротивлением канала 15 мОм и 60 мОм построены по инновационной технологии третьего поколения, которая позволяет достичь большей в сравнении с традиционной кремниевой технологией удельной мощности при меньшем уровне потерь. Основным выигрышем для конечных пользователей будет снижение общей стоимости владения электронными устройствами в различных применениях за счёт увеличения КПД устройств, снижения требований к системе охлаждения и высочайшей надёжности. Подробнее >>
-
Компания КОМПЭЛ приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном силовым компонентам на основе карбид кремния (SiC) компании Wolfspeed. Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми (Si) приборами. Среди них – высокое быстродействие, эффективность и надежность. Применение SiC приборов в силовых преобразователях позволяет снизить их габариты, вес и оптимизировать себестоимость. Компания Wolfspeed является мировым лидером в производстве полупроводниковых кристаллов из карбида кремния (SiC) и приборов на их основе. Вебинар рассчитан на инженеров-разработчиков источников питания различного назначения и устройств силовой электроники. Начало: 17 ноября 2020 г. в 11:00 Продолжительность: 90 минут Зарегистрироваться на вебинар >>
-
SiC MOSFET = высокий КПД источника питания
КОМПЭЛ posted a topic in Объявления пользователей
650 В карбид-кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только перед обычными кремниевыми (Si) 650 В MOSFET, но и перед нитрид-галлиевыми транзисторами. Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния позволяют разработчикам оптимизировать системы питания таким образом, чтобы одновременно максимизировать удельную мощность, уменьшить размер и вес устройств, а также повысить их КПД. Читать статью >>