Search the Community
Showing results for tags 'sic-транзистор'.
-
Компания Yangjie анонсировала выпуск SiC МОП транзисторов собственной разработки с напряжением пробоя 1200 В и сопротивлением открытого канала 80 мОм. Подробнее
-
- sic mosfet
- sic-транзистор
-
(and 2 more)
Tagged with:
-
Кристаллы SiC MOSFET 12 класса от Wolfspeed
МакроГрупп posted a topic in Объявления пользователей
Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила кристаллы SiC МОП-транзисторов поколения Gen 3 на напряжение 1200 В и током до 149 А. Подробнее-
- моп-транзисторов
- sic-транзистор
-
(and 2 more)
Tagged with:
-
Макро Групп начала сотрудничество с производителем GaN СВЧ транзисторов из Швеции – Noletec. Компания Noletec начала поставки СВЧ транзисторов, изготовленных по технологии Gan-on-SiC и предлагает свою продукцию для диапазонов частот L, S, C, X и мощностями до 100 Вт и выше. Подробнее
-
- свч транзистор
- gan
-
(and 2 more)
Tagged with:
-
SiC MOSFET модули 1200 В WolfPack от Wolfspeed
МакроГрупп posted a topic in Объявления пользователей
Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила семейство SiC MOSFET силовых модулей 12 класса Wolfpack FM3. Подробнее-
- sic mosfet
- sic-транзистор
-
(and 4 more)
Tagged with:
-
Как управлять SiС-транзистором?
КОМПЭЛ posted a topic in Объявления пользователей
Преимущества карбид-кремниевых транзисторов (SiC MOSFET) – высокий КПД, повышенная, по сравнению с биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT), частота переключения, экономия места на печатной плате. Для управления SiC MOSFET используются специализированные драйверы: как изолированные от транзистора, так и неизолированные. Выбор драйвера и расчет оптимального режима его работы играет ключевую роль в эффективной работе всего устройства на базе SiC MOSFET. Читать статью >> -
Обзор драйвера для SiC-транзистора
terraelectronica posted a topic in Объявления пользователей
Вы хотите выжать максимум тока из карбид-кремниевых транзисторов? Тогда Вам будет интересен обзор интегрального драйвера SIC1182K от компании Power Integrations. Выставка APEC 2019 показала, что массовое внедрение силовых нитрид-галлиевых транзисторов (GaN-транзисторов) только начинается, в то время как карбид-кремниевые транзисторы (SiC-транзисторы) уже широко применяются в современных приложениях. В то же время стоимость GaN-транзисторов, а также компонентов и печатных плат, которые необходимы для работы с этими ключами, все еще остается достаточно высокой. В космических приложениях, где требуется радиационная стойкость, использование GaN-ключей вполне оправдано, точно так же, как и в некоторых промышленных приложениях. Однако в 2019 году вы редко встретите GaN-транзисторы в недорогой серийно выпускаемой потребительской электронной технике. Руководитель одной из компаний, производящих полупроводниковые компоненты, на спор предложил автору статьи разобрать любое бытовое зарядное устройство или другое недорогое устройство и найти GaN-транзисторы. В итоге оказалось, что сейчас на рынке уже присутствуют недорогие зарядные устройства, в которых используются GaN-ключи. Таким образом, похоже, что GaN-транзисторы становятся мейнстримом. Тот же руководитель признал, что SiC-транзисторы и диоды также являются мейнстримом для серийной электроники. Читать статью>>