Jump to content

    

Search the Community

Showing results for tags 'sic'.



More search options

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Forums

  • Сайт и форум
    • Новости и обсуждения сайта и форума
    • Другие известные форумы и сайты по электронике
    • В помощь начинающему
    • International Forum
    • Образование в области электроники
    • Обучающие видео-материалы и обмен опытом
  • Cистемный уровень проектирования
    • Вопросы системного уровня проектирования
    • Математика и Физика
    • Операционные системы
    • Документация
    • Системы CAD/CAM/CAE/PLM
    • Разработка цифровых, аналоговых, аналого-цифровых ИС
    • Электробезопасность и ЭМС
    • Управление проектами
    • Neural networks and machine learning (NN/ML)
  • Программируемая логика ПЛИС (FPGA,CPLD, PLD)
    • Среды разработки - обсуждаем САПРы
    • Работаем с ПЛИС, области применения, выбор
    • Языки проектирования на ПЛИС (FPGA)
    • Системы на ПЛИС - System on a Programmable Chip (SoPC)
  • Цифровая обработка сигналов - ЦОС (DSP)
    • Сигнальные процессоры и их программирование - DSP
    • Алгоритмы ЦОС (DSP)
  • Микроконтроллеры (MCs)
    • Cредства разработки для МК
    • ARM
    • AVR
    • MSP430
    • Все остальные микроконтроллеры
    • Отладочные платы
  • Печатные платы (PCB)
    • Разрабатываем ПП в САПР - PCB development
    • Работаем с трассировкой
    • Изготовление ПП - PCB manufacturing
  • Сборка РЭУ
  • Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника
  • Силовая Электроника - Power Electronics
  • Интерфейсы
  • Поставщики компонентов для электроники
  • Майнеры криптовалют и их разработка, BitCoin, LightCoin, Dash, Zcash, Эфир
  • Дополнительные разделы - Additional sections

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


AIM


MSN


Сайт


ICQ


Yahoo


Jabber


Skype


Город


Код проверки


skype


Facebook


Vkontakte


LinkedIn


Twitter


G+


Одноклассники

Found 14 results

  1. Микросхемы Texas Instruments UCC5870-Q1 — это одноканальные гальванически изолированные драйверы затвора для карбидо-кремниевых МОП-транзисторов и IGBT, рассчитанные на применение в мощных приложениях для электротранспорта. Силовой транзистор имеет защиту от превышения тока на базе шунтового резистора и от перегрева на основе NTC-датчика, а также функцию защиты от короткого замыкания DESAT, включающую программируемое «мягкое» выключение или двухшаговое выключение. Для предотвращения паразитного защелкивания транзистора при быстром переключении предусмотрена схема активного подавления эффекта Миллера с током до 4 А. Встроенный 10-бит АЦП позволяет контролировать до шести аналоговых входов и температуру драйвера. Интегрированные функции диагностики и обнаружения неисправностей упрощают проектирование систем, совместимых с требованиями ASIL-D стандарта автомобильной безопасности ISO26262. Возможность настройки параметров и порогов с помощью интерфейса SPI позволяет использовать это устройство практически с любыми SiC MOSFET или IGBT. Приложения: Высокоскоростные IGBT и SIC MOSFET; Электротяговые инверторы; Модули питания гибридных или электромобилей Посмотреть характеристики, узнать наличие >>
  2. Обобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET - революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе кремния, такими как IGBT и MOSFET, карбид-кремниевые (SiC) полевые транзисторы обладают существенными преимуществами. Приборы CoolSiC™ выпускаются на напряжения 1700, 1200 и 650 В. Карбид-кремниевые транзисторы сочетают в себе отличные характеристики, надёжность и простоту использования в разработках. Мы сделали подборку статей о технологии CoolSiC™, которая поможет вам вывести КПД и надёжность ваших устройств силовой электроники на высочайший уровень! Читать статьи >>
  3. Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет специалист ведущего разработчика силовых приборов из карбида кремния, компании Infineon. Транзисторы на основе карбида кремния (SiC) все чаще используются в преобразователях питания, к размеру, весу и КПД которых предъявляются повышенные требования. Исключительные свойства SiC позволяют создавать униполярные устройства с высокой частотой переключения в противовес IGBT. Решения, которые до сих пор были возможны в устройствах до 600 В, теперь осуществимы и для более высоких напряжений и дают преимущества, снижающие их потребительскую стоимость: высокий КПД, более высокие частоты переключения, меньшее тепловыделение и экономия места. Читать статью >>
  4. Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку MOSFET и IGBT с широкой запрещенной зоной (SiC и GaN), продолжая при этом работать над их усовершенствованием. За последние годы способы преобразования напряжения в переменное или постоянное, а также преобразования электрической энергии в энергию механического движения, значительно изменились. Одним из самых существенных изменений было развитие технологий импульсных преобразований, которые обеспечили взрывной рост КПД и позволили реализовать такие разработки как изолированный DC/DC-преобразователь без использования электромашин. Читать статью >>
  5. Компания Wolfspeed выпустила новые карбид-кремниевые транзисторы C3M0350120D/J на напряжение 1200 В, предназначенные для маломощных устройств мощностью до 500 Вт. Карбид-кремниевые транзисторы в сравнении с кремниевыми (IGBT/MOSFET) демонстрируют меньший на 75% уровень потерь на переключение и меньшее на 50% значение потерь проводимости в рабочем режиме при температуре кристалла 100…150°С. Сопротивление открытого канала SiC MOSFET по сравнению с традиционными MOSFET гораздо менее зависит от температуры . Подробнее >>
  6. К числу целевых приложений SiC MOSFET на напряжение 650 В производства Infineon относятся системы электропитания, в которых требуется обеспечить КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может возникнуть режим жестких переключений, а также мощное силовое оборудование. В связи с ростом привлекательности карбид-кремниевой технологии для более низковольтных приложений разработчики должны хорошо понимать, в каких случаях классические кремниевые MOSFET следует заменять транзисторами, изготавливаемыми по новой технологии. Читать статью >>
  7. Компания Wolfspeed продолжает развивать линейку SiC-приборов. На этот раз расширена линейка диодов Шоттки 6-го поколения на напряжение 650 В в корпусе TO-252 (D-PAK). Основной упор в новом поколении был сделан на уменьшении прямого падения напряжения диода Vf в открытом состоянии, уменьшении температурной зависимости напряжения Vf (T) и снижении обратного тока утечки. Подробнее >>
  8. Новые SiC транзисторы 650 В с сопротивлением канала 15 мОм и 60 мОм построены по инновационной технологии третьего поколения, которая позволяет достичь большей в сравнении с традиционной кремниевой технологией удельной мощности при меньшем уровне потерь. Основным выигрышем для конечных пользователей будет снижение общей стоимости владения электронными устройствами в различных применениях за счёт увеличения КПД устройств, снижения требований к системе охлаждения и высочайшей надёжности. Подробнее >>
  9. Компания КОМПЭЛ приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном силовым компонентам на основе карбид кремния (SiC) компании Wolfspeed. Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми (Si) приборами. Среди них – высокое быстродействие, эффективность и надежность. Применение SiC приборов в силовых преобразователях позволяет снизить их габариты, вес и оптимизировать себестоимость. Компания Wolfspeed является мировым лидером в производстве полупроводниковых кристаллов из карбида кремния (SiC) и приборов на их основе. Вебинар рассчитан на инженеров-разработчиков источников питания различного назначения и устройств силовой электроники. Начало: 17 ноября 2020 г. в 11:00 Продолжительность: 90 минут Зарегистрироваться на вебинар >>
  10. 650 В карбид-кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только перед обычными кремниевыми (Si) 650 В MOSFET, но и перед нитрид-галлиевыми транзисторами. Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния позволяют разработчикам оптимизировать системы питания таким образом, чтобы одновременно максимизировать удельную мощность, уменьшить размер и вес устройств, а также повысить их КПД. Читать статью >>
  11. Компания Infineon представила два новых изолированных драйвера затвора SiC MOSFET — 2EDF9275F и 2EDS9265H, расширив тем самым фирменное семейство микросхем EiceDRIVER. Эти изделия относятся к двуканальным драйверам +4 A / -8 A и прекрасно подходят для совместной работы с основными семействами полевых транзисторов компании Infineon: CoolMOS, OptiMOS и CoolSIC. Они повышают эффективность управления благодаря низкой задержке распространения (37 нс) и высокой степени синхронизации в зависимости от рабочей температуры. Подробнее >>
  12. Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов. Применение компонентов в этих корпусах позволяет уменьшить потери и упростить разработку двадцатикиловаттного активного выпрямителя для станций быстрой зарядки электромобилей. Читать статью >>
  13. В ООО «НПП «ИНКАР» г. Королев, в отдел занимающийся созданием прорывных научно-исследовательских разработок в области силовой и аналоговой электроники, приглашаем к долгосрочному сотрудничеству молодых и амбициозных соискателей на вакансию «Старший инженер-электроник». Обязанности: Разработка схемотехники, конструкции и ПО разнообразных нестандартных источников питания и преобразователей энергии: AC/DC, DC/DC, DC/AC, 3-фазных, привода электродвигателей. Разработка сложных моточных изделий (трансформаторов и дросселей). Внедрение и авторское сопровождение разработанных изделий на производстве. Требования: Опыт в разработке силовых преобразователей, источников питания, приводов. Опыт в расчёте и разработке сложных моточных изделий: трансформаторов, дросселей. Опыт в решении ЭМС проблем. Опыт разработки 3-фазных преобразователей. Умение макетировать, программировать и настраивать схемы. Хорошее знание иностранной и российской аналоговой силовой электронной компонентной базы (MOSFET, IGBT, Thyristor, Diode, Power Modules, ... ). Опыт владения одним из САПР по разработке схемотехники и конструкции печатных плат (P-CAD, OrCAD, Delta Design и т.п.). Опыт владения САПР КОМПАС-3D. Программирование микроконтроллеров. Будет большим плюсом опыт в разработке высоковольтной техники. Высшее техническое образование; Свободное чтение англоязычной технической литературы Стремление к профессиональному развитию; Креативность, амбициозность, высокий уровень обучаемости, работа в команде. Условия: Официальное трудоустройство; Удобное расположение (станция Подлипки-Дачные, 5 мин.); Высокий уровень заработной платы от 80 тыс.руб. и до 130 тыс. руб. (обсуждается по итогам собеседования); График работы: 5/2, с 8.00 до 17.00; Полный социальный пакет; Работа в удобном офисе на комфортном рабочем месте; Перспективы профессионального, научного и карьерного роста; Ключевые навыки: Силовая электроника, ЭМС, AC/DC, MOSFET, IGBT, Diode, Power Modules, SiC, GaN, Конструктор поиск.doc
  14. Электронные компоненты на базе широкозонных полупроводниковых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), становятся все более доступными и популярными. Они все чаще применяются при создании высоковольтных и мощных приложений, в частности автомобильных силовых установок и инверторов. Эти устройства позволяют работать с высокими напряжениями (от 600 В до 1700 В), а также с высокими частотами коммутаций, что обеспечивает рост эффективности, уменьшение габаритных размеров и снижение массы силовых приложений, а это в свою очередь дополнительно повышает эффективность транспортного средства. Эффективность имеет огромное значение особенно для электромобилей (EV) и автомобилей с гибридной силовой установкой (HEV). Именно высокая эффективность гарантирует увеличение дальности автономной езды и позволяет разработчикам использовать малогабаритные аккумуляторы в небольших автомобилях. Однако для работы с новыми транзисторами на базе широкозонных полупроводниковых материалов необходимы специализированные драйверы, что требует пересмотра традиционных схемных решений. Читать далее...