Поиск
Показаны результаты для тегов 'mosfet-транзисторы'.
-
Компания Yangjie анонсировала выпуск SiC МОП транзисторов собственной разработки с напряжением пробоя 1200 В и сопротивлением открытого канала 80 мОм. Подробнее
-
Специалисты компании Infineon рассказывают о сорокалетней истории технологических инноваций, последовавшей за созданием первого полевого транзистора с изолированным затвором (MOSFET), и на примере последних новшеств, касающихся расположения кристалла относительно печатной платы, показывают, как незначительные на первый взгляд изменения способны кардинально поменять характеристики прибора и разрабатываемых на его основе систем. Читать статью >>
-
SiC силовой модуль 1200 В 530 А 6 от Wolfspeed
МакроГрупп опубликовал тема в Объявления пользователей
Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила SiC силовой модуль 1200 В 530 А на чипах третьего поколения SiC MOSFET в корпусе 62 мм - CAB530M12BM3. Подробнее
-
Компания Infineon представила новые транзисторы IRF100P218, IRF100P219, IRF150P220, IRF150P221 в корпусе TO-247 и с рабочим напряжением от 100 В до 150 В, входящие в линейку StrongIRFET. Транзисторы рассчитаны на работу в приложениях с высоким энергопотреблением, таких как источники бесперебойного питания (ИБП), солнечные инверторы, аудио-усилители класса D, импульсные источники питания (SMPS) и источники постоянного тока для цепей с батарейным питанием. Подробнее о особенностях и характеристиках>>
-
600-вольтовые super-junction MOSFET CoolMOS P7 являются преемниками серии 600 В CoolMOS P6. Данные транзисторы наследуют тот же принцип высокой эффективности при простоте использования. Транзисторы этой линейки имеют лучшие в своем классе показатели сопротивления «сток-исток» открытого канала (RDS(on)), а также низкий заряд затвора (QG). Подробнее о характеристиках и особенностях>>
