Поиск
Показаны результаты для тегов 'mosfet'.
-
В последние годы в области импульсного преобразования сложился определенный баланс между реальным значением КПД, которого можно достичь при использовании существующих технологий, и ценой, которую современные потребители готовы платить за столь высокую эффективность. В статье рассматриваются характеристики одной из основных сфер применения широкозонных транзисторов – сетевых источников питания, состоящих из корректора коэффициента мощности (ККМ) и изолированного преобразователя постоянного напряжения. А также обосновывается, всегда ли новые полупроводниковые материалы – карбид кремния и арсенид галлия – позволяют создавать преобразователи с лучшими характеристиками, чем при использовании традиционного кремния. Читать статью >>
-
Любой источник питания должен иметь как можно большие значения КПД, удельной мощности, уровня надежности, а также максимально длительный срок службы. На сегодняшний день одним из основных направлений улучшения этих параметров является усовершенствование кристаллов силовых транзисторов, при этом характеристики их корпусов обычно остаются без должного внимания. Однако, как показали результаты исследований специалистов компании Infineon, для уменьшения потерь при преобразовании иногда достаточно всего лишь изменить ориентацию кристалла транзистора внутри его корпуса. Новый способ сборки MOSFET, при котором их кристаллы ориентируются истоком вниз, в ближайшем будущем имеет все шансы стать отраслевым стандартом, а пока данная технология применяется лишь в некоторых продуктах компании Infineon, одними из которых являются уже успевшие завоевать широкую популярность транзисторы семейства OptiMOS. Читать статью >>
-
Благодаря простоте использования, мобильности и повышенной безопасности, электроинструменты с питанием от аккумуляторных батарей с каждым годом все шире применяются как в домашнем хозяйстве, так и в профессиональной сфере. В последнее время в оборудовании этого типа наметилась новая тенденция – замена традиционных коллекторных двигателей их бесщеточными аналогами (Brushless DC Motor, BLDC), что позволило не только улучшить характеристики беспроводных электроинструментов, но и расширить область их использования. Ключевыми преимуществами бесщеточных электродвигателей являются повышенная удельная мощность и возможность применения цифровых систем управления, позволяющих точно контролировать все параметры вращения, что позволяет не только максимально адаптировать электроинструмент под конкретную задачу, но и улучшить его основные характеристики – размер, вес и время автономной работы. В статье рассмотрены основные вопросы, возникающие при создании беспроводных электроинструментов, а также приведены решения компании Infineon, позволяющие создавать оборудование, отвечающее самым современным требованиям, предъявляемым к технике подобного класса. Читать статью ››
-
Какую элементную базу выбрать для проектирования инверторов солнечных батарей – новую карбид-кремниевую или традиционную кремниевую? Еще не так давно считалось, что характеристики инверторов для солнечных электростанций достигли своего технического максимума, и дальнейшее их повышение, из-за недостатков и ограничений существующей элементной базы, маловероятно. Однако в последнее время в конструировании этого типа устройств появилось два новых направления, причем оба положительно сказываются на всех ключевых характеристиках этих преобразователей, в первую очередь – на величине КПД и удельной мощности. Первый способ заключается в замене традиционных кремниевых транзисторов их аналогами, изготовленными из полупроводников с большей, чем у кремния, шириной запрещенной зоны, например, из карбида кремния. Второй способ направлен на поиск новых схемотехнических решений силовой части, позволяющих создавать преобразователи на основе традиционных низковольтных кремниевых MOSFET, имеющих намного лучшие характеристики, чем их высоковольтные аналоги. Использование новых решений позволило создавать инверторы, КПД которых может превышать 99%, что при использовании традиционных принципов построения является недостижимым результатом. В статье рассмотрены ключевые особенности обоих подходов, а также вопросы, на которые нужно обращать внимание при выборе того или иного метода. Читать статью >>
-
Достижения компании Infineon в области силовых полупроводниковых приборов на основе кремния и карбида кремния позволяют создавать бортовые зарядные устройства с высокими значениями удельной мощности и КПД, предназначенные для электромобилей и гибридных автомобилей. В данной статье рассмотрены типовые схемы узлов бортовых зарядных устройств электро- и гибридных автомобилей, а также приведены рекомендации по выбору элементной базы производства компании Infineon, которые могут быть использованы при их разработке. Читать статью >>
-
Линейка высоковольтных транзисторов MOSFET CoolMOS PFD7 600 В установила новый стандарт для технологии Super Junction, став прекрасным решением для использования в приложениях с высокой плотностью мощности, таких как маломощные электродвигатели Высоковольтные N-канальные MOSFET PFD7 сочетают в себе лучшую в своем классе производительность и простоту использования, основанную на более чем 20-летнем опыте Infineon в области Super Junction. Транзисторы линейки PFD7 поставляются в компактных корпусах PG-TO220-3 и PG-TO252-3 с внутренним диодом, что обеспечивает дополнительную надежность устройства и сокращает спецификацию при построении схем. Подробнее о транзисторах CoolMOS PFD7
-
Компания Wolfspeed выпустила семейство SiC MOSFETсиловых модулей 12 класса – Wolfpack GM3 на токи до 200 А. Подробнее
-
Специалисты компании Infineon рассказывают о сорокалетней истории технологических инноваций, последовавшей за созданием первого полевого транзистора с изолированным затвором (MOSFET), и на примере последних новшеств, касающихся расположения кристалла относительно печатной платы, показывают, как незначительные на первый взгляд изменения способны кардинально поменять характеристики прибора и разрабатываемых на его основе систем. Читать статью >>
-
40-вольтные MOSFET семейства OptiMOS 5 относятся к категории Normal Level MOSFET и имеют повышенное значение порогового напряжения (по сравнению с другими низковольтными MOSFET), что обеспечивает защиту от ложного срабатывания при работе в средах с высоким уровнем шума. Низкий уровень соотношения QGS/QGD транзисторов позволяет уменьшить максимальное значение скачков напряжения на затворе, что способствует еще большему росту устойчивости транзистора к нежелательной коммутации. MOSFET поставляются в компактном корпусе SuperSO8 5×6, имеют широкий диапазон рабочих температур (-55…175°C) и прекрасно подходят для применения в приложениях с батарейным питанием, низковольтных приводах, электроинструментах и во многих других решениях. Подробнее >>
-
Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила отладочную плату для оценки динамических характеристик силовых SiC MOSFET модулей семейства WolfPack – KIT-CRD-CIL12N-FMA. Подробнее
-
Современные автомобили, использующие полуавтоматизированные и автоматизированные системы вождения, отказываются от централизованных систем распределения питания в пользу децентрализованных. При этом современные системы контроля электропитания и обеспечения его безопасности требуют замены электромеханических коммутаторов и предохранителей на быстродействующие ключи на базе MOSFET со встроенными микроконтроллерам и возможностями диагностики – такие как предлагаемые компанией Infineon интеллектуальные силовые ключи PROFET. Читать статью >>
-
SiC MOSFET модули 1200 В WolfPack от Wolfspeed
МакроГрупп опубликовал тема в Объявления пользователей
Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила семейство SiC MOSFET силовых модулей 12 класса Wolfpack FM3. Подробнее