Search the Community
Showing results for tags 'mosfet'.
-
В последние годы в области импульсного преобразования сложился определенный баланс между реальным значением КПД, которого можно достичь при использовании существующих технологий, и ценой, которую современные потребители готовы платить за столь высокую эффективность. В статье рассматриваются характеристики одной из основных сфер применения широкозонных транзисторов – сетевых источников питания, состоящих из корректора коэффициента мощности (ККМ) и изолированного преобразователя постоянного напряжения. А также обосновывается, всегда ли новые полупроводниковые материалы – карбид кремния и арсенид галлия – позволяют создавать преобразователи с лучшими характеристиками, чем при использовании традиционного кремния. Читать статью >>
- 2 replies
-
- infineon
- транзистор
-
(and 1 more)
Tagged with:
-
Любой источник питания должен иметь как можно большие значения КПД, удельной мощности, уровня надежности, а также максимально длительный срок службы. На сегодняшний день одним из основных направлений улучшения этих параметров является усовершенствование кристаллов силовых транзисторов, при этом характеристики их корпусов обычно остаются без должного внимания. Однако, как показали результаты исследований специалистов компании Infineon, для уменьшения потерь при преобразовании иногда достаточно всего лишь изменить ориентацию кристалла транзистора внутри его корпуса. Новый способ сборки MOSFET, при котором их кристаллы ориентируются истоком вниз, в ближайшем будущем имеет все шансы стать отраслевым стандартом, а пока данная технология применяется лишь в некоторых продуктах компании Infineon, одними из которых являются уже успевшие завоевать широкую популярность транзисторы семейства OptiMOS. Читать статью >>
-
Благодаря простоте использования, мобильности и повышенной безопасности, электроинструменты с питанием от аккумуляторных батарей с каждым годом все шире применяются как в домашнем хозяйстве, так и в профессиональной сфере. В последнее время в оборудовании этого типа наметилась новая тенденция – замена традиционных коллекторных двигателей их бесщеточными аналогами (Brushless DC Motor, BLDC), что позволило не только улучшить характеристики беспроводных электроинструментов, но и расширить область их использования. Ключевыми преимуществами бесщеточных электродвигателей являются повышенная удельная мощность и возможность применения цифровых систем управления, позволяющих точно контролировать все параметры вращения, что позволяет не только максимально адаптировать электроинструмент под конкретную задачу, но и улучшить его основные характеристики – размер, вес и время автономной работы. В статье рассмотрены основные вопросы, возникающие при создании беспроводных электроинструментов, а также приведены решения компании Infineon, позволяющие создавать оборудование, отвечающее самым современным требованиям, предъявляемым к технике подобного класса. Читать статью ››
-
- бесщеточный двигатель
- infineon
-
(and 2 more)
Tagged with:
-
Какую элементную базу выбрать для проектирования инверторов солнечных батарей – новую карбид-кремниевую или традиционную кремниевую? Еще не так давно считалось, что характеристики инверторов для солнечных электростанций достигли своего технического максимума, и дальнейшее их повышение, из-за недостатков и ограничений существующей элементной базы, маловероятно. Однако в последнее время в конструировании этого типа устройств появилось два новых направления, причем оба положительно сказываются на всех ключевых характеристиках этих преобразователей, в первую очередь – на величине КПД и удельной мощности. Первый способ заключается в замене традиционных кремниевых транзисторов их аналогами, изготовленными из полупроводников с большей, чем у кремния, шириной запрещенной зоны, например, из карбида кремния. Второй способ направлен на поиск новых схемотехнических решений силовой части, позволяющих создавать преобразователи на основе традиционных низковольтных кремниевых MOSFET, имеющих намного лучшие характеристики, чем их высоковольтные аналоги. Использование новых решений позволило создавать инверторы, КПД которых может превышать 99%, что при использовании традиционных принципов построения является недостижимым результатом. В статье рассмотрены ключевые особенности обоих подходов, а также вопросы, на которые нужно обращать внимание при выборе того или иного метода. Читать статью >>
-
Достижения компании Infineon в области силовых полупроводниковых приборов на основе кремния и карбида кремния позволяют создавать бортовые зарядные устройства с высокими значениями удельной мощности и КПД, предназначенные для электромобилей и гибридных автомобилей. В данной статье рассмотрены типовые схемы узлов бортовых зарядных устройств электро- и гибридных автомобилей, а также приведены рекомендации по выбору элементной базы производства компании Infineon, которые могут быть использованы при их разработке. Читать статью >>
-
Линейка высоковольтных транзисторов MOSFET CoolMOS PFD7 600 В установила новый стандарт для технологии Super Junction, став прекрасным решением для использования в приложениях с высокой плотностью мощности, таких как маломощные электродвигатели Высоковольтные N-канальные MOSFET PFD7 сочетают в себе лучшую в своем классе производительность и простоту использования, основанную на более чем 20-летнем опыте Infineon в области Super Junction. Транзисторы линейки PFD7 поставляются в компактных корпусах PG-TO220-3 и PG-TO252-3 с внутренним диодом, что обеспечивает дополнительную надежность устройства и сокращает спецификацию при построении схем. Подробнее о транзисторах CoolMOS PFD7
-
Компания Wolfspeed выпустила семейство SiC MOSFETсиловых модулей 12 класса – Wolfpack GM3 на токи до 200 А. Подробнее
-
Специалисты компании Infineon рассказывают о сорокалетней истории технологических инноваций, последовавшей за созданием первого полевого транзистора с изолированным затвором (MOSFET), и на примере последних новшеств, касающихся расположения кристалла относительно печатной платы, показывают, как незначительные на первый взгляд изменения способны кардинально поменять характеристики прибора и разрабатываемых на его основе систем. Читать статью >>
-
40-вольтные MOSFET семейства OptiMOS 5 относятся к категории Normal Level MOSFET и имеют повышенное значение порогового напряжения (по сравнению с другими низковольтными MOSFET), что обеспечивает защиту от ложного срабатывания при работе в средах с высоким уровнем шума. Низкий уровень соотношения QGS/QGD транзисторов позволяет уменьшить максимальное значение скачков напряжения на затворе, что способствует еще большему росту устойчивости транзистора к нежелательной коммутации. MOSFET поставляются в компактном корпусе SuperSO8 5×6, имеют широкий диапазон рабочих температур (-55…175°C) и прекрасно подходят для применения в приложениях с батарейным питанием, низковольтных приводах, электроинструментах и во многих других решениях. Подробнее >>
-
Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила отладочную плату для оценки динамических характеристик силовых SiC MOSFET модулей семейства WolfPack – KIT-CRD-CIL12N-FMA. Подробнее
-
Современные автомобили, использующие полуавтоматизированные и автоматизированные системы вождения, отказываются от централизованных систем распределения питания в пользу децентрализованных. При этом современные системы контроля электропитания и обеспечения его безопасности требуют замены электромеханических коммутаторов и предохранителей на быстродействующие ключи на базе MOSFET со встроенными микроконтроллерам и возможностями диагностики – такие как предлагаемые компанией Infineon интеллектуальные силовые ключи PROFET. Читать статью >>
-
- infineon
- силовые ключи
-
(and 1 more)
Tagged with:
-
SiC MOSFET модули 1200 В WolfPack от Wolfspeed
МакроГрупп posted a topic in Объявления пользователей
Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила семейство SiC MOSFET силовых модулей 12 класса Wolfpack FM3. Подробнее-
- sic mosfet
- sic-транзистор
-
(and 4 more)
Tagged with:
-
Обобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET - революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе кремния, такими как IGBT и MOSFET, карбид-кремниевые (SiC) полевые транзисторы обладают существенными преимуществами. Приборы CoolSiC™ выпускаются на напряжения 1700, 1200 и 650 В. Карбид-кремниевые транзисторы сочетают в себе отличные характеристики, надёжность и простоту использования в разработках. Мы сделали подборку статей о технологии CoolSiC™, которая поможет вам вывести КПД и надёжность ваших устройств силовой электроники на высочайший уровень! Читать статьи >>
-
Бортовая зарядная система электромобиля должна поддерживать передачу энергии в двух направлениях: из сети в аккумулятор (режим заряда) и из аккумулятора в сеть (режим генератора). Компания Wolfspeed предлагает для этого опорный проект – двунаправленный преобразователь постоянного напряжения мощностью 22 кВт на базе 1200 В карбид-кремниевых MOSFET собственного производства. Читать статью >>
-
В поисках идеального силового ключа
КОМПЭЛ posted a topic in Объявления пользователей
Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку MOSFET и IGBT с широкой запрещенной зоной (SiC и GaN), продолжая при этом работать над их усовершенствованием. За последние годы способы преобразования напряжения в переменное или постоянное, а также преобразования электрической энергии в энергию механического движения, значительно изменились. Одним из самых существенных изменений было развитие технологий импульсных преобразований, которые обеспечили взрывной рост КПД и позволили реализовать такие разработки как изолированный DC/DC-преобразователь без использования электромашин. Читать статью >> -
Мощные высокоскоростные силовые модули семейства XM3 на базе карбид-кремниевых MOSFET разработаны компанией Wolfspeed в первую очередь для применения в выпрямителях зарядных станций автомобилей. Их главное преимущество – минимальные значения паразитных индуктивностей. Глобальные экологические проблемы, стоящие перед человечеством, давно вынуждают внедрять энергосберегающие технологии во все сферы человеческой жизни. Не является исключением и транспорт, на долю которого приходится внушительная часть дополнительных выбросов парниковых газов и других вредных веществ. На сегодняшний день оптимальной альтернативой двигателям внутреннего сгорания и дизельным двигателям являются электродвигатели, обладающие лучшими техническими характеристиками, в первую очередь – высоким КПД. Читать статью >>
-
Компания Infineon представила новую линейку MOSFET 1200 В, изготовленных по технологии CoolSiC. Транзисторы доступны в корпусе D2PAK-7L (TO263-7) в широком диапазоне значений RDS(on) (от 30 до 350 мОм). В новых MOSFET используется технология соединения кристалла .XT, которая помогает рассеивать на 30% больше тепла через соединение «чип-корпус» по сравнению с традиционными решениями. Подробнее >>
-
SiC MOSFET на 1200 В для схем флайбэк до 500 Вт!
КОМПЭЛ posted a topic in Объявления пользователей
Компания Wolfspeed выпустила новые карбид-кремниевые транзисторы C3M0350120D/J на напряжение 1200 В, предназначенные для маломощных устройств мощностью до 500 Вт. Карбид-кремниевые транзисторы в сравнении с кремниевыми (IGBT/MOSFET) демонстрируют меньший на 75% уровень потерь на переключение и меньшее на 50% значение потерь проводимости в рабочем режиме при температуре кристалла 100…150°С. Сопротивление открытого канала SiC MOSFET по сравнению с традиционными MOSFET гораздо менее зависит от температуры . Подробнее >> -
К числу целевых приложений SiC MOSFET на напряжение 650 В производства Infineon относятся системы электропитания, в которых требуется обеспечить КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может возникнуть режим жестких переключений, а также мощное силовое оборудование. В связи с ростом привлекательности карбид-кремниевой технологии для более низковольтных приложений разработчики должны хорошо понимать, в каких случаях классические кремниевые MOSFET следует заменять транзисторами, изготавливаемыми по новой технологии. Читать статью >>
-
Безмостовые ККМ для 99% КПД!
КОМПЭЛ posted a topic in Объявления пользователей
Схема коррекции коэффициента мощности (ККМ) на основе так называемого «тотемного столба» (Totem Pole) обладает минимально возможными потерями и потенциально может обеспечить самые жесткие требования к энергоэффективности источников питания. Компания Wolfspeed представляет референсную разработку – плату ККМ CRD-02AD065N на базе собственных карбид-кремниевых MOSFET и диодов с наилучшими в отрасли характеристиками. Читать статью >> -
Новые SiC транзисторы 650 В с сопротивлением канала 15 мОм и 60 мОм построены по инновационной технологии третьего поколения, которая позволяет достичь большей в сравнении с традиционной кремниевой технологией удельной мощности при меньшем уровне потерь. Основным выигрышем для конечных пользователей будет снижение общей стоимости владения электронными устройствами в различных применениях за счёт увеличения КПД устройств, снижения требований к системе охлаждения и высочайшей надёжности. Подробнее >>
-
SiC MOSFET = высокий КПД источника питания
КОМПЭЛ posted a topic in Объявления пользователей
650 В карбид-кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только перед обычными кремниевыми (Si) 650 В MOSFET, но и перед нитрид-галлиевыми транзисторами. Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния позволяют разработчикам оптимизировать системы питания таким образом, чтобы одновременно максимизировать удельную мощность, уменьшить размер и вес устройств, а также повысить их КПД. Читать статью >> -
Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того же карбида кремния – решения для бортовых и внешних зарядных устройств электромобилей. Читать статью >>
-
Компания Infineon представила два новых изолированных драйвера затвора SiC MOSFET — 2EDF9275F и 2EDS9265H, расширив тем самым фирменное семейство микросхем EiceDRIVER. Эти изделия относятся к двуканальным драйверам +4 A / -8 A и прекрасно подходят для совместной работы с основными семействами полевых транзисторов компании Infineon: CoolMOS, OptiMOS и CoolSIC. Они повышают эффективность управления благодаря низкой задержке распространения (37 нс) и высокой степени синхронизации в зависимости от рабочей температуры. Подробнее >>
-
Компания Infineon представила новые MOSFET-модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая его размеры и стоимость. Благодаря использованию технологии Trench и внушительной толщине оксидного слоя затвора, транзисторы CoolSiC обеспечивают высочайшую надежность и эффективность. В конструкцию также интегрирован быстрый SiC антипараллельный диод с высоким уровнем стабильности и низким дрейфом. Подробнее >>