Поиск
Показаны результаты для тегов 'mosfet'.
-
Компания Infineon представила новую линейку высоковольтных транзисторов MOSFET CoolMOS PFD7 600 В, которые устанавливают новый стандарт для технологии Super Junction и являются прекрасным решением для использования в приложениях с высокой плотностью мощности, таких как маломощные электродвигатели. Подробнее >>
-
Проектировщики мощных импульсных цепей на основе полупроводниковых приборов с широкой запрещенной зоной часто допускают ошибки, связанные с режимом переключения транзисторов, которые потом дорого им обходятся. Порой нам приходится сталкиваться с неприятной для самолюбия правдой о собственных познаниях в области силовой электроники. Поэтому автору этой статьи хотелось бы попросить читателей попытаться хотя бы на время стать полностью самокритичными... У вас неверные представления о внутреннем диоде в мощных полевых транзисторах? Вы не одиноки в этом среди множества остальных специалистов. У любого из нас есть похожие истории о том, с чего начиналась эта путаница. Читать статью >>
-
Новые MOSFET-транзисторы от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4 основаны на современных технологиях построения полупроводников и оптимизированы для обеспечения высоких показателей производительности и надежности. Преимущество использования SiC-транзисторов по сравнению с Si-решениями – это более высокий КПД, что особенно важно для систем преобразования энергии. По сравнению с IGBT и MOSFET на основе Si, SiC MOSFET имеют ряд преимуществ. Подробнее о преимуществах>>
-
Прошу прощения за много букв, нуждаюсь в надежном схемотехническом решении, поэтому описываю не только саму задачу, но и весь её контекст, быть может я принципиально думаю не в той области. Есть большая плата со множеством разъемов. Далее будем называть её "платой тестирования", или просто "тестером". В эту плату вставляются другие мелкие платы разного рода(будем называть их "модулями"): разного напряжения импульсные блоки питания, аудиоусилители, raspberry pi, светодиодные блоки и проч. Когда модули вставляется в плату(не все сразу, бывает и по-одному) - тестер, через ключи(p-канальные полевые транзисторы в верхнем плече цепи питания каждого модуля, IRLML6402, sot-23, макс. ток 3.7А) подает на них нужное им напряжение питания, и запускается программа тестирования, проверяющая что у модулей нет КЗ, ожидаемое выходное напряжения(для ИБП), с "умными" модулями "разговаривает" по uart, spi и проч. Тестер запитан от внешнего блока питания на напряжение 12 вольт, ток 2 ампер, есть фильтрующий конденсатор приличной емкости(1000мкф) это важно. У некоторых модулей на входе стоит электролит. Возмем к пример модуль импульсного БП со входным напряжением 8-15 вольт, электролит на входе 470мкф, максимальный выходной ток нагрузки - 1.5А. В момент открытия ключа, от электролита тестера к электролиту модуля происходит бросок тока. Эксперементально измерить не удалось, но при ESR каждого конденсатора ~0.1ом и сопротивлении дорожек ~0.1ом получим ток 12/0.3 = 36А на время ~0.7мс. Допускаю что преувеличил. Максимальный пиковый ток который могжет выдержать вышеупомянутый ключ по ДШ составляет 22А. Правда не нашел на какое время "дозволен" такой всплеск. Видать ограничение только по мощности. В любом случае - или нагрузка на ключ будет или превышена, или на грани с этим, в рулетку играть не хочется. Выход из ситуации напрашивается таким: чтобы не ставить индуктивность рядом с каждым ключом, хочется на самой тестовой плате реализовать ограничение выходного тока от электролита, и бонусом ограничивать ток при КЗ. Подчеркиваю, что не такую защиту от КЗ, которая просто будет разрывать цепь, а именно ограничитель бросков, т.е. при скачке тока более 3-х ампер, он "обрежется" до ~3-х ампер, а в штатном режиме будет полностью открытым ключом с низким сопротивлением. Как вы уже поняли, я намекаю на использование полевого ключа в качестве ограничителя, осталось только допилить к нему драйвер. Небольшой флешбэк. Когда-то давно был опыт реализации стабилизатора тока на биполярных транзисторах, правда "тогда" шунт был в цепи "минуса", а сейчас он на "плюсе" питания. Адаптировав его под данную ситуацию получил такую схему: На этой схеме: U2 (INA193) - монитор тока с коэффициентом усиления =20 и подавлением синфазной составляющей. Измеряет падение напряжения на шунте в верхней цепи, вычитает синфазную составляющую и умножает. Точность не нужна, поэтому подходит в самый раз. U1 (LM258) - ОУ в роли компаратора, сравнивает выход монитора тока с ИОН 3.3 вольта. При превышении тока на шунте 3.3V / (0.1ом * 20) ~= 1.65А стремится закрыть силовой ключ. Q2 и Q4 - транзисторная сборка в роли силового ключа Q3 - тот самый ключ, который будет подавать напряжение на модуль. В данной модели открывается через 1мс после старта. R2 - нагрузка модуля, подогнал под 1.5А R7 - некоторая нагрузка самой тестовой платы, мозги например и несколько лампочек, взял с потолка А вот результаты симуляции: Желтый график - ток через силовой ключ Синий - напряжение на выходе компаратора Оранжевый - напряжение заряда на конденсаторе Красный - падение напряжения на ключе Не смотря на то что данная схема выполняет задачу ограничения бросков тока, огромный её минус в том что в штатном режиме(без бросков) на силовом биполярном ключе происходит приличное падение напряжения(2.8 вольт). Там не обойтись без радиатора, а хотелось бы. Идем дальше: Вот что у меня получилось, если заменить силовой ключ на p-канальный полевик и поменять местами входы компаратора. Также в схему добавлена дроссель, из-за того что после открытия ключа Q3 ключ Q2 не успевает также мнгновенно среагировать и закрыться и "пропускает" бросок тока. Соответствующие графики: Ядовито-зеленым на правом графике отображается напряжение на затворе ключа. Вроде все работает как надо. Однако терзают смутные сомнения, сильно. Корректно ли вообще так делать защиту по току? Может полевые ключи для этого совсем не подходят? Может я в схеме не учел что-то принципиально важное?
-
Микроконтроллер с помощью ШИМ 3.3 В управляет напрямую полевиком, до этого схема работала хорошо! Сейчас начались какие-то танцы с бубном. На осциллограмме почему-то плывет задний фронт на транзисторе сток-исток и шумы. Стоит задача сделать фронты максимально близки к идеальным и избавиться от шумов! На фото напряжение сток-исток ШИМ 10%.
