Jump to content

    

Search the Community

Showing results for tags 'infineon'.



More search options

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Forums

  • Сайт и форум
    • Новости и обсуждения сайта и форума
    • Другие известные форумы и сайты по электронике
    • В помощь начинающему
    • International Forum
    • Образование в области электроники
    • Обучающие видео-материалы и обмен опытом
  • Cистемный уровень проектирования
    • Вопросы системного уровня проектирования
    • Математика и Физика
    • Операционные системы
    • Документация
    • Системы CAD/CAM/CAE/PLM
    • Разработка цифровых, аналоговых, аналого-цифровых ИС
    • Электробезопасность и ЭМС
    • Управление проектами
    • Neural networks and machine learning (NN/ML)
  • Программируемая логика ПЛИС (FPGA,CPLD, PLD)
    • Среды разработки - обсуждаем САПРы
    • Работаем с ПЛИС, области применения, выбор
    • Языки проектирования на ПЛИС (FPGA)
    • Системы на ПЛИС - System on a Programmable Chip (SoPC)
  • Цифровая обработка сигналов - ЦОС (DSP)
    • Сигнальные процессоры и их программирование - DSP
    • Алгоритмы ЦОС (DSP)
  • Микроконтроллеры (MCs)
    • Cредства разработки для МК
    • ARM
    • AVR
    • MSP430
    • Все остальные микроконтроллеры
    • Отладочные платы
  • Печатные платы (PCB)
    • Разрабатываем ПП в САПР - PCB development
    • Работаем с трассировкой
    • Изготовление ПП - PCB manufacturing
  • Сборка РЭУ
  • Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника
  • Силовая Электроника - Power Electronics
  • Интерфейсы
  • Поставщики компонентов для электроники
  • Майнеры криптовалют и их разработка, BitCoin, LightCoin, Dash, Zcash, Эфир
  • Дополнительные разделы - Additional sections

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


AIM


MSN


Сайт


ICQ


Yahoo


Jabber


Skype


Город


Код проверки


skype


Facebook


Vkontakte


LinkedIn


Twitter


G+


Одноклассники

  1. Новое семейство ключей верхнего плеча разработано специально для промышленного использования, но подходит и для множества других применений. Микросхемы семейства совместимы по распиновке и позволяют разработчику промышленных систем выбирать между четырьмя различными значениями RDS(on). Все ключи имеют встроенную функцию защиты и обратную связь для диагностики. ITS4040 и ITS4075 рассчитаны на работу с номинальными токами нагрузки до 2 А на канал, а ITS4090 и ITS4130 – с током до 0,5 А. Ключи семейства выпускаются в корпусе TSDSO-14 размерами 4,9 x 6 мм с открытой площадкой, обеспечивающей эффективный теплоотвод. Цифровые входы позволяют управлять каналами параллельно. Надежность и долговечность ключей подтверждаются соответствием стандарту JEDEC JESD47J. Подробнее >>
  2. Компания Infineon представила плату расширения для Arduino c 24-вольтовыми ключами PROFET™+24V (BTT6xxx). Данное семейство ключей верхнего плеча с защитами предназначено для управления резистивными, емкостными и индуктивными нагрузками (лампы автомобилей, реле, двигатели, клапаны, светодиоды, конденсаторы). Использование платы расширения для Arduino с 24-вольтными защищенными ключами ускоряет создание прототипов и позволяет с минимальными затратами проводить тестирование совместимых по распиновке ключей PROFET™+24V. Подробнее >>
  3. Современные автомобили, использующие полуавтоматизированные и автоматизированные системы вождения, отказываются от централизованных систем распределения питания в пользу децентрализованных. При этом современные системы контроля электропитания и обеспечения его безопасности требуют замены электромеханических коммутаторов и предохранителей на быстродействующие ключи на базе MOSFET со встроенными микроконтроллерам и возможностями диагностики – такие как предлагаемые компанией Infineon интеллектуальные силовые ключи PROFET. Читать статью >>
  4. Компания Infineon представила новое семейство защищенных силовых ключей PROFET™+2 12V. Изделия объединяют в себе функции диагностики и различные защиты. Ключи PROFET™+2 12V имеют одно из самых низких в отрасли сопротивлений в открытом состоянии RDS(ON) (от 2,6 мОм) и выпускаются в миниатюрном корпусе TSDSO-14 с шагом выводов 0,65 мм. Благодаря функции ReverseON все семейство соответствует строгим требованиям по защите от обратной полярности питания, впервые реализованной в одном чипе. PROFET™+2 12V отличаются низкими потерями, малым потреблением, высокой точностью измерения тока и работой при пониженном напряжении АКБ, а также обеспечивают высокие скорости переключения/нарастания без ухудшения ЭМС и способны работать с ШИМ до 1 кГц. Подробнее о силовых ключах PROFET >>
  5. Обобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET - революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе кремния, такими как IGBT и MOSFET, карбид-кремниевые (SiC) полевые транзисторы обладают существенными преимуществами. Приборы CoolSiC™ выпускаются на напряжения 1700, 1200 и 650 В. Карбид-кремниевые транзисторы сочетают в себе отличные характеристики, надёжность и простоту использования в разработках. Мы сделали подборку статей о технологии CoolSiC™, которая поможет вам вывести КПД и надёжность ваших устройств силовой электроники на высочайший уровень! Читать статьи >>
  6. Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет специалист ведущего разработчика силовых приборов из карбида кремния, компании Infineon. Транзисторы на основе карбида кремния (SiC) все чаще используются в преобразователях питания, к размеру, весу и КПД которых предъявляются повышенные требования. Исключительные свойства SiC позволяют создавать униполярные устройства с высокой частотой переключения в противовес IGBT. Решения, которые до сих пор были возможны в устройствах до 600 В, теперь осуществимы и для более высоких напряжений и дают преимущества, снижающие их потребительскую стоимость: высокий КПД, более высокие частоты переключения, меньшее тепловыделение и экономия места. Читать статью >>
  7. Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку MOSFET и IGBT с широкой запрещенной зоной (SiC и GaN), продолжая при этом работать над их усовершенствованием. За последние годы способы преобразования напряжения в переменное или постоянное, а также преобразования электрической энергии в энергию механического движения, значительно изменились. Одним из самых существенных изменений было развитие технологий импульсных преобразований, которые обеспечили взрывной рост КПД и позволили реализовать такие разработки как изолированный DC/DC-преобразователь без использования электромашин. Читать статью >>
  8. Новинка от компании Infineon — гибридные силовые модули EasyPACK, основанные на TRENCHSTOP 5 CoolSiC IGBT. Использование преимуществ технологий TRENCHSTOP и CoolSiC в одном IGBT является прекрасным выбором для перехода от традиционных IGBT на основе кремния. Расширить возможности транзистора с одновременным снижением потерь на переключение и увеличением частоты работы IGBT позволяет встроенный SiC-диод Шоттки. Подробнее >>
  9. Компания Infineon представила новую линейку MOSFET 1200 В, изготовленных по технологии CoolSiC. Транзисторы доступны в корпусе D2PAK-7L (TO263-7) в широком диапазоне значений RDS(on) (от 30 до 350 мОм). В новых MOSFET используется технология соединения кристалла .XT, которая помогает рассеивать на 30% больше тепла через соединение «чип-корпус» по сравнению с традиционными решениями. Подробнее >>
  10. К числу целевых приложений SiC MOSFET на напряжение 650 В производства Infineon относятся системы электропитания, в которых требуется обеспечить КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может возникнуть режим жестких переключений, а также мощное силовое оборудование. В связи с ростом привлекательности карбид-кремниевой технологии для более низковольтных приложений разработчики должны хорошо понимать, в каких случаях классические кремниевые MOSFET следует заменять транзисторами, изготавливаемыми по новой технологии. Читать статью >>
  11. Компания Infineon представила новые гибридные IGBT-транзисторы на 650 В, которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC. Использование SiC-диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT и снизить уровень энергии, необходимой для включения транзистора (Eon), а также уменьшить потери на переключение. Подробнее >>
  12. С целью поддержки своих карбид-кремниевых MOSFET из линейки CoolSiC, обеспечивающих наиболее высокую в отрасли производительность, компания Infineon предлагает шесть моделей специализированных ИС драйверов затвора из линейки EiceDRIVER, основанных на одном выходном каскаде драйвера Rail-to-Rail. Cиловые полупроводники, выполняя роль строительных блоков систем питания, являются одним из решающих факторов энергоэффективности. Разработчики систем питания – от источников питания до инверторов – сталкиваются со все более сложными задачами по повышению КПД без увеличения стоимости продукции. Фактор стоимости имеет принципиально важное значение. Помимо сохранения прибыли OEM-производителей, снижение цен на солнечные инверторы, источники питания с высоким КПД и электромобили будет способствовать развитию более экологичной инфраструктуры и окажет положительное влияние на будущее нашей планеты. Читать статью >>
  13. Компания Infineon представила новые микросхемы TLE9012AQU и TLE9015QU в корпусе PG-TQFP-48 с высокой точностью измерения для контроля и управления зарядом литий-ионных аккумуляторов. TLE9012AQU и TLE9015QU подходят для применения в электромобилях, промышленных и бытовых системах накопления энергии, строительной и дорожной технике и многих других решениях. Подробнее>>
  14. Компания Infineon представила новые MOSFET-модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая его размеры и стоимость. Благодаря использованию технологии Trench и внушительной толщине оксидного слоя затвора, транзисторы CoolSiC обеспечивают высочайшую надежность и эффективность. В конструкцию также интегрирован быстрый SiC антипараллельный диод с высоким уровнем стабильности и низким дрейфом. Подробнее >>
  15. Компания Infineon совершила настоящую революцию в силовой электронике. Специалисты Infineon не только усовершенствовали традиционные кремниевые MOSFET (серия CoolMOS) и IGBT, но и выпустили компоненты на базе принципиально иных материалов – нитрида галлия (серия CoolGaN) и карбида кремния (серия CoolSiC). Для каждого из этих семейств существуют особые подходы к управлению. Станьте экспертом по управлению силовыми полупроводниковыми приборами новых поколений CoolMOS, CoolGaN, CoolSiC вместе с Infineon! Читать статьи >>
  16. Компания Infineon представила новые 400 В галлий-нитридные HEMT-транзисторы (транзисторы с высокой подвижностью электронов) серии CoolGaN, выполненные по технологии и работающие в режиме Enhancement mode (e-mode). Новые транзисторы выпущены как продолжение представленного ранее семейства 600 В и являются на текущий момент единственным 400 В решением среди изделий данного типа. Подробнее >>
  17. Компания Infineon представила новую линейку высоковольтных транзисторов MOSFET CoolMOS PFD7 600 В, которые устанавливают новый стандарт для технологии Super Junction и являются прекрасным решением для использования в приложениях с высокой плотностью мощности, таких как маломощные электродвигатели. Подробнее >>
  18. Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид-кремниевые (SiC) и нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы позволяют преодолевать ограничения, свойственные Si-ключам. В статье рассмотрены особенности силовых ключей CoolSiC, CoolGaN, CoolMOS производства компании Infineon на примере построения DC/DC-ступеней однофазных источников питания с высоким КПД. Читать статью >>
  19. 13 августа компания «КОМПЭЛ» провела вебинар, посвященный драйверам управления транзисторами компании Infineon. На вебинаре мы показали четыре различных технологии изготовления микросхем драйверов, узнали в чём их отличия и особенности, а также рассказали о новинках драйверов управления Infineon. Драйвер – критически важный компонент для любого источника питания, и компания Infineon обладает необходимыми компетенциями в этом вопросе. Вебинар рассчитан на инженеров-разработчиков источников питания различного назначения и устройств силовой электроники.  На сайте Компэл доступны для просмотра видеозапись и презентация вебинара, там же вы сможете ознакомиться с ответами на вопросы и другими полезными материалами по данной теме. Ознакомиться с видеозаписью и материалами
  20. Крупному предприятию требуются программисты встроенных систем. Требования: - Доскональное знание C и C++ - Опыт программирования 32-разрядных контроллеров ARM/MIPS/TriCore... (не менее 7 лет) - Опыт написания многопоточных программ под операционные системы реального времени (не менее 5 лет) - Готовность работать с существующими исходными кодами - Готовность к освоению незнакомых микроконтроллеров с намного более сложной/могучей периферией, чем у "народного" STM32 - Написание понятных, хорошо комментированных и документированных исходных кодов - Опыт работы с системами контроля версий - Умение пользоваться аппаратными и программными отладчиками - Умение читать электрические принципиальные схемы - Понимание особенностей "встроенного" программирования. Вам не нужно объяснять, что такое прерывания, volatile, DMA, АЦП, capture/compare, ШИМ, кэш, конвейер и прочие низкоуровневые тонкости - Английский язык достаточный для чтения технической документации - Умение ладить с коллективом, не конфликтный и не вспыльчивый характер Желательный опыт: - Программирование Infineon TriCore процессоров - Matlab, Simulink Fixed Point, Real-Time Workshop Embedded Coder, Fixed-Point Toolbox, Stateflow - INCA - HighTec для TriCore - PXROS - C++ Builder или Visual C++ - Использование ассемблера в течение последних 5 лет - CAN, J1939, ISOBUS - Внедрение алгоритмов нечёткой логики Что предлагаем: - Грамотным специалистам - достойную, конкурентную белую шестизначную зарплату - Перспективная работа с масштабными поектами. Результаты Вашей работы будут демонстрироваться высшим лицам государства - Дружный коллектив - Иногородним оплачивается: -- приезд на собеседование -- переезд, включая перевоз вещей -- субсидия на съём жилья. Когда купите своё, субсидия всё равно остаётся ;-) -- четыре поездки домой в год - Субсидированные комплексные обеды в 100р. - Предприятие имеет свой детский лагерь на чёрном море и базу отдыха - Тёплый солнечный город, близость к Азовскому и Чёрному морям CV и, желательно, портфолио слать на alexivanich[на]гмэйл.ком
  21. Важнейшими элементами силовых цепей являются полевые транзисторы. Представляем обзор трех семейств полевых транзисторов производства компании Infineon: кремниевых полевых транзисторов CoolMOS, карбид-кремниевых транзисторов CoolSiC и галлий-нитридных транзисторов CoolGaN. Читать статью >>
  22. Микросхемы драйверов затвора силовых транзисторов, изготавливаемые по технологии монолитного кремния, подвержены негативному влиянию отрицательных напряжений, возникающих на опорном выводе для верхнего плеча. Технология «Кремний-на-изоляторе» (Silicon-on-insulator, SOI) является надежным решением этой проблемы, о чем свидетельствуют результаты испытаний трех микросхем драйверов затвора полумостовой схемы, в том числе – SOI-драйвера производства Infineon. Читать статью >>
  23. Драйверы 1EDx20I12SV построены на базе технологии бескорпусных трансформаторов Infineon и являются первыми высоковольтными драйверами затвора с динамическим управлением SRC. Благодаря этому, изменяя в процессе работы dV/dt электропривода при помощи точного управления током затвора, можно обеспечить наилучшее соотношение между рассеиванием мощности и уровнем электромагнитных помех в зависимости от условий эксплуатации. Подробнее >>
  24. BGA5L1BN6 – малошумящий усилитель (LNA), который охватывает широкий диапазон частот: от 600 до 1000 МГц. LNA обеспечивает усиление 18,5 дБ и коэффициент шума 0,7 дБ при токе потребления 8,2 мА. BGA5L1BN6 может работать в режиме байпаса – при этом происходит прямое соединение входа и выхода микросхемы. Подробнее о характеристиках и особенностях>>
  25. Драйверы затвора являются связующим звеном между двумя частями любого импульсного преобразователя электрической энергии: схемой управления и силовой частью. В общем случае эту задачу можно решить с помощью схем на основе дискретных компонентов, однако использование специализированных микросхем позволяет не только снизить затраты времени на разработку, но и упростить схему, уменьшить размеры печатной платы, а также сократить общий список компонентов преобразователя. Немаловажным фактором при выборе готового решения является наличие интегрированной изоляции с гарантированной электрической прочностью, что особенно важно для высоконадежных приложений. В широкой линейке интегральных драйверов затвора, выпускаемой компанией Infineon для транзисторов верхнего и нижнего плечей силовых преобразователей, имеются изделия с различными параметрами и со всеми типами разделения входных и выходных цепей: без изоляции, с изоляцией p-n-переходом, с изоляцией диэлектриком и с изоляцией посредством трансформаторов. Читать статью >>