Jump to content

    

Search the Community

Showing results for tags 'infineon'.



More search options

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Forums

  • Сайт и форум
    • Новости и обсуждения сайта и форума
    • Другие известные форумы и сайты по электронике
    • В помощь начинающему
    • International Forum
    • Образование в области электроники
    • Обучающие видео-материалы и обмен опытом
  • Cистемный уровень проектирования
    • Вопросы системного уровня проектирования
    • Математика и Физика
    • Операционные системы
    • Документация
    • Системы CAD/CAM/CAE/PLM
    • Разработка цифровых, аналоговых, аналого-цифровых ИС
    • Электробезопасность и ЭМС
    • Управление проектами
    • Neural networks and machine learning (NN/ML)
  • Программируемая логика ПЛИС (FPGA,CPLD, PLD)
    • Среды разработки - обсуждаем САПРы
    • Работаем с ПЛИС, области применения, выбор
    • Языки проектирования на ПЛИС (FPGA)
    • Системы на ПЛИС - System on a Programmable Chip (SoPC)
  • Цифровая обработка сигналов - ЦОС (DSP)
    • Сигнальные процессоры и их программирование - DSP
    • Алгоритмы ЦОС (DSP)
  • Микроконтроллеры (MCs)
    • Cредства разработки для МК
    • ARM
    • AVR
    • MSP430
    • Все остальные микроконтроллеры
    • Отладочные платы
  • Печатные платы (PCB)
    • Разрабатываем ПП в САПР - PCB development
    • Работаем с трассировкой
    • Изготовление ПП - PCB manufacturing
  • Сборка РЭУ
  • Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника
  • Силовая Электроника - Power Electronics
  • Интерфейсы
  • Поставщики компонентов для электроники
  • Майнеры криптовалют и их разработка, BitCoin, LightCoin, Dash, Zcash, Эфир
  • Дополнительные разделы - Additional sections

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


AIM


MSN


Сайт


ICQ


Yahoo


Jabber


Skype


Город


Код проверки


skype


Facebook


Vkontakte


LinkedIn


Twitter


G+


Одноклассники

  1. Замена традиционных реле и предохранителей в автомобильных системах распределения питания и управления нагрузками, а также в промышленных системах электропитания постоянного тока на интеллектуальные силовые ключи – массово идущий процесс. Ведущую роль в нем играют силовые ключи PROFET производства Infineon. Специалисты компании отвечают на основные вопросы, возникающие при этом у разработчиков. Читать статью >>
  2. Силовые ключи Infineon PROFET™+ 24V (BTT6xxx и BTF6xxx) и HITFET™+ 24V (BTT3xxxEJ) позволяют управлять емкостными, индуктивными и резистивными нагрузками для любых применений с рабочим напряжением 24 В (например, клапаны, лампы, реле, двигатели, конденсаторы). BTT3018EJ – первый 24-вольтовый ключ нижнего плеча от Infineon, который подходит для множества приложений с высокочастотной ШИМ (до 20 кГц). Первый HITFET™+ 24V представляет собой одноканальный интеллектуальный переключатель питания нижнего плеча с сопротивлением 16 мОм. Изделие поставляется в корпусе TDSO-8 и снабжено встроенными защитными функциями. В качестве силового транзистора применен N-канальный вертикальный силовой MOSFET. Подробнее >>
  3. Интеллектуальные силовые ключи PFOFET производства Infineon могут измерять ток нагрузки с разной точностью, зависящей как от абсолютной величины потребляемого тока, так и от технологии производства конечной продукции, в частности – от наличия или отсутствия этапа калибровки. В статье выполнена оценка точности токоизмерительной системы микросхем PROFET, а также факторов, влияющих на ее величину. Кроме этого, предложены методы калибровки измерительной части, с помощью которых можно практически в два раза уменьшить ошибку, возникающую в процессе измерений. Читать статью >>
  4. Семейство защищенных ключей верхнего плеча Power PROFET от Infineon с ультранизким сопротивлением (от 1 до 2,5 мОм) имеет встроенные функции защиты и диагностики и предназначено для автомобильной промышленности и других 12-вольтных применений. Эти ключи разработаны специально для управления нагрузками, с диапазоном рабочих токов от 20 до 40 А и служат заменой различных сильноточных реле и предохранителей, например, в распределительных системах питания и системах электрообогрева в автомобилях. Ключи Power PROFET основаны на новой технологии, обеспечивающей превосходные характеристики по мощности, и являются идеальным решением для растущего числа применений с высокими требованиями к переключениям, например, для реле стартера в системах «старт-стоп» и для электрических вакуумных насосов тормозной системы. В отличие от реле и предохранителей эти ключи устойчивы к пыли, ударам и вибрации и позволяют снизить потери мощности, повысить износостойкость и минимизировать размер готового модуля, а кроме того, упрощают его обслуживание за счет возможности программного сброса вместо замены предохранителя в автомастерской. Использование ключей Power PROFET оптимизирует затраты за счет более точного прогнозирования размеров системы и уменьшения количества компонентов (меньше проводов и разъемов, более компактный блок реле). Посмотреть отличительные особенности ключей верхнего плеча Power PROFET
  5. На базе интеллектуальных силовых ключей верхнего плеча PROFET+2 производства Infineon можно создавать мощные приложения, способные коммутировать значительные токи. Однако миниатюрность их корпусов может стать причиной чрезмерного нагрева. Статья рассказывает о методах проектирования печатных плат для ключей PROFET+2, позволяющих минимизировать этот недостаток. Читать статью >>
  6. Семейство HITFET+ – это новое поколение на основе новейшей технологии, которая позволила уменьшить габариты до 50% по сравнению с линейкой HITFET. Семейство включает в себя стандартные (BTS3xxxTF/EJ) и полнофункциональные (BTF3xxxEJ/TE) ключи нижнего плеча (от 11 до 125 мОм) в корпусах TO252 (DPAK-3 и DPAK-5) и TDSO-8. Возможность выбора функциональности и корпуса гарантирует соответствие любым применениям. В пределах одного типа корпусов HITFET+ позволяет подобрать подходящий по токовым характеристикам ключ без необходимости замены печатной платы или программного обеспечения. Подробнее о семействе HITFET+
  7. При замене в современном автомобиле электромеханических реле на интеллектуальные силовые ключи PROFET производства Infineon необходимо учитывать особенности их коммутации по сравнению с «сухими контактами» реле, а также особенности управления с их помощью различными типами нагрузок. На сегодняшний день в большинстве автомобилей электрическая энергия распределяется между бортовым оборудованием с помощью предохранителей и реле. Однако недостатки этих приборов, в числе которых – значительные габариты, ограниченный срок службы и высокие затраты энергии на управление, в ближайшем будущем не позволят использовать их в новых моделях автомобилей. Наилучшей альтернативой электромеханическим реле являются полупроводниковые силовые ключи, имеющие намного меньшие габариты, значительно больший срок службы и практически нулевые затраты энергии на управление. Современные технологии позволяют разместить в одном малогабаритном корпусе не только мощный силовой транзистор, но и небольшой контроллер, с помощью которого можно реализовать ряд дополнительных функций, например, автоматическое отключение в случае перегрузки коммутируемой цепи. Таким образом, силовой ключ из обычного переключателя превращается в автономный автоматизированный модуль, имеющий не только лучшие технические характеристики, но и расширенную функциональность. Именно таковы интеллектуальные силовые ключи PROFET (PROtected mosFET), разработанные компанией Infineon. Читать статью >>
  8. Новое семейство ключей верхнего плеча разработано специально для промышленного использования, но подходит и для множества других применений. Микросхемы семейства совместимы по распиновке и позволяют разработчику промышленных систем выбирать между четырьмя различными значениями RDS(on). Все ключи имеют встроенную функцию защиты и обратную связь для диагностики. ITS4040 и ITS4075 рассчитаны на работу с номинальными токами нагрузки до 2 А на канал, а ITS4090 и ITS4130 – с током до 0,5 А. Ключи семейства выпускаются в корпусе TSDSO-14 размерами 4,9 x 6 мм с открытой площадкой, обеспечивающей эффективный теплоотвод. Цифровые входы позволяют управлять каналами параллельно. Надежность и долговечность ключей подтверждаются соответствием стандарту JEDEC JESD47J. Подробнее >>
  9. Компания Infineon представила плату расширения для Arduino c 24-вольтовыми ключами PROFET™+24V (BTT6xxx). Данное семейство ключей верхнего плеча с защитами предназначено для управления резистивными, емкостными и индуктивными нагрузками (лампы автомобилей, реле, двигатели, клапаны, светодиоды, конденсаторы). Использование платы расширения для Arduino с 24-вольтными защищенными ключами ускоряет создание прототипов и позволяет с минимальными затратами проводить тестирование совместимых по распиновке ключей PROFET™+24V. Подробнее >>
  10. Современные автомобили, использующие полуавтоматизированные и автоматизированные системы вождения, отказываются от централизованных систем распределения питания в пользу децентрализованных. При этом современные системы контроля электропитания и обеспечения его безопасности требуют замены электромеханических коммутаторов и предохранителей на быстродействующие ключи на базе MOSFET со встроенными микроконтроллерам и возможностями диагностики – такие как предлагаемые компанией Infineon интеллектуальные силовые ключи PROFET. Читать статью >>
  11. Компания Infineon представила новое семейство защищенных силовых ключей PROFET™+2 12V. Изделия объединяют в себе функции диагностики и различные защиты. Ключи PROFET™+2 12V имеют одно из самых низких в отрасли сопротивлений в открытом состоянии RDS(ON) (от 2,6 мОм) и выпускаются в миниатюрном корпусе TSDSO-14 с шагом выводов 0,65 мм. Благодаря функции ReverseON все семейство соответствует строгим требованиям по защите от обратной полярности питания, впервые реализованной в одном чипе. PROFET™+2 12V отличаются низкими потерями, малым потреблением, высокой точностью измерения тока и работой при пониженном напряжении АКБ, а также обеспечивают высокие скорости переключения/нарастания без ухудшения ЭМС и способны работать с ШИМ до 1 кГц. Подробнее о силовых ключах PROFET >>
  12. Обобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET - революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе кремния, такими как IGBT и MOSFET, карбид-кремниевые (SiC) полевые транзисторы обладают существенными преимуществами. Приборы CoolSiC™ выпускаются на напряжения 1700, 1200 и 650 В. Карбид-кремниевые транзисторы сочетают в себе отличные характеристики, надёжность и простоту использования в разработках. Мы сделали подборку статей о технологии CoolSiC™, которая поможет вам вывести КПД и надёжность ваших устройств силовой электроники на высочайший уровень! Читать статьи >>
  13. Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет специалист ведущего разработчика силовых приборов из карбида кремния, компании Infineon. Транзисторы на основе карбида кремния (SiC) все чаще используются в преобразователях питания, к размеру, весу и КПД которых предъявляются повышенные требования. Исключительные свойства SiC позволяют создавать униполярные устройства с высокой частотой переключения в противовес IGBT. Решения, которые до сих пор были возможны в устройствах до 600 В, теперь осуществимы и для более высоких напряжений и дают преимущества, снижающие их потребительскую стоимость: высокий КПД, более высокие частоты переключения, меньшее тепловыделение и экономия места. Читать статью >>
  14. Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку MOSFET и IGBT с широкой запрещенной зоной (SiC и GaN), продолжая при этом работать над их усовершенствованием. За последние годы способы преобразования напряжения в переменное или постоянное, а также преобразования электрической энергии в энергию механического движения, значительно изменились. Одним из самых существенных изменений было развитие технологий импульсных преобразований, которые обеспечили взрывной рост КПД и позволили реализовать такие разработки как изолированный DC/DC-преобразователь без использования электромашин. Читать статью >>
  15. Новинка от компании Infineon — гибридные силовые модули EasyPACK, основанные на TRENCHSTOP 5 CoolSiC IGBT. Использование преимуществ технологий TRENCHSTOP и CoolSiC в одном IGBT является прекрасным выбором для перехода от традиционных IGBT на основе кремния. Расширить возможности транзистора с одновременным снижением потерь на переключение и увеличением частоты работы IGBT позволяет встроенный SiC-диод Шоттки. Подробнее >>
  16. Компания Infineon представила новую линейку MOSFET 1200 В, изготовленных по технологии CoolSiC. Транзисторы доступны в корпусе D2PAK-7L (TO263-7) в широком диапазоне значений RDS(on) (от 30 до 350 мОм). В новых MOSFET используется технология соединения кристалла .XT, которая помогает рассеивать на 30% больше тепла через соединение «чип-корпус» по сравнению с традиционными решениями. Подробнее >>
  17. К числу целевых приложений SiC MOSFET на напряжение 650 В производства Infineon относятся системы электропитания, в которых требуется обеспечить КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может возникнуть режим жестких переключений, а также мощное силовое оборудование. В связи с ростом привлекательности карбид-кремниевой технологии для более низковольтных приложений разработчики должны хорошо понимать, в каких случаях классические кремниевые MOSFET следует заменять транзисторами, изготавливаемыми по новой технологии. Читать статью >>
  18. Компания Infineon представила новые гибридные IGBT-транзисторы на 650 В, которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC. Использование SiC-диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT и снизить уровень энергии, необходимой для включения транзистора (Eon), а также уменьшить потери на переключение. Подробнее >>
  19. С целью поддержки своих карбид-кремниевых MOSFET из линейки CoolSiC, обеспечивающих наиболее высокую в отрасли производительность, компания Infineon предлагает шесть моделей специализированных ИС драйверов затвора из линейки EiceDRIVER, основанных на одном выходном каскаде драйвера Rail-to-Rail. Cиловые полупроводники, выполняя роль строительных блоков систем питания, являются одним из решающих факторов энергоэффективности. Разработчики систем питания – от источников питания до инверторов – сталкиваются со все более сложными задачами по повышению КПД без увеличения стоимости продукции. Фактор стоимости имеет принципиально важное значение. Помимо сохранения прибыли OEM-производителей, снижение цен на солнечные инверторы, источники питания с высоким КПД и электромобили будет способствовать развитию более экологичной инфраструктуры и окажет положительное влияние на будущее нашей планеты. Читать статью >>
  20. Компания Infineon представила новые микросхемы TLE9012AQU и TLE9015QU в корпусе PG-TQFP-48 с высокой точностью измерения для контроля и управления зарядом литий-ионных аккумуляторов. TLE9012AQU и TLE9015QU подходят для применения в электромобилях, промышленных и бытовых системах накопления энергии, строительной и дорожной технике и многих других решениях. Подробнее>>
  21. Компания Infineon представила новые MOSFET-модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая его размеры и стоимость. Благодаря использованию технологии Trench и внушительной толщине оксидного слоя затвора, транзисторы CoolSiC обеспечивают высочайшую надежность и эффективность. В конструкцию также интегрирован быстрый SiC антипараллельный диод с высоким уровнем стабильности и низким дрейфом. Подробнее >>
  22. Компания Infineon совершила настоящую революцию в силовой электронике. Специалисты Infineon не только усовершенствовали традиционные кремниевые MOSFET (серия CoolMOS) и IGBT, но и выпустили компоненты на базе принципиально иных материалов – нитрида галлия (серия CoolGaN) и карбида кремния (серия CoolSiC). Для каждого из этих семейств существуют особые подходы к управлению. Станьте экспертом по управлению силовыми полупроводниковыми приборами новых поколений CoolMOS, CoolGaN, CoolSiC вместе с Infineon! Читать статьи >>
  23. Компания Infineon представила новые 400 В галлий-нитридные HEMT-транзисторы (транзисторы с высокой подвижностью электронов) серии CoolGaN, выполненные по технологии и работающие в режиме Enhancement mode (e-mode). Новые транзисторы выпущены как продолжение представленного ранее семейства 600 В и являются на текущий момент единственным 400 В решением среди изделий данного типа. Подробнее >>
  24. Компания Infineon представила новую линейку высоковольтных транзисторов MOSFET CoolMOS PFD7 600 В, которые устанавливают новый стандарт для технологии Super Junction и являются прекрасным решением для использования в приложениях с высокой плотностью мощности, таких как маломощные электродвигатели. Подробнее >>
  25. Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид-кремниевые (SiC) и нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы позволяют преодолевать ограничения, свойственные Si-ключам. В статье рассмотрены особенности силовых ключей CoolSiC, CoolGaN, CoolMOS производства компании Infineon на примере построения DC/DC-ступеней однофазных источников питания с высоким КПД. Читать статью >>