Jump to content

    

Search the Community

Showing results for tags 'infineon'.



More search options

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Forums

  • Сайт и форум
    • Новости и обсуждения сайта и форума
    • Другие известные форумы и сайты по электронике
    • В помощь начинающему
    • International Forum
    • Образование в области электроники
    • Обучающие видео-материалы и обмен опытом
  • Cистемный уровень проектирования
    • Вопросы системного уровня проектирования
    • Математика и Физика
    • Операционные системы
    • Документация
    • Системы CAD/CAM/CAE/PLM
    • Разработка цифровых, аналоговых, аналого-цифровых ИС
    • Электробезопасность и ЭМС
    • Управление проектами
    • Neural networks and machine learning (NN/ML)
  • Программируемая логика ПЛИС (FPGA,CPLD, PLD)
    • Среды разработки - обсуждаем САПРы
    • Работаем с ПЛИС, области применения, выбор
    • Языки проектирования на ПЛИС (FPGA)
    • Системы на ПЛИС - System on a Programmable Chip (SoPC)
  • Цифровая обработка сигналов - ЦОС (DSP)
    • Сигнальные процессоры и их программирование - DSP
    • Алгоритмы ЦОС (DSP)
  • Микроконтроллеры (MCs)
    • Cредства разработки для МК
    • ARM
    • AVR
    • MSP430
    • Все остальные микроконтроллеры
    • Отладочные платы
  • Печатные платы (PCB)
    • Разрабатываем ПП в САПР - PCB development
    • Работаем с трассировкой
    • Изготовление ПП - PCB manufacturing
  • Сборка РЭУ
  • Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника
  • Силовая Электроника - Power Electronics
  • Интерфейсы
  • Поставщики компонентов для электроники
  • Майнеры криптовалют и их разработка, BitCoin, LightCoin, Dash, Zcash, Эфир
  • Дополнительные разделы - Additional sections

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


AIM


MSN


Сайт


ICQ


Yahoo


Jabber


Skype


Город


Код проверки


skype


Facebook


Vkontakte


LinkedIn


Twitter


G+


Одноклассники

  1. Разработанная компанией Infineon технология изготовления полевых транзисторов с суперпереходом позволила создать семейство MOSFET CoolMOS S7, которое, в свою очередь, привело к появлению на рынке малогабаритных, дешевых и надежных твердотельных реле постоянного и переменного тока. Несмотря на то, что электромеханические реле разработаны более ста лет назад, они все еще остаются одними из самых распространенных коммутационных приборов и активно используются в наши дни для управления нагрузками как постоянного, так и переменного тока. Ключевыми преимуществами электромеханических реле являются простота и повышенная нагрузочная способность, однако низкая надежность и ограниченный срок службы заставляют многих производителей электронной техники искать альтернативные решения, не содержащие механических контактов. Читать статью >>
  2. Компания Infineon расширила линейку уже успевших завоевать популярность транзисторов OptiMOS, дополнив ее новыми приборами в корпусах TOLG и TOLT. Транзисторы OptiMOS относятся к полевым транзисторам с суперпереходом (SJ MOSFET) и имеют лучшее в своем классе сочетание повышенной установочной мощности, малого уровня потерь и низкой стоимости, позволяющее использовать их в самых разнообразных приложениях. Cпециализированные корпуса нового поколения TOLG (PG-HSOG-8) и TOLT (PG-HDSOP-16) относятся к семейству безвыводных корпусов TOLх, предназначенных для поверхностного монтажа. Их ключевой особенностью является отсутствие традиционных для приборов подобного класса проволочных или штыревых выводов. Подробнее >>
  3. В последние годы в области импульсного преобразования сложился определенный баланс между реальным значением КПД, которого можно достичь при использовании существующих технологий, и ценой, которую современные потребители готовы платить за столь высокую эффективность. В статье рассматриваются характеристики одной из основных сфер применения широкозонных транзисторов – сетевых источников питания, состоящих из корректора коэффициента мощности (ККМ) и изолированного преобразователя постоянного напряжения. А также обосновывается, всегда ли новые полупроводниковые материалы – карбид кремния и арсенид галлия – позволяют создавать преобразователи с лучшими характеристиками, чем при использовании традиционного кремния. Читать статью >>
  4. Благодаря простоте использования, мобильности и повышенной безопасности, электроинструменты с питанием от аккумуляторных батарей с каждым годом все шире применяются как в домашнем хозяйстве, так и в профессиональной сфере. В последнее время в оборудовании этого типа наметилась новая тенденция – замена традиционных коллекторных двигателей их бесщеточными аналогами (Brushless DC Motor, BLDC), что позволило не только улучшить характеристики беспроводных электроинструментов, но и расширить область их использования. Ключевыми преимуществами бесщеточных электродвигателей являются повышенная удельная мощность и возможность применения цифровых систем управления, позволяющих точно контролировать все параметры вращения, что позволяет не только максимально адаптировать электроинструмент под конкретную задачу, но и улучшить его основные характеристики – размер, вес и время автономной работы. В статье рассмотрены основные вопросы, возникающие при создании беспроводных электроинструментов, а также приведены решения компании Infineon, позволяющие создавать оборудование, отвечающее самым современным требованиям, предъявляемым к технике подобного класса. Читать статью ››
  5. Какую элементную базу выбрать для проектирования инверторов солнечных батарей – новую карбид-кремниевую или традиционную кремниевую? Еще не так давно считалось, что характеристики инверторов для солнечных электростанций достигли своего технического максимума, и дальнейшее их повышение, из-за недостатков и ограничений существующей элементной базы, маловероятно. Однако в последнее время в конструировании этого типа устройств появилось два новых направления, причем оба положительно сказываются на всех ключевых характеристиках этих преобразователей, в первую очередь – на величине КПД и удельной мощности. Первый способ заключается в замене традиционных кремниевых транзисторов их аналогами, изготовленными из полупроводников с большей, чем у кремния, шириной запрещенной зоны, например, из карбида кремния. Второй способ направлен на поиск новых схемотехнических решений силовой части, позволяющих создавать преобразователи на основе традиционных низковольтных кремниевых MOSFET, имеющих намного лучшие характеристики, чем их высоковольтные аналоги. Использование новых решений позволило создавать инверторы, КПД которых может превышать 99%, что при использовании традиционных принципов построения является недостижимым результатом. В статье рассмотрены ключевые особенности обоих подходов, а также вопросы, на которые нужно обращать внимание при выборе того или иного метода. Читать статью >>
  6. Достижения компании Infineon в области силовых полупроводниковых приборов на основе кремния и карбида кремния позволяют создавать бортовые зарядные устройства с высокими значениями удельной мощности и КПД, предназначенные для электромобилей и гибридных автомобилей. В данной статье рассмотрены типовые схемы узлов бортовых зарядных устройств электро- и гибридных автомобилей, а также приведены рекомендации по выбору элементной базы производства компании Infineon, которые могут быть использованы при их разработке. Читать статью >>
  7. Линейка высоковольтных транзисторов MOSFET CoolMOS PFD7 600 В установила новый стандарт для технологии Super Junction, став прекрасным решением для использования в приложениях с высокой плотностью мощности, таких как маломощные электродвигатели Высоковольтные N-канальные MOSFET PFD7 сочетают в себе лучшую в своем классе производительность и простоту использования, основанную на более чем 20-летнем опыте Infineon в области Super Junction. Транзисторы линейки PFD7 поставляются в компактных корпусах PG-TO220-3 и PG-TO252-3 с внутренним диодом, что обеспечивает дополнительную надежность устройства и сокращает спецификацию при построении схем. Подробнее о транзисторах CoolMOS PFD7
  8. Специалисты компании Infineon рассказывают о сорокалетней истории технологических инноваций, последовавшей за созданием первого полевого транзистора с изолированным затвором (MOSFET), и на примере последних новшеств, касающихся расположения кристалла относительно печатной платы, показывают, как незначительные на первый взгляд изменения способны кардинально поменять характеристики прибора и разрабатываемых на его основе систем. Читать статью >>
  9. 40-вольтные MOSFET семейства OptiMOS 5 относятся к категории Normal Level MOSFET и имеют повышенное значение порогового напряжения (по сравнению с другими низковольтными MOSFET), что обеспечивает защиту от ложного срабатывания при работе в средах с высоким уровнем шума. Низкий уровень соотношения QGS/QGD транзисторов позволяет уменьшить максимальное значение скачков напряжения на затворе, что способствует еще большему росту устойчивости транзистора к нежелательной коммутации. MOSFET поставляются в компактном корпусе SuperSO8 5×6, имеют широкий диапазон рабочих температур (-55…175°C) и прекрасно подходят для применения в приложениях с батарейным питанием, низковольтных приводах, электроинструментах и во многих других решениях. Подробнее >>
  10. Управление лампами накаливания автомобиля – одна из задач, прекрасно решаемых интеллектуальными ключами PROFET+ производства Infineon. Однако, в силу больших пусковых токов при включении ламп, разработка узлов их коммутации на основе этих ключей требует учета всех особенностей и характеристик как самих ламп, так и системы электропитания конкретной модели автомобиля. Читать статью >>
  11. Использование интеллектуальных силовых ключей PROFET, разработанных компанией Infineon, позволит заменить реле и предохранители в автомобильных системах, а также в промышленных системах электропитания постоянного тока. PROFET значительно сложнее, чем электромеханические реле и плавкие предохранители, но возможности их гораздо шире. Рост числа потребителей (например, в автомобильных системах) в ближайшее время уже не позволит использовать для распределения питания компоненты, применяемые в настоящее время. Поэтому применение интеллектуальных ключей станет нормой. Представленные материалы будут полезны не только для начинающих разработчиков, но и для опытных специалистов, и позволят сократить время внедрения интеллектуальных ключей в конечные приложения. Подробнее >>
  12. Интеллектуальные ключи PROFET производства Infineon блокируют электрическую цепь в случае превышения допустимых параметров. Однако состояние блокировки не может продолжаться бесконечно, и рано или поздно системе управления потребуется вывести микросхемы PROFET из этого режима. Поскольку для некоторых узлов время восстановления электроснабжения может быть критичным, то в микросхемах PROFET+2 12V реализовано несколько алгоритмов выхода из состояния блокировки, особенности которых и будут рассмотрены в статье. Читать статью >>
  13. BTN7030-1EPA производства Infineon – это защищенный полумост, состоящий из интегрированного драйвера и двух MOSFET. Верхнее плечо каскада построено с использованием N-канального MOSFET с системой подкачки заряда (charge pump), в то время как в нижнем плече система подкачки заряда не используется. Взаимодействие с микроконтроллером упрощается благодаря встроенной микросхеме драйвера, которая имеет входы, совместимые по уровню со стандартной логикой, диагностику на основе измерения силы тока, функцию генерации “мертвого времени” для предотвращения появления сквозных токов, защиту от перегрева, просадок напряжения, перегрузок по току, перекрестных токов и короткого замыкания. BTN7030-1EPA представляет собой оптимизированное по стоимости решение, предназначенное для применения в двигателях постоянного тока с низким током (<15 А) частотой 0…2 кГц. Устройство создано по технологии SMART7. Посмотреть характеристики и ключевые преимущества BTN7030-1EPA
  14. Замена традиционных реле и предохранителей в автомобильных системах распределения питания и управления нагрузками, а также в промышленных системах электропитания постоянного тока на интеллектуальные силовые ключи – массово идущий процесс. Ведущую роль в нем играют силовые ключи PROFET производства Infineon. Специалисты компании отвечают на основные вопросы, возникающие при этом у разработчиков. Читать статью >>
  15. Силовые ключи Infineon PROFET™+ 24V (BTT6xxx и BTF6xxx) и HITFET™+ 24V (BTT3xxxEJ) позволяют управлять емкостными, индуктивными и резистивными нагрузками для любых применений с рабочим напряжением 24 В (например, клапаны, лампы, реле, двигатели, конденсаторы). BTT3018EJ – первый 24-вольтовый ключ нижнего плеча от Infineon, который подходит для множества приложений с высокочастотной ШИМ (до 20 кГц). Первый HITFET™+ 24V представляет собой одноканальный интеллектуальный переключатель питания нижнего плеча с сопротивлением 16 мОм. Изделие поставляется в корпусе TDSO-8 и снабжено встроенными защитными функциями. В качестве силового транзистора применен N-канальный вертикальный силовой MOSFET. Подробнее >>
  16. Интеллектуальные силовые ключи PFOFET производства Infineon могут измерять ток нагрузки с разной точностью, зависящей как от абсолютной величины потребляемого тока, так и от технологии производства конечной продукции, в частности – от наличия или отсутствия этапа калибровки. В статье выполнена оценка точности токоизмерительной системы микросхем PROFET, а также факторов, влияющих на ее величину. Кроме этого, предложены методы калибровки измерительной части, с помощью которых можно практически в два раза уменьшить ошибку, возникающую в процессе измерений. Читать статью >>
  17. Семейство защищенных ключей верхнего плеча Power PROFET от Infineon с ультранизким сопротивлением (от 1 до 2,5 мОм) имеет встроенные функции защиты и диагностики и предназначено для автомобильной промышленности и других 12-вольтных применений. Эти ключи разработаны специально для управления нагрузками, с диапазоном рабочих токов от 20 до 40 А и служат заменой различных сильноточных реле и предохранителей, например, в распределительных системах питания и системах электрообогрева в автомобилях. Ключи Power PROFET основаны на новой технологии, обеспечивающей превосходные характеристики по мощности, и являются идеальным решением для растущего числа применений с высокими требованиями к переключениям, например, для реле стартера в системах «старт-стоп» и для электрических вакуумных насосов тормозной системы. В отличие от реле и предохранителей эти ключи устойчивы к пыли, ударам и вибрации и позволяют снизить потери мощности, повысить износостойкость и минимизировать размер готового модуля, а кроме того, упрощают его обслуживание за счет возможности программного сброса вместо замены предохранителя в автомастерской. Использование ключей Power PROFET оптимизирует затраты за счет более точного прогнозирования размеров системы и уменьшения количества компонентов (меньше проводов и разъемов, более компактный блок реле). Посмотреть отличительные особенности ключей верхнего плеча Power PROFET
  18. На базе интеллектуальных силовых ключей верхнего плеча PROFET+2 производства Infineon можно создавать мощные приложения, способные коммутировать значительные токи. Однако миниатюрность их корпусов может стать причиной чрезмерного нагрева. Статья рассказывает о методах проектирования печатных плат для ключей PROFET+2, позволяющих минимизировать этот недостаток. Читать статью >>
  19. Семейство HITFET+ – это новое поколение на основе новейшей технологии, которая позволила уменьшить габариты до 50% по сравнению с линейкой HITFET. Семейство включает в себя стандартные (BTS3xxxTF/EJ) и полнофункциональные (BTF3xxxEJ/TE) ключи нижнего плеча (от 11 до 125 мОм) в корпусах TO252 (DPAK-3 и DPAK-5) и TDSO-8. Возможность выбора функциональности и корпуса гарантирует соответствие любым применениям. В пределах одного типа корпусов HITFET+ позволяет подобрать подходящий по токовым характеристикам ключ без необходимости замены печатной платы или программного обеспечения. Подробнее о семействе HITFET+
  20. При замене в современном автомобиле электромеханических реле на интеллектуальные силовые ключи PROFET производства Infineon необходимо учитывать особенности их коммутации по сравнению с «сухими контактами» реле, а также особенности управления с их помощью различными типами нагрузок. На сегодняшний день в большинстве автомобилей электрическая энергия распределяется между бортовым оборудованием с помощью предохранителей и реле. Однако недостатки этих приборов, в числе которых – значительные габариты, ограниченный срок службы и высокие затраты энергии на управление, в ближайшем будущем не позволят использовать их в новых моделях автомобилей. Наилучшей альтернативой электромеханическим реле являются полупроводниковые силовые ключи, имеющие намного меньшие габариты, значительно больший срок службы и практически нулевые затраты энергии на управление. Современные технологии позволяют разместить в одном малогабаритном корпусе не только мощный силовой транзистор, но и небольшой контроллер, с помощью которого можно реализовать ряд дополнительных функций, например, автоматическое отключение в случае перегрузки коммутируемой цепи. Таким образом, силовой ключ из обычного переключателя превращается в автономный автоматизированный модуль, имеющий не только лучшие технические характеристики, но и расширенную функциональность. Именно таковы интеллектуальные силовые ключи PROFET (PROtected mosFET), разработанные компанией Infineon. Читать статью >>
  21. Новое семейство ключей верхнего плеча разработано специально для промышленного использования, но подходит и для множества других применений. Микросхемы семейства совместимы по распиновке и позволяют разработчику промышленных систем выбирать между четырьмя различными значениями RDS(on). Все ключи имеют встроенную функцию защиты и обратную связь для диагностики. ITS4040 и ITS4075 рассчитаны на работу с номинальными токами нагрузки до 2 А на канал, а ITS4090 и ITS4130 – с током до 0,5 А. Ключи семейства выпускаются в корпусе TSDSO-14 размерами 4,9 x 6 мм с открытой площадкой, обеспечивающей эффективный теплоотвод. Цифровые входы позволяют управлять каналами параллельно. Надежность и долговечность ключей подтверждаются соответствием стандарту JEDEC JESD47J. Подробнее >>
  22. Компания Infineon представила плату расширения для Arduino c 24-вольтовыми ключами PROFET™+24V (BTT6xxx). Данное семейство ключей верхнего плеча с защитами предназначено для управления резистивными, емкостными и индуктивными нагрузками (лампы автомобилей, реле, двигатели, клапаны, светодиоды, конденсаторы). Использование платы расширения для Arduino с 24-вольтными защищенными ключами ускоряет создание прототипов и позволяет с минимальными затратами проводить тестирование совместимых по распиновке ключей PROFET™+24V. Подробнее >>
  23. Современные автомобили, использующие полуавтоматизированные и автоматизированные системы вождения, отказываются от централизованных систем распределения питания в пользу децентрализованных. При этом современные системы контроля электропитания и обеспечения его безопасности требуют замены электромеханических коммутаторов и предохранителей на быстродействующие ключи на базе MOSFET со встроенными микроконтроллерам и возможностями диагностики – такие как предлагаемые компанией Infineon интеллектуальные силовые ключи PROFET. Читать статью >>
  24. Компания Infineon представила новое семейство защищенных силовых ключей PROFET™+2 12V. Изделия объединяют в себе функции диагностики и различные защиты. Ключи PROFET™+2 12V имеют одно из самых низких в отрасли сопротивлений в открытом состоянии RDS(ON) (от 2,6 мОм) и выпускаются в миниатюрном корпусе TSDSO-14 с шагом выводов 0,65 мм. Благодаря функции ReverseON все семейство соответствует строгим требованиям по защите от обратной полярности питания, впервые реализованной в одном чипе. PROFET™+2 12V отличаются низкими потерями, малым потреблением, высокой точностью измерения тока и работой при пониженном напряжении АКБ, а также обеспечивают высокие скорости переключения/нарастания без ухудшения ЭМС и способны работать с ШИМ до 1 кГц. Подробнее о силовых ключах PROFET >>
  25. Обобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET - революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе кремния, такими как IGBT и MOSFET, карбид-кремниевые (SiC) полевые транзисторы обладают существенными преимуществами. Приборы CoolSiC™ выпускаются на напряжения 1700, 1200 и 650 В. Карбид-кремниевые транзисторы сочетают в себе отличные характеристики, надёжность и простоту использования в разработках. Мы сделали подборку статей о технологии CoolSiC™, которая поможет вам вывести КПД и надёжность ваших устройств силовой электроники на высочайший уровень! Читать статьи >>