Jump to content

    

Search the Community

Showing results for tags 'infineon'.



More search options

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Forums

  • Сайт и форум
    • Новости и обсуждения сайта и форума
    • Другие известные форумы и сайты по электронике
    • В помощь начинающему
    • International Forum
    • Образование в области электроники
    • Обучающие видео-материалы и обмен опытом
  • Cистемный уровень проектирования
    • Вопросы системного уровня проектирования
    • Математика и Физика
    • Операционные системы
    • Документация
    • Системы CAD/CAM/CAE/PLM
    • Разработка цифровых, аналоговых, аналого-цифровых ИС
    • Электробезопасность и ЭМС
    • Управление проектами
    • Neural networks and machine learning (NN/ML)
  • Программируемая логика ПЛИС (FPGA,CPLD, PLD)
    • Среды разработки - обсуждаем САПРы
    • Работаем с ПЛИС, области применения, выбор
    • Языки проектирования на ПЛИС (FPGA)
    • Системы на ПЛИС - System on a Programmable Chip (SoPC)
  • Цифровая обработка сигналов - ЦОС (DSP)
    • Сигнальные процессоры и их программирование - DSP
    • Алгоритмы ЦОС (DSP)
  • Микроконтроллеры (MCs)
    • Cредства разработки для МК
    • ARM
    • AVR
    • MSP430
    • Все остальные микроконтроллеры
    • Отладочные платы
  • Печатные платы (PCB)
    • Разрабатываем ПП в САПР - PCB development
    • Работаем с трассировкой
    • Изготовление ПП - PCB manufacturing
  • Сборка РЭУ
  • Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника
  • Силовая Электроника - Power Electronics
  • Интерфейсы
  • Поставщики компонентов для электроники
  • Майнеры криптовалют и их разработка, BitCoin, LightCoin, Dash, Zcash, Эфир
  • Дополнительные разделы - Additional sections

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


AIM


MSN


Сайт


ICQ


Yahoo


Jabber


Skype


Город


Код проверки


skype


Facebook


Vkontakte


LinkedIn


Twitter


G+


Одноклассники

  1. Компания Infineon совершила настоящую революцию в силовой электронике. Специалисты Infineon не только усовершенствовали традиционные кремниевые MOSFET (серия CoolMOS) и IGBT, но и выпустили компоненты на базе принципиально иных материалов – нитрида галлия (серия CoolGaN) и карбида кремния (серия CoolSiC). Для каждого из этих семейств существуют особые подходы к управлению. Станьте экспертом по управлению силовыми полупроводниковыми приборами новых поколений CoolMOS, CoolGaN, CoolSiC вместе с Infineon! Читать статьи >>
  2. Компания Infineon представила новые 400 В галлий-нитридные HEMT-транзисторы (транзисторы с высокой подвижностью электронов) серии CoolGaN, выполненные по технологии и работающие в режиме Enhancement mode (e-mode). Новые транзисторы выпущены как продолжение представленного ранее семейства 600 В и являются на текущий момент единственным 400 В решением среди изделий данного типа. Подробнее >>
  3. Компания Infineon представила новую линейку высоковольтных транзисторов MOSFET CoolMOS PFD7 600 В, которые устанавливают новый стандарт для технологии Super Junction и являются прекрасным решением для использования в приложениях с высокой плотностью мощности, таких как маломощные электродвигатели. Подробнее >>
  4. Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид-кремниевые (SiC) и нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы позволяют преодолевать ограничения, свойственные Si-ключам. В статье рассмотрены особенности силовых ключей CoolSiC, CoolGaN, CoolMOS производства компании Infineon на примере построения DC/DC-ступеней однофазных источников питания с высоким КПД. Читать статью >>
  5. 13 августа компания «КОМПЭЛ» провела вебинар, посвященный драйверам управления транзисторами компании Infineon. На вебинаре мы показали четыре различных технологии изготовления микросхем драйверов, узнали в чём их отличия и особенности, а также рассказали о новинках драйверов управления Infineon. Драйвер – критически важный компонент для любого источника питания, и компания Infineon обладает необходимыми компетенциями в этом вопросе. Вебинар рассчитан на инженеров-разработчиков источников питания различного назначения и устройств силовой электроники.  На сайте Компэл доступны для просмотра видеозапись и презентация вебинара, там же вы сможете ознакомиться с ответами на вопросы и другими полезными материалами по данной теме. Ознакомиться с видеозаписью и материалами
  6. Крупному предприятию требуются программисты встроенных систем. Требования: - Доскональное знание C и C++ - Опыт программирования 32-разрядных контроллеров ARM/MIPS/TriCore... (не менее 7 лет) - Опыт написания многопоточных программ под операционные системы реального времени (не менее 5 лет) - Готовность работать с существующими исходными кодами - Готовность к освоению незнакомых микроконтроллеров с намного более сложной/могучей периферией, чем у "народного" STM32 - Написание понятных, хорошо комментированных и документированных исходных кодов - Опыт работы с системами контроля версий - Умение пользоваться аппаратными и программными отладчиками - Умение читать электрические принципиальные схемы - Понимание особенностей "встроенного" программирования. Вам не нужно объяснять, что такое прерывания, volatile, DMA, АЦП, capture/compare, ШИМ, кэш, конвейер и прочие низкоуровневые тонкости - Английский язык достаточный для чтения технической документации - Умение ладить с коллективом, не конфликтный и не вспыльчивый характер Желательный опыт: - Программирование Infineon TriCore процессоров - Matlab, Simulink Fixed Point, Real-Time Workshop Embedded Coder, Fixed-Point Toolbox, Stateflow - INCA - HighTec для TriCore - PXROS - C++ Builder или Visual C++ - Использование ассемблера в течение последних 5 лет - CAN, J1939, ISOBUS - Внедрение алгоритмов нечёткой логики Что предлагаем: - Грамотным специалистам - достойную, конкурентную белую шестизначную зарплату - Перспективная работа с масштабными поектами. Результаты Вашей работы будут демонстрироваться высшим лицам государства - Дружный коллектив - Иногородним оплачивается: -- приезд на собеседование -- переезд, включая перевоз вещей -- субсидия на съём жилья. Когда купите своё, субсидия всё равно остаётся ;-) -- четыре поездки домой в год - Субсидированные комплексные обеды в 100р. - Предприятие имеет свой детский лагерь на чёрном море и базу отдыха - Тёплый солнечный город, близость к Азовскому и Чёрному морям CV и, желательно, портфолио слать на alexivanich[на]гмэйл.ком
  7. Важнейшими элементами силовых цепей являются полевые транзисторы. Представляем обзор трех семейств полевых транзисторов производства компании Infineon: кремниевых полевых транзисторов CoolMOS, карбид-кремниевых транзисторов CoolSiC и галлий-нитридных транзисторов CoolGaN. Читать статью >>
  8. Микросхемы драйверов затвора силовых транзисторов, изготавливаемые по технологии монолитного кремния, подвержены негативному влиянию отрицательных напряжений, возникающих на опорном выводе для верхнего плеча. Технология «Кремний-на-изоляторе» (Silicon-on-insulator, SOI) является надежным решением этой проблемы, о чем свидетельствуют результаты испытаний трех микросхем драйверов затвора полумостовой схемы, в том числе – SOI-драйвера производства Infineon. Читать статью >>
  9. Драйверы 1EDx20I12SV построены на базе технологии бескорпусных трансформаторов Infineon и являются первыми высоковольтными драйверами затвора с динамическим управлением SRC. Благодаря этому, изменяя в процессе работы dV/dt электропривода при помощи точного управления током затвора, можно обеспечить наилучшее соотношение между рассеиванием мощности и уровнем электромагнитных помех в зависимости от условий эксплуатации. Подробнее >>
  10. BGA5L1BN6 – малошумящий усилитель (LNA), который охватывает широкий диапазон частот: от 600 до 1000 МГц. LNA обеспечивает усиление 18,5 дБ и коэффициент шума 0,7 дБ при токе потребления 8,2 мА. BGA5L1BN6 может работать в режиме байпаса – при этом происходит прямое соединение входа и выхода микросхемы. Подробнее о характеристиках и особенностях>>
  11. Драйверы затвора являются связующим звеном между двумя частями любого импульсного преобразователя электрической энергии: схемой управления и силовой частью. В общем случае эту задачу можно решить с помощью схем на основе дискретных компонентов, однако использование специализированных микросхем позволяет не только снизить затраты времени на разработку, но и упростить схему, уменьшить размеры печатной платы, а также сократить общий список компонентов преобразователя. Немаловажным фактором при выборе готового решения является наличие интегрированной изоляции с гарантированной электрической прочностью, что особенно важно для высоконадежных приложений. В широкой линейке интегральных драйверов затвора, выпускаемой компанией Infineon для транзисторов верхнего и нижнего плечей силовых преобразователей, имеются изделия с различными параметрами и со всеми типами разделения входных и выходных цепей: без изоляции, с изоляцией p-n-переходом, с изоляцией диэлектриком и с изоляцией посредством трансформаторов. Читать статью >>
  12. Снижение потерь на переключения в силовых электронных системах, например, в приводах, зачастую противоречит требованиям ЭМС и ограничивается таким параметром как скорость нарастания напряжения. Обычное компромиссное решение – выбор оптимального сопротивления в цепи затвора силового транзистора. К сожалению, в процессе работы изменить сопротивление нельзя. Простой способ решения, предлагаемый Infineon – параллельное использование двух традиционных драйверов. Читать статью >>
  13. С появлением бюджетных датчиков Холла, измеряющих вертикальную составляющую магнитного поля, стали популярны линейные измерения магнитного поля. Такие датчики полезны для многих применений, например, для контроля положения клапанов, они встречаются в приводах систем климат-контроля, используются для распознавания столкновений в роботах-пылесосах и т.д. В силу того, что магнитные измерения являются бесконтактными, в суровых условиях эти изделия более надежны, чем контактные резистивные датчики, для которых влага и грязь могут быть губительны. Применяют два способа измерения магнитного поля вдоль одной оси с помощью стандартных 1D-датчиков Холла: прямой и непрямой. Оба способа предполагают использование магнита, выставленного соосно с датчиком Холла. Читать далее >>
  14. Компания Infineon представила новые транзисторы IRF100P218, IRF100P219, IRF150P220, IRF150P221 в корпусе TO-247 и с рабочим напряжением от 100 В до 150 В, входящие в линейку StrongIRFET. Транзисторы рассчитаны на работу в приложениях с высоким энергопотреблением, таких как источники бесперебойного питания (ИБП), солнечные инверторы, аудио-усилители класса D, импульсные источники питания (SMPS) и источники постоянного тока для цепей с батарейным питанием. Подробнее о особенностях и характеристиках>>
  15. В приложениях силовой электроники комбинации различных тепловых и силовых режимов приводят к появлению различных термических напряжений внутри устройства. Для обеспечения надежности и заданной наработки на отказ силовых устройств необходимо наличие диаграмм, описывающих все эти комбинации режимов. В процессе эксплуатации необходимо обеспечивать максимальные нагрузки, не выходящие за пределы, заданные соответствующими диаграммами. Различают два типа циклов нагрузок: энергетические циклы (PC), влияющие на температуру перехода (ΔTvj), и термические циклы (TC), влияющие на температуру паяного соединения и корпуса устройства (ΔTс). Рассмотрим условия эксплуатации, приводящие к отказу устройств, и изучим диаграммы соответствующих энергетических и термических циклов, рассмотрим практические примеры расчета наработки на отказ модулей IGBT. Ознакомится со статьей>>
  16. Номенклатура магнитных датчиков Infineon включает в себя дискретные датчики Холла для определения положения объекта или наличия движения, датчики для измерения угла поворота, датчики для измерения линейных перемещений, датчики для измерения скорости и датчики объемного магнитного поля со встроенными микроконтроллерами. Перечисленные датчики предназначены для применения как в автомобилестроении, так и в других отраслях промышленности. Магнитные датчики Infineon перекрывают большинство практических приложений, начиная от простых устройств с минимальным уровнем автоматизации и заканчивая сложными промышленными и автомобильными системами с наивысшими требованиями к функциональной безопасности. Подробнее о принципах работы и характеристиках>>
  17. Концепция NFC-PWM от Infineon предполагает использование для управления драйверами светодиодов NFC-микросхем с ШИМ-выходом, таких как NLM0010 и NLM0011. С помощью этих ИС можно обойтись без дополнительного микроконтроллера при NFC-программировании драйвера и при автоматическом поддержании постоянного светового потока в процессе старения светодиода. Рассмотрим новую концепцию NFC-PWM от Infineon, которая предполагает использование NFC-микросхем с ШИМ-выходом, обеспечивающих максимальную гибкость эксплуатации светодиодных осветительных приборов. Подробнее>>
  18. Технология микрошаблонных канавок MPT-IGBT оптимизирована для применения в электроприводе, и на ней основано новое поколение транзисторов IGBT на 1200 В производства Infineon. Это позволило повысить производительность за счет снижения VCE,sat до примерно 600 мВ и увеличить плавность выключения. Представляем новую технологическую концепцию для следующего поколения IGBT на 1200 В с использованием MPT, оптимизированную для управляющих приложений. Подробнее о устройстве, характеристиках и особенностях>>
  19. Компания Infineon представила новое семейство магнитных датчиков тока, построенных на базе технологии без использования сердечника. Первым представителем семейства стала микросхема TLI4971, являющаяся более прогрессивной версией датчика TLI4970. Ознакомиться с характеристиками и применением>>
  20. TLE5501– новый датчик угла поворота от компании Infineon, построенный на базе технологии TMR (tunnel magnetoresistance). Использование технологии TMR позволило в несколько раз повысить чувствительность и обеспечить лучшую точность и стабильность во всем диапазоне рабочей температуры в сравнении с сенсорами типов AMR и GMR. Подробнее о характеристиках и применении>>
  21. 600-вольтовые super-junction MOSFET CoolMOS P7 являются преемниками серии 600 В CoolMOS P6. Данные транзисторы наследуют тот же принцип высокой эффективности при простоте использования. Транзисторы этой линейки имеют лучшие в своем классе показатели сопротивления «сток-исток» открытого канала (RDS(on)), а также низкий заряд затвора (QG). Подробнее о характеристиках и особенностях>>
  22. Компания Infineon, используя фотоакустическую спектроскопию (PAS), разработала исключительно миниатюрный датчик CO2, который позволяет разрешить существующие проблемы с размерами, стоимостью и производительностью. Датчик XENSIV PAS использует в роли детектора MEMS-микрофон. Подробнее >>
  23. Компания Infineon представила две новые микросхемы NLM0011 и NLM0010, которые позволяют управлять светодиодным источником питания с помощью аналогового или ШИМ-сигнала. В микросхемах реализован беспроводной NFC-интерфейс. Подробнее >>
  24. Новые MOSFET-транзисторы от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4 основаны на современных технологиях построения полупроводников и оптимизированы для обеспечения высоких показателей производительности и надежности. Преимущество использования SiC-транзисторов по сравнению с Si-решениями – это более высокий КПД, что особенно важно для систем преобразования энергии. По сравнению с IGBT и MOSFET на основе Si, SiC MOSFET имеют ряд преимуществ. Подробнее о преимуществах>>
  25. IM69D120 – новое решение от компании Infineon, построенное по технологии MEMS Infineon Dual Backplate и являющейся логическим продолжением IM69D130 для 16-битных систем. При использовании IM69D130 в 16-битных системах отношение сигнал/шум (SNR) ограничено динамическим диапазоном системы. Подробнее о характеристиках>>