Компания Infineon представила новые гибридные IGBT-транзисторы на 650 В,
которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC.
Использование SiC-диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT
и снизить уровень энергии, необходимой для включения транзистора (Eon), а также уменьшить потери на переключение.
Подробнее >>